模擬電路網絡課件 第十七節:結型場效應管
4.1 結型場效應管
4.1.1 結型場效應管的結構與工作原理
一、結型場效應管的結構
如圖1(a)所示,在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P+區,就形成兩個不對稱的P+N結,即耗盡層。把兩個P+區并聯在一起,引出一個電極g,稱為柵極,在N型半導體的兩端各引出一個電極,分別稱為源極s和漏極d。它們分別與三極管的基極b、發射極e和集電極c相對應。夾在兩個P+N結中間的N區是電流的通道,稱為導電溝道(簡稱溝道)。這種結構的管子稱為N溝道結型場效應管,它在電路中用圖1(b)所示的符號表示,柵極上的箭頭表示柵-源極間的P+N結正向偏置時,柵極電流的方向(由P區指向N區)。
?N溝道JFET的結構剖面圖
圖2
如果在一塊P型半導體的兩邊各擴散一個高雜質濃度的N+區,就可以制成一個P溝道的結型場效應管。圖2給出了這種管子的結構示意圖和它在電路中的代表符號。
由結型場效應管代表符號中柵極上的箭頭方向,可以確認溝道的類型。
二、工作原理
N溝道和P溝道結型場效應管的工作原理完全相同,現以N溝道結型場效應管為例,分析其工作原理。
N溝道結型場效應管工作時,需要外加如圖1所示的偏置電壓(鼠標單擊圖1中“結型場效應管的工作原理”),即在柵-源極間加一負電壓(vGS<0),使柵-源極間的P+N結反偏,柵極電流iG≈0,場效應管呈現很高的輸入電阻(高達108W左右)。在漏-源極間加一正電壓(vDS>0),使N溝道中的多數載流子電子在電場作用下由源極向漏極作漂移運動,形成漏極電流iD。iD的大小主要受柵-源電壓vGS控制,同時也受漏-源電壓vDS的影響。因此,討論場效應管的工作原理就是討論柵-源電壓vGS對溝道電阻及漏極電流iD的控制作用,以及漏-源電壓vDS對漏極電流iD的影響。(再單擊圖1中“結型場效應管的工作原理”,并分別單擊其下方的三排熱字)
詳細說明:
1.vGS對溝道電阻及iD的控制作用
?
(a)? vGS=0的情況????????????????????? ?(b)? VP ? (c)? vGS≤VP 圖2 圖2所示電路說明了vGS對溝道電阻的控制作用。為便于討論,先假設漏-源極間所加的電壓vDS=0。當柵-源電壓vGS=0時,溝道較寬,其電阻較小,如圖2(a)所示。當vGS<0,且其大小增加時,在這個反偏電壓的作用下,兩個P+N結耗盡層將加寬。由于N區摻雜濃度小于P+區,因此,隨著|vGS| 的增加,耗盡層將主要向N溝道中擴展,使溝道變窄,溝道電阻增大,如圖2(b)所示。當|vGS| 進一步增大到一定值|VP| 時,兩側的耗盡層將在溝道中央合攏,溝道全部被夾斷,如圖2(c)所示。由于耗盡層中沒有載流子,因此這時漏-源極間的電阻將趨于無窮大,即使加上一定的電壓vDS,漏極電流iD也將為零。這時的柵-源電壓稱為夾斷電壓,用VP表示。
上述分析表明,改變柵源電壓vGS的大小,可以有效地控制溝道電阻的大小。若同時在漏源-極間加上固定的正向電壓vDS,則漏極電流iD將受vGS的控制,|vGS|增大時,溝道電阻增大,iD減小。上述效應也可以看作是柵-源極間的偏置電壓在溝道兩邊建立了電場,電場強度的大小控制了溝道的寬度,即控制了溝道電阻的大小,從而控制了漏極電流iD的大小。 2.vDS對iD的影響 (a)vDS (c)vDS>vGS-VP的情況 圖3 設vGS值固定,且VP 在vDS較小時,它對iD的影響應從兩個角度來分析:一方面vDS增加時,溝道的電場強度增大,iD隨著增加;另一方面,隨著vDS的增加,溝道的不均勻性增大,即溝道電阻增加,iD應該下降,但是在vDS較小時,溝道的不均勻性不明顯,在漏極附近的區域內溝道仍然較寬,即vDS對溝道電阻影響不大,故iD隨vDS增加而幾乎呈線性地增加。