在實(shí)際的硬件電路設(shè)計(jì)中，初學(xué)者可能會(huì)有一些疑問(wèn)，下面就電阻電容等的選擇的一些疑問(wèn)解答，供大家分享。

[問(wèn)]：

1、電阻電容的封裝形式如何選擇，有沒(méi)有什么原則？比如，同樣是 104 的電容有 0603、0805 的封裝，同樣是 10uF 電容有 3216、0805、3528 等封裝形式，選擇哪種封裝形式比較合適呢？

2、有時(shí)候兩個(gè)芯片的引腳(如芯片A 的引腳 1,芯片B 的引腳 2)可以直接相連，有時(shí)候引腳之間(如A-1 和 B-2)之間卻要加上一片電阻，如 22歐，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？這個(gè)電阻有什么作用？電阻阻值如何選擇？

3、藕合電容如何布置？有什么原則？是不是每個(gè)電源引腳布置一片 0.1μF？有時(shí)候看到 0.1μF 和 10μF 聯(lián)合起來(lái)使用，為什么？

4、所謂 5V TTL 器件、5V CMOS 器件是指什么含義？是不是說(shuō)該器件電源接上 5V，其引腳輸出或輸入電平就是 5V TTL 或者 5v CMOS？

[答]：
1、電阻電容的封裝與元件的規(guī)格有關(guān)，簡(jiǎn)而言之，對(duì)于電阻，封裝與阻值（容值）和功率有關(guān)，功率越大，封裝尺寸越大；對(duì)于電容，封裝與容值和耐壓有關(guān)，容值和耐壓越高，封裝尺寸越大。經(jīng)驗(yàn)之談，0603 封裝的電容，容值最大為 225（2.2μF），10μF 的電容，應(yīng)該沒(méi)有 0805 的封裝，而 3216，3528 的封裝與耐壓和材料有關(guān)，建議你根據(jù)具體元件參考相應(yīng)的 Datasheet。

2、在芯片的引腳連線之間串入電阻，多見(jiàn)于信號(hào)傳輸上，電阻的作用是防止串?dāng)_，提高傳輸成功率，有時(shí)也用來(lái)作為防止浪涌電流。電阻值一般較小，低于 100 歐姆。

3、藕合電容應(yīng)盡可能靠近電源引腳。耦合電容在電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是蓄能電容，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當(dāng)于濾紋波，故又稱為去藕。另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲，故又稱為旁路。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦電容有 5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約在 7MHz 左右，也就是說(shuō)，對(duì)于 10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì) 40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。0.1μF、10μF 的電容并聯(lián)使用，共振頻率在 20MHz 以上，去除高頻噪聲的效果要好一些，較好的兼顧了去藕和旁路。經(jīng)驗(yàn)上，每 10 片左右 IC 要加一片 1 個(gè)耦合電容，可選 1μF 左右。最好不用鋁電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的，這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用，可按 C="1"/F， 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。

4、泛泛地講，5V TTL 器件和 5V CMOS 器件統(tǒng)稱為 5V 器件，可以講該器件電源接上 5V，其引腳輸出或輸入電平就是 5V TTL 或者 5V CMOS。但 TTL 和 CMOS 器件由于材料的不同，導(dǎo)致其驅(qū)動(dòng)能力、功耗、上升時(shí)間、開(kāi)關(guān)速度等參數(shù)迥異，分別適用不同的場(chǎng)合。

[問(wèn)]：

1、我是剛學(xué)習(xí)單片機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的，感覺(jué)有很多地方都是按經(jīng)驗(yàn)值來(lái)選擇電阻電容的。比如，去藕電容一般是 0.1μF，上下拉電阻一般是 4.7K--10K，晶振起振電路電容好像一般為 22pF；還有，電阻的封裝選擇說(shuō)是要按功率來(lái)說(shuō)，可是怎么計(jì)算具體需要多大功率的電阻呢?我看很多設(shè)計(jì)中好像就是經(jīng)驗(yàn)，大多使用 0805 或者 0603，電容好像也差不多，耐壓電壓稍微選大點(diǎn)應(yīng)該就沒(méi)問(wèn)題？

2、USB插座電路，有一個(gè)電容：0.01μF/2KV，有這么高的耐壓電壓電容嗎？為什么在這里需要使用這么高的耐壓電容？

3、何謂扇入、扇出、扇入系數(shù)及扇出系數(shù)？


[答]：
1、關(guān)于電容的選擇，與頻率關(guān)系較為密切。以晶振的匹配電容為例，主要用來(lái)匹配晶體和振蕩電路使電路易于啟振并處于合理的激勵(lì)態(tài)下，對(duì)頻率也有一定的“微調(diào)”作用，若頻率為 11.0592MHz，則該電容取30pF；當(dāng)頻率為 22.0184MHz，則取 22pF。另外，上拉電阻一般取值是4.7--10K，而下拉電阻一般取值是 10K--100K。
至于電阻的額定功率的選擇，一般取 0.25W 或 0.125W，此時(shí)封裝多為 0805 或者 0603；但若用于電流檢測(cè)或限流作用時(shí)，需取 0.5W--3W，封裝尺寸肯定大了，3216，3528 都有可能。

2、0.01μF/2KV，多數(shù)為陶瓷電容或聚丙烯電容，應(yīng)是安規(guī)電容，用于電源濾波器，起EMC及濾波作用。所謂的安規(guī)電容，是指用于這樣的場(chǎng)合：即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全。

3、扇入系數(shù)，是指門(mén)電路允許的輸入端數(shù)目。一般門(mén)電路的扇入系數(shù) Nr 為 1--5，最多不超過(guò) 8。若芯片輸入端數(shù)多于實(shí)際要求的數(shù)目，可將芯片多余輸入端接高電平(+5V)或接低電平(GND)。扇出系數(shù)，是指一個(gè)門(mén)的輸出端所驅(qū)動(dòng)同類型門(mén)的個(gè)數(shù)，或稱負(fù)載能力。一般門(mén)電路的扇出系數(shù) Nc 為 8，驅(qū)動(dòng)器的扇出系數(shù) Nc 可達(dá) 25。Nc 表征了門(mén)電路的負(fù)載能力。