電子發燒友App
什么是雙極型三極管
- 三極管(117698)
- 雙極型(8824)
相關推薦
IGBT的應用領域及現狀分析
近年來，新型功率開關器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41
229
229
IGBT工藝流程 IGBT模塊封裝流程
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙 極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器
2023-08-08 10:14:12
2
2IGBT短路特性
IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。
2023-07-13 11:03:24172
172
IGBT穩態輸出特性及其工作原理
IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。
2023-07-13 10:34:40538
538
MOS管基礎知識科普
半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管(FET)，簡稱場效應管。
2023-06-14 09:25:34269
269
IGBT基礎知識匯總
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。
2023-06-06 10:47:12275
275
MOS管基礎知識
半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管(FET)，簡稱場效應管。
2023-06-06 10:10:56181
181
功率模組OSRG測試什么
極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semiconductor
2023-05-31 09:39:49406
406IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發展的春天。
2023-05-18 09:51:581839
1839
igbt模塊的作用是什么
，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓
2023-05-17 15:09:122901
2901半導體IGBT功率器件封裝結構熱設計探討
三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:431029
1029
【干貨】電子元器件符號大全，快收藏?。ǜ綄嵨飯D）
，是電子電路的核心元件。狹義上的三極管指雙極型三極管，也是最基本最通用的三極管。廣義上的三極管有很多種，包括雙極型三極管、達林頓管、晶閘管等。貳晶閘管（可控硅）一
2023-04-03 09:39:594905
4905
電子元器件符號大全（附實物圖）
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大的作用，是電子電路的核心元件。狹義上的三極管指雙極型三極管，也是最基本最通用的三極管。廣義上的三極管有很多種，包括雙極型三極管、達林頓管、晶閘管等。
2023-03-25 10:04:407180
7180IGBT基礎知識匯總！
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優點。
2023-03-02 09:06:11968
968IGBT主要參數與應用特點
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復合而成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，特別是50OV以上應用中的功率損失相當低。
2023-02-26 11:13:203928
3928從四方面盤點國內IGBT企業
IGBT ，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置
2023-02-24 10:28:320
0柵極驅動參數對IGBT開通的影響
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場效應管組成的復
合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2023-02-23 09:52:070
0IGBT的等效電路
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2023-02-22 16:53:472345
2345
如何證明IGBT模塊是功率半導體
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業青睞，甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET（絕緣柵型場效應管）及BJT（雙極型三極管）兩類器件優勢，開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小、導通電壓低、通態電流大、損耗小，在高壓、大電流、高速等方面同樣優勢明顯。
2023-02-22 14:22:50182
182三極管的定義、特性曲線及應用
三極管的定義：一種控制電流的半導體器件(也稱半導體三極管、雙極型三極管、晶體三極管)。 其屬于半導體主動元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。 三極管是在一塊半導體
2023-02-21 14:34:361180
1180
IGBT的結構簡述 IGBT驅動電路的作用及基本特點
IGBT，中文名稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優點。
2023-02-20 17:21:122951
2951
三極管的定義、結構及檢測方法
三極管一種控制電流的半導體器件(也稱半導體三極管、雙極型三極管、晶體三極管)。其屬于半導體主動元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。三極管是在一塊半導體基片上
2023-02-17 16:26:183073
3073
IGBT管的結構 IGBT管的注意事項
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導體器件。是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優點。
2023-02-17 16:14:20385
385IGBT的基礎知識
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優點。
2023-02-16 16:44:56728
728
場效應三極管的型號命名方法
`場效應三極管的型號命名方法<br/> 現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結型場效應管，O代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表 材料
2009-04-25 15:42:55
IGBT的主要應用領域有哪些
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型
2023-02-09 17:42:45736
736IGBT工作原理/主要參數/特性曲線/選型/應用
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優點。
2023-02-08 09:51:371999
1999IGBT是干嘛的_igbt損壞現象
IGBT中文翻譯為：絕緣柵雙極型晶體管。是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成，兼具了這二者的優點：高輸入阻抗和低導通壓降，也就是“驅動功率小而飽和壓降低”。這樣的優點使IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統中。
2023-02-07 16:29:343632
3632
IGBT是MOS管和晶體管組成的？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型功率管的簡稱，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件
2022-10-19 17:11:181970
1970什么是IGBT功率半導體，IGBT應用領域有哪些？
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業青睞，甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優勢，開關速度快、輸入阻抗高、控制功率
2022-09-27 11:36:06619
619
NPN雙極型三極管的形成原理是什么
集成電路中用到的元件結構和分立元件的單管結構不同，例如二極管（PN結），雖有單向導電性，但是不能用于集成電路，集成電路中的結構要復雜的多。
2022-08-20 12:00:102068
2068
功率MOSFET的基礎知識
之類的應用，我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過 Bardeen &Brattain，是他們偶然之間發明了三極管，就像許多其它偉大的發現一樣。
2022-07-08 14:09:3512978
12978變頻電源IGBT的三大主要安全區在哪里
變頻電源內部IGBT就是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管，組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。因為IGBT一般都是與反并聯的快速二極管封裝在一起，制成模塊，然后才成為導體器件。中港揚盛的變頻
2022-01-06 11:27:203
3IGBT主要廠商（國產與國外），附其產業鏈報告
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導...
