8、用好去耦電容。

　　好的高頻去耦電容可以去除高到1GHZ的高頻成份。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。設(shè)計(jì)印刷線路板時(shí)，每個(gè)集成電路的電源，地之間都要加一個(gè)去耦電容。去耦電容有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，提供和吸收該集成電路開門關(guān)門瞬間的充放電能；另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容為0.1uf的去耦電容有5nH分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦作用，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。

　　1uf，10uf電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻率噪聲的效果要好一些。在電源進(jìn)入印刷板的地方和一個(gè)1uf或10uf的去高頻電容往往是有利的，即使是用電池供電的系統(tǒng)也需要這種電容。

　　每10片左右的集成電路要加一片充放電電容，或稱為蓄放電容，電容大小可選10uf。最好不用電解電容，電解電容是兩層溥膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感，最好使用膽電容或聚碳酸醞電容。

　　去耦電容值的選取并不嚴(yán)格，可按C=1/f計(jì)算；即10MHz取0.1uf，對微控制器構(gòu)成的系統(tǒng)，取0.1~0.01uf之間都可以。

　　三、降低噪聲與電磁干擾的一些經(jīng)驗(yàn)。

　　能用低速芯片就不用高速的，高速芯片用在關(guān)鍵地方。

　　可用串一個(gè)電阻的辦法，降低控制電路上下沿跳變速率。

　　盡量為繼電器等提供某種形式的阻尼。

　　使用滿足系統(tǒng)要求的最低頻率時(shí)鐘。

　　時(shí)鐘產(chǎn)生器盡量靠近到用該時(shí)鐘的器件。石英晶體振蕩器外殼要接地。

　　用地線將時(shí)鐘區(qū)圈起來，時(shí)鐘線盡量短。

　　I/O驅(qū)動電路盡量靠近印刷板邊，讓其盡快離開印刷板。對進(jìn)入印制板的信號要加濾波，從高噪聲區(qū)來的信號也要加濾波，同時(shí)用串終端電阻的辦法，減小信號反射。

　　MCD無用端要接高，或接地，或定義成輸出端，集成電路上該接電源地的端都要接，不要懸空。

　　閑置不用的門電路輸入端不要懸空，閑置不用的運(yùn)放正輸入端接地，負(fù)輸入端接輸出端。 （10） 印制板盡量使用45折線而不用90折線布線以減小高頻信號對外的發(fā)射與耦合。

　　印制板按頻率和電流開關(guān)特性分區(qū)，噪聲元件與非噪聲元件要距離再遠(yuǎn)一些。

　　單面板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地、電源線、地線盡量粗，經(jīng)濟(jì)是能承受的話用多層板以減小電源，地的容生電感。

　　時(shí)鐘、總線、片選信號要遠(yuǎn)離I/O線和接插件。

　　模擬電壓輸入線、參考電壓端要盡量遠(yuǎn)離數(shù)字電路信號線，特別是時(shí)鐘。

　　對A/D類器件，數(shù)字部分與模擬部分寧可統(tǒng)一下也不要交叉。

　　時(shí)鐘線垂直于I/O線比平行I/O線干擾小，時(shí)鐘元件引腳遠(yuǎn)離I/O電纜。

　　元件引腳盡量短，去耦電容引腳盡量短。

　　關(guān)鍵的線要盡量粗，并在兩邊加上保護(hù)地。高速線要短要直。

　　對噪聲敏感的線不要與大電流，高速開關(guān)線平行。

　　石英晶體下面以及對噪聲敏感的器件下面不要走線。

　　弱信號電路，低頻電路周圍不要形成電流環(huán)路。

　　任何信號都不要形成環(huán)路，如不可避免，讓環(huán)路區(qū)盡量小。

　　每個(gè)集成電路一個(gè)去耦電容。每個(gè)電解電容邊上都要加一個(gè)小的高頻旁路電容。

　　用大容量的鉭電容或聚酷電容而不用電解電容作電路充放電儲能電容。使用管狀電容時(shí)，外殼要接地。