EFG-Procedure, Edgedefined Film Growth的縮寫。 用這個方法可以從硅中熔煉出8角形的管子, 棱長10厘米, 總長可以到5米,可以切割成10x10厘米晶片。優點是切割損耗少。

　　EG-Si, Elecronic Grade Silizium的縮寫, 用于芯片制作的高純度硅。

　　Electrolyte, 電解質。

　　Elektron, 電子。

　　Elektronen-Loch-Paar, 電子空穴對, 半導體吸收一個光子, 釋放出一個電子和一個空穴。

　　Enclosure, 包裝，防風雨模塊的保護。 例如玻璃，等材料。

　　EVA, Ethylen-Venyl-Acetat的縮寫。 封裝太陽能電池板的薄膜。

　　F

　　Fresnel lens:菲涅爾透鏡;用微分切割原理制成的薄板式透鏡。

　　FZ, float-zone-procedure的縮寫。

　　G

　　GaAs, Galllium Arsenid的縮寫。半導體, 被用于太陽能電池板時, 效率可達22%。

　　Geometrical concentrator ratio:幾何聚光率;聚光器面積與太陽電池面積之比叫幾何聚光率。

　　Grid, 太陽能電池板上的金屬導線。電阻越小越好, 這樣能量損失少。

　　H

　　Hole saw, 空穴鋸，空穴鋸是一個非常薄的金屬片，就像耳膜一樣薄，這個薄片在正中央有一個洞，它的邊緣使用金剛石刀。使用該薄片切割使損耗在0.2到0.3微米之間。

　　Hole, 空穴，正的帶電體，在半導體接收光照后，和電子同時出現的帶電體，一般成為空穴電子對。

　　Hot Spot, 熱點，在電池板部分被陰影遮擋時，被遮擋的單元不能發電同時有很大的電阻，對于串聯的電路會有很大的熱損耗，甚至燒壞該點的電池板。 為了避免此情況的發生，旁路二極管與各自的單元并聯。從而便免歐姆的熱損失。

　　I

　　I：電流的縮寫，國際單位為安培

　　Indium-Zinn-Oxid： 縮寫(ITO)， 銦鋅氧化物，透明的半導體，并具有很高的導電性，作為透明接觸層應用于對很薄的電池板單元或是彩色物質單元。

　　Ingo: 從多晶硅或是單晶硅提煉出的塊狀物。

　　Integrated serial switching：集成的串聯技術，在生產大面積的電池板時應用于薄膜技術。 在生產過程中大面積的電池板單元被激光束裁成單個的薄片，但是這個薄片的上表面要和鄰居薄片的下表面組成串聯。集成的串聯技術是除了節省材料外的一個重要優點的薄膜技術。

　　Intensity： 光照強度， 物理測量的單位面積的光照功率，單位是瓦特每平方米。

　　Intrinsic：描述一個沒有摻雜的半導體和一個摻雜半導體的對比。

　　Inverter：逆變器，將變化的MPP由太陽能電池板提供的直流電轉化為電網交流電的變頻器。

　　Ion： 離子，分正和負的原子或者分子，離子在電解液里起到導電的作用。

　　ISC：短路電流。

　　Island system：孤島系統，是不和大電網聯網，只是供自己使用的光伏系統，例如只是在山里或是小島上的光伏發電系統。

　　ITO：是銦銻氧化物的縮寫。

　　I-U-characteristic curve： 電池板I-U特征曲線，代表太陽能電池的典型特征。 在這里太陽能電池板的輸出的電壓和電流的關系。 從I-U-曲線里可以看出該電池板以下的特征：電池板最大利用率，短路電流，開路電壓，電池板效率等。

　　K

　　kT, 熱學能量(k= Boltzmann常數, 1.381x10-23 J/K, T = Kelvin絕對溫度)

　　kWh：千瓦時，能量的單位。1kW=1000瓦，是一千瓦的燈泡亮一個小時鎖消耗的能量。

　　kWp, peak：指的是最大的功率點，單位是千瓦，一般太陽能逆變器的功率就是指的是最大功率。

　　L

　　Laminate：一種薄片材料，來保護電池板芯片，例如EVA或Tedlar。 通過該物質將電池板芯片整個用透明的物質密封起來，一方面保護電池板芯片，另外一方面還要保持陽光的穿透力。

　　Light trapping： 光的增透，在光完全被電池板吸收前，進入電池板的光通過反射和內表面的阻礙，光的增透對薄層電池板有著非常特別的意義，表面處理技術起著重要的作用。