隨著vDS的進一步增加,靠近漏極一端的P+N結上承受的反向電壓增大,這里的耗盡層相應變寬,溝道電阻相應增加,iD隨vDS上升的速度趨緩。 當vDS增加到vDS=vGS-VP,即vGD=vGS -vDS=VP(夾斷電壓)時,漏極附近的耗盡層即在A點處合攏,如圖3(b)所示,這種狀態稱為預夾斷。與前面講過的整個溝道全被夾斷不同,預夾斷后,漏極電流iD≠0。因為這時溝道仍然存在,溝道內的電場仍能使多數載流子(電子)作漂移運動,并被強電場拉向漏極。若vDS繼續增加,使vDS>vGS-VP,即vGD<VP時,耗盡層合攏部分會有增加,即自A點向源極方向延伸,如圖3(c),夾斷區的電阻越來越大,但漏極電流iD卻基本上趨于飽和,iD不隨vDS的增加而增加。因為這時夾斷區電阻很大,vDS的增加量主要降落在夾斷區電阻上,溝道電場強度增加不多,因而iD基本不變。但當vDS增加到大于某一極限值(用V(BR)DS表示)后,漏極一端P+N結上反向電壓將使P+N結發生雪崩擊穿,iD會急劇增加,正常工作時vDS不能超過V(BR)DS。 從結型場效應管正常工作時的原理可知:① 結型場效應管柵極與溝道之間的P+N結是反向偏置的,因此,柵極電流iG≈0,輸入阻抗很高。② 漏極電流受柵-源電壓vGS控制,所以場效應管是電壓控制電流器件。③ 預夾斷前,即vDS較小時,iD與vDS間基本呈線性關系;預夾斷后,iD趨于飽和。 P溝道結型場效應管工作時,電源的極性與N溝道結型場效應管的電源極性相反。 4.1.2 結型場效應管的曲線及參數 詳細文字說明: 由于結型場效應管的柵極輸入電流iG≈0,因此很少應用輸入特性曲線,常用的特性曲線有輸出特性曲線和轉移特性曲線。 1.輸出特性曲線 輸出特性曲線用來描述vGS取一定值時,電流iD和電壓vDS間的關系,即 它反映了漏-源電壓vDS對iD的影響。 圖1是一個N溝道結型場效應管的輸出特性曲線。由此圖可見,結型場效應管的工作狀態可劃分為四個區域。 ???? ????????????? 圖1 (1) 可變電阻區 可變電阻區位于輸出特性曲線的起始部分,它表示vDS較小、管子預夾斷前,電壓vDS與漏極電流iD間的關系。 在此區域內有VP<vGS≤0,vDS<vGS-VP。當vGS一定,vDS較小時,vDS對溝道影響不大,溝道電阻基本不變,iD與vDS之間基本呈線性關系。若?| vGS | 增加,則溝道電阻增大,輸出特性曲線斜率減小。所以,在vDS較小時,源-漏極間可以看作是一個受vGS控制的可變電阻,故稱這一區域為可變電阻區。這一特點常使結型場效應管被作為壓控電阻而廣泛應用。 (2) 飽和區(也稱恒流區) 當VP<vGS≤0且vDS≥vGS-VP時,N溝道結型場效應管進入飽和區,即圖中特性曲線近似水平的部分。它表示管子預夾斷后,電壓vDS與漏極電流iD間的關系。飽和區的特點是iD幾乎不隨vDS的變化而變化,iD已趨于飽和,但它受vGS的控制。 增加,溝道電阻增加,iD減小。場效應管作線性放大器件用時,就工作在飽和區。
