基本的BJT反相器的動(dòng)態(tài)性能

　　BJT開關(guān)速度受到限制的原因主要是由于BJT基區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)電荷的影響，電荷的存入和消散需要一定的時(shí)間。
　　考慮到負(fù)載電容C_L的影響后基本反相器將成為如下圖所示的電路
。圖中C_L包含了門電路之間的接線電容以及門電路的輸入電容。

　　當(dāng)反相器輸出電壓v_O由低向高過渡時(shí) ，電路由V_CC通過R_c對(duì)C_L充電。
　　當(dāng)v_O由高向低過渡時(shí)，C_L又將通過BJT放電。
　　這樣，C_L的充、放電過程均需經(jīng)歷一定的時(shí)間，這必然會(huì)增加輸出電壓v_O波形的上升時(shí)間和下降時(shí)間。特別是C_L充電回路的時(shí)間常數(shù)R_cC_L較大時(shí)，v_O上升較慢，即增加了上升時(shí)間。
　　基于器件內(nèi)部和負(fù)載電容的影響 ，導(dǎo)致基本BJT反相器的開關(guān)速度不高。
　　尋求更為實(shí)用的TTL電路結(jié)構(gòu)，是下面所要討論的問題。