2021-12-17 18:21:512
2IGBT總結
IGBT的內部結構及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-09 10:36:05110
110IGBT的工作原理與結構參數及短路特性
IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。IGBT兼有兩種器件的優點，電壓控制驅動，通流能力強，頻率最高可使用到100KHz，是中頻段理想的功率器件。
2021-04-13 18:24:377660
7660
雙極型三極管放大電路的三種基本組態的學習課件免費下載
本文檔的主要內容詳細介紹的是雙極型三極管放大電路的三種基本組態的學習課件免費下載包括了：共集電極放大電路，共基極放大電路，三種基本組態的比較
2020-12-15 08:00:0020
20MOS場效應管的基本知識點詳細說明
半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。
2020-11-14 11:31:264080
4080多芯并聯封裝IGBT的缺陷以及失效先導的判據
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是由雙極型三極管（Bipolar Junction Transistor, BJT）和絕緣柵型
2020-04-20 22:15:193598
3598
半導體的特性和半導體二極管的詳細資料說明
本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體的特性和半導體二極管的詳細資料說明包括了：半導體的特性，半導體二極管，雙極型三極管(BJT)，場效應三極管
2019-09-16 08:00:0018
18模擬電路教程之半導體器件的詳細資料說明
本文檔的主要內容詳細介紹的是模擬電路教程之半導體器件的詳細資料說明包括了：1.半導體的特性，2.半導體二極管，3.雙極型三極管(BJT)，4.場效應三極管。
2019-06-21 08:00:0013
13IGBT介紹
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2019-03-06 16:17:2185877
85877絕緣柵型場效應管實用檢測方法與技巧
絕緣柵型場效應管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在導通電阻、開關速度、噪聲及抗干擾能力等方面較雙極型三極管均有著明顯的優勢。
2019-02-06 18:22:003142
3142
場效應管與雙極型三極管有什么區別詳細比較資料說明
場效應管與雙極型三極管的比較：1、普通三極管參與導電的，既有多數載流子，又有少數載流子，故稱為雙極型三極管；而在場效應管中只是多子參與導電，故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大
2019-01-22 08:00:0048
48技術分享：認識晶體管
晶體管原理及應用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號
2019-01-16 13:45:163298
3298采用2SD315AI-33模塊實現高性能的IGBT驅動保護電路的設計
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型功率管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2018-12-12 09:22:0011118
11118
IGBT的結構與工作原理詳解
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2018-06-28 09:51:43152444
152444
igbt和可控硅的區別
可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2018-01-26 13:54:5938446
38446
什么是igbt模塊_igbt起什么作用
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大
2018-01-26 13:43:0248910
48910
igbt模塊怎么測量好壞
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大
2017-12-14 16:21:1169099
69099igbt的使用方法
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2017-12-14 15:25:4014834
14834三相逆變器系統隔離式IGBT柵極驅動器評估平臺
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2017-06-01 08:38:169
9場效應管和IGBT的區別，IGBT所有型號大全
IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件， 兼有
2017-05-14 11:10:5333950
33950
晶體管的主要參數與晶體管的開關特效
晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關。
2017-05-11 15:54:464467
4467
IGBT的工作特性與IGBT的檢測
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2017-05-10 16:37:304519
4519
IGBT淺析，IGBT的結構與工作原理
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2017-05-03 10:15:387642
7642什么是IGBT？如何使用此模塊實現“雙面水冷”，IGNT未來的發展趨勢又是如何？
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2017-04-27 08:49:458391
8391IGBT應用電子電路設計集錦—電路精選（48）
GBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2017-02-04 15:07:4918657
18657
場效應管與雙極型三極管的比較
2013-08-20 18:29:3388
88全方位了解IGBT的基礎知識
有關IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
2013-04-16 10:04:544452
4452
IGBT模塊系列
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通
2012-09-21 09:39:58583
583雙極型三極管的高頻小信號模型
2012-08-31 15:25:1326
26雙極型三極管對管驅動電路
驅動電路由緩沖器U、電阻R2 、R3 及1 對小功率開關三極管對管B1 、B2 組成。當控制信號為低電平時,同向緩沖器U 輸出低電平, a 點電位為低電位,雙極型三極管B1 、B2對管的基極電位為低電
2012-04-17 15:41:2714978
14978
IGBT特性及模塊選擇
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT
2010-07-29 11:53:231768
1768模擬開關電路概述
模擬開關電路概述
模擬開關電路即對模擬信號進行“通/斷”（ON/OFF）控制的電路，現在一般由晶體管（二極管、雙極型三極管、場效應管等）作為開關器件
2010-05-24 10:55:143515
3515什么是結型場效應管JFET
什么是結型場效應管JFET
場效應管是通過改變外加電壓產生的電場強度來控制其導電能力的半導體器件。
它不僅具有雙極型三極管的體積小,
2010-03-05 15:37:1116508
16508絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:028718
8718
BJT(雙極型三極管)噪聲的主要來源？
BJT(雙極型三極管)噪聲的主要來源？
BJT的噪聲主要有三種： （1）熱噪聲：由于載流子不規則的熱運動通過BJT內的體電
2009-04-22 20:48:443808
3808
工商網監
評論