應當指出,圖1中左邊的虛線是可變電阻區與飽和區的分界線,是結型場效應管的預夾斷點(vDS=vGS-VP)的軌跡。顯然,預夾斷點隨vGS改變而變化,vGS愈負,預夾斷時的vDS越小。 (3) 擊穿區 管子預夾斷后,若vDS繼續增大,當柵-漏極間P+N結上的反偏電壓vGD增大到使P+N結發生擊穿時,iD將急劇上升,特性曲線進入擊穿區。管子被擊穿后再不能正常工作。 (4) 截止區(又稱夾斷區) 當柵-源電壓 ≥ 時,溝道全部被夾斷,iD≈0,這時場效應管處于截止狀態。截止區處于輸出特性曲線圖的橫座標軸附近(圖1中未標注)。 2. 轉移特性曲線 轉移特性曲線用來描述vDS取一定值時,iD與vGS間的關系的曲線,即 它反映了柵-源電壓vGS對iD的控制作用。 由于轉移特性和輸出特性都是用來描述vGS、vDS及iD間的關系的,所以轉移特性曲線可以根據輸出特性曲線繪出。作法如下:在圖1所示的輸出特性中作一條vDS=10V的垂線,將此垂線與各條輸出特性曲線的交點A、B和C所對應的iD、vGS的值轉移到iD-vGS直角坐標系中,即可得到轉移特性曲線 ,如圖2(a)所示。 (a)vDS=10V時的轉移特性曲線 (b)vDS取不同值時的轉移特性曲線 圖2 改變vDS的大小,可得到一族轉移特性曲線,如圖2(b)所示。由此圖可以看出,當vDS≥ (圖中為vDS≥5V)后,不同vDS下的轉移特性曲線幾乎重合,這是因為在飽和區內iD幾乎不隨vDS而變。因此可用一條轉移特性曲線來表示飽和區中iD與vGS的關系。在飽和區內iD可近似地表示為 (VP<vGS≤0) (5.1.1) 式中IDSS為vGS=0,vDS≥ 時的漏極電流,稱為飽和漏極電流。 3、主要參數 (1). 夾斷電壓VP 當vDS為某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小電流(例如50mA)時,柵-源極間所加的電壓即夾斷電壓。 (2). 飽和漏極電流IDSS 在vGS=0的條件下,場效應管發生預夾斷時的漏極電流。 IDSS是結型場效管管子所能輸出的最大電流。 (3). 直流輸入電阻RGS 它是在漏-源極間短路的條件下,柵-源極間加一定電壓時,柵-源極間的直流電阻。 (4). 低頻跨導gm 當vDS為常數時,漏極電流的微小變化量與柵-源電壓vGS的微小變化量之比為跨導,即???????????????????????? ????????????????????????? ???????? ????????? gm反映了柵-源電壓對漏極電流的控制能力,是表征場效應管放大能力的一個重要參數。單位為西門子(s),有時也用ms或μs表示。需要指出的是,gm與管子的工作電流有關,iD越大,gm就越大。在放大電路中,場效應管工作在飽和區(恒流區),gm可由式和 (5). 輸出電阻rd 當vGS為常數時,漏-源電壓的微小變化量與漏極電流iD的微小變化量之比為輸出電阻rd,即 ? rd反映了漏-源電壓vDS對iD的影響。在飽和區內,iD幾乎不隨vDS而變化,因此,rd數值很大,一般為幾十千歐~幾百千歐。 (6). 極間電容Cgs、Cgd、Cds Cgs是柵-源極間存在的電容,Cgd是柵-漏極間存在的電容。它們的大小一般為1~3pF,而漏-源極間的電容Cds約為0.1~1pF。在低頻情況下,極間電容的影響可以忽略,但在高頻應用時,極間電容的影響必須考慮。 (7). 最大漏-源電壓V(BR)DS 指管子溝道發生雪崩擊穿引起iD急劇上升時的vDS值。V(BR)DS的大小與vGS有關,對N溝道而言,|vGS|的值越大,則V(BR)DS越小。 (8). 最大柵-源電壓V(BR)GS 指柵-源極間的PN結發生反向擊穿時的vGS值,這時柵極電流由零而急劇上升。 (9). 漏極最大耗散功率PDM 漏極耗散功率PD(=vDSiD)變為熱能使管子的溫度升高,為了限制管子的溫度,就需要限制管子的耗散功率不能超過PDM。PDM的大小與環境溫度有關。 除了以上參數外,結型場效應管還有噪聲系數,高頻參數等其他參數。結型場效應管的噪聲系數很小,可達1.5dB以下。
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