　　M

　　Majority charge carrier：多子，描述半導體里的帶電體，通常決定于摻雜的類型，例如在p型多子是空穴，n型多子則是電子。

　　Marginal cost payment time： 接收太陽能發電，向電網傳輸所獲的收益，因此到一定的是將將收回太陽能設備的投資成本，這段時間叫做成本收回時間。

　　Metal-Insolator-Silicon：縮寫MIS，金屬絕緣硅，這種電池板類型包含與傳統電池板的不同是沒有PN結，這個電荷分離功能滿足這里從打入銫原子的氧化硅里出來的電子反轉層。優點是簡化生產過程，不需要高溫來摻雜。

　　Minority charge carrier：少子，描述半導體里的帶電體，通常決定于摻雜的類型，例如在n型多子是空穴，p型多子則是電子。

　　Module effinciency：電池板模塊的效率。

　　Module rated power：額定功率，電池板最大可能的輸出功率，當太陽垂直照在電池板上時，單位為瓦特。

　　Module：電池板模塊，將很多的太陽能發電單元聯接，然后封閉后的電池板單元。之后可以靈活串聯并聯。

　　Mono crystal silicon： 單晶硅

　　Mono crystal Silicon：單晶硅，純凈的晶體硅

　　MPP (max power point)：最大功率點，在這個點上更具I-U曲線，電池板可以提供最大的功率，通過MPP的跟蹤和控制可以在各種情況下找到最大功率點從而使電池板的發電效率提高。

　　N

　　N-endowment：N摻雜。

　　Net coupling：聯網，太陽能發電裝置通過逆變器把太陽能轉化為電能輸送到電網上的過程，和電網聯網的發電裝置不需要電能的儲存。

　　O

　　Omic loss：歐姆損耗，電流通過電阻的損耗，電能變成了熱能。

　　Open circuit voltage：電池板開路電壓，當電池板沒有聯通負載時，或者說沒有電流流過時的正負極間的電壓，根據I-U曲線就是電流為零的那個點對應的電壓。

　　P

　　Passivation：失活性，在每一個半導體的表面都有一個打開的連接，因為它為下一個原子打開。這樣加速了帶電粒子的復合。最簡單的失活性的方法是在半導體的表面增添二氧化硅層。

　　P-endowment：p摻雜。

　　Performance Ratio：光伏系統的評判標準，是實際收益率除以理論收益率。

　　Photo- conductive effect:光電導效應 ;以導電率變化為特征的光電效應。

　　Photo effect： 光子效應，足夠的光能能從金屬的表面里打出電子，這和光電效應不可混淆，是兩個概念。

　　Photo electronics chemical solar cell： 光電子化學光電池板，這是以電解液為基礎，吸收光子，產生電子和空穴對，吸收光子是在敏感的表面層，在電解液里出現電荷流動。

　　Photon：光子，是以能量的形式并以光的速度運動，并且進入電池板內激發電子和空穴對的物質。

　　Photo-electric emission:光電發射;僅僅由于輻射能的射入而引起的電子發射。

　　Photo-electron:光電子;由光電效應放出的電子。

　　Photovoltaic effect： 光生伏特效應，簡稱“光伏效應”。指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。它首先是由光子(光波)轉化為電子、光能量轉化為電能量的過程;其次，是形成電壓過程。有了電壓，就像筑高了大壩，如果兩者之間連通，就會形成電流的回路。

　　Photovoltaik： 是一項技術，將太陽光轉換成為電能的一項技術。

　　Photo-voltaic concentrator array:聚光太陽電池方陣:由若干聚光電池組件組合在一起，構成的供電裝置叫聚光太陽電池方陣。

　　Photovoltaic concentrator array field:聚光太陽電池方陣場。 由一系列聚光太陽電池方陣組成的聚光光伏發電系統叫聚光太陽電池方陣場。

　　Photovoltaic concentrator module:聚光太陽電池組件。系指組成聚光太陽電池，方陣的中間組合體，由聚光器、太陽電池、散熱器、互連引線和殼體等組成。

　　PN junction： 采用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。

　　Polycrystalline silicon： 多晶硅，是主要的光伏材料，由連續的晶體組成，從幾微米到厘米級。生產多晶硅的方法是塊澆方法。

　　Polycrystalline silicon solar cell:多晶硅太陽電池。多晶硅太陽電池是以多晶硅為基體材料的太陽電池。