在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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串口RS-232/485輸入的數(shù)據(jù)透明存儲(chǔ)在SD卡中。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器采用模塊化設(shè)計(jì)，不需要用戶對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行改造，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品已廣泛使用于系統(tǒng)集成設(shè)備、自動(dòng)化采集設(shè)備、高校、研究所重要實(shí)驗(yàn)裝置
2012-11-20 14:00:52
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲(chǔ)芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
）是指在系統(tǒng)加電時(shí)，DSP將一段存儲(chǔ)在外部的非易失性存儲(chǔ)器的代碼移植到內(nèi)部的高速存儲(chǔ)器單元中去執(zhí)行。這樣既利用了外部的存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又充分發(fā)揮了DSP內(nèi)部資源的效能。盡管用戶代碼在
2011-07-08 11:10:56
DSP外接存儲(chǔ)器的控制方式對(duì)于一般的存儲(chǔ)器具有RD、WR和CS等控制信號(hào)，許多DSP（C3x、C5000）都沒(méi)有控制信號(hào)直接連接存儲(chǔ)器，一般采用的方式如下： 1.CS有地址線和PS、DS或STRB譯碼產(chǎn)生； 2./RD=/STRB+/R/W； 3./WR=/STRB+R/W。
2009-04-07 08:50:18
具體應(yīng)用情況:5509A DSP 的CE1空間外接了一個(gè)異步存儲(chǔ)器（FIFO），由DSP提供的異步讀時(shí)鐘 ARE 的頻率是怎么控制的呢？是主頻/(建立時(shí)間+選通時(shí)間+保持時(shí)間)嗎？當(dāng)然這三個(gè)時(shí)間可由
2015-01-13 20:33:46
FM18L08 - 256Kb 2.7-3.6V Bytewide FRAM Memory - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
各位高手，我在使用28335 SPI與FM25L256鐵電存儲(chǔ)器進(jìn)行調(diào)試時(shí)，用示波器能測(cè)DSp 28335的SPICLK引脈沖輸出，SPI_SIMO引腳上也有數(shù)據(jù)發(fā)送出來(lái)的脈沖，但是就是讀不到從
2014-06-14 10:33:27
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲(chǔ)器的分類(lèi)。問(wèn)題是，ROM明明叫只讀存儲(chǔ)器
2012-01-06 22:58:43
存儲(chǔ)器：用來(lái)存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等?！ ≈蛔x存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫(xiě)入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來(lái)存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲(chǔ)器：用來(lái)存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫(xiě)入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來(lái)存放
2017-12-21 17:10:53
概述：M6M80021L是日本三菱電機(jī)半導(dǎo)體（Mitsubishi Electric Semiconductor）早期出品的一款2048 bit電可擦寫(xiě)可編程EEPROM存儲(chǔ)器，主要用作于CRT彩色電視機(jī)中。
2021-04-09 07:32:00
概述：AT24C08是ATMEL公司出品的一款8192位的串行電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，每個(gè)存儲(chǔ)單元有1024字，每個(gè)字為8位。AT24C08系列芯片采用8引腳PDIP，8引腳JEDEC SOI
2021-04-06 08:35:58
flash存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換成鐵電存儲(chǔ),應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器，它沒(méi)有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
遠(yuǎn)高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中,數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,這就需要大容量的存儲(chǔ)器,而大容量的EEPROM性能指標(biāo)不是很高,尤其是擦寫(xiě)次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256在電能表中的使用,會(huì)提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
電子工程師的關(guān)注，在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中用FRAM實(shí)時(shí)保存數(shù)據(jù)的方法可使稅控機(jī)的數(shù)據(jù)更可靠，軟件編程更容易用性。 2.3 鐵電存儲(chǔ)器在電子道路收費(fèi)中的應(yīng)用 2.3.1 概述 電子道路收費(fèi)系統(tǒng)
2014-04-25 11:05:59
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
鐵電體比EEPROM讀寫(xiě)速度更快，且該芯片的接口是SPI接口，本質(zhì)上DSP的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，屬于SPI主從機(jī)數(shù)據(jù)交互。DSP做主機(jī)時(shí)會(huì)控制通信的時(shí)鐘，鐵電模塊FM25CL64作為從機(jī)是不能產(chǎn)生時(shí)鐘的。如果
2022-01-12 07:24:34
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性
2014-06-19 15:49:33
摘要：介紹鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說(shuō)明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
DMA控制器在DSP數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 DMA 控制器可以無(wú)需CPU 介入而在內(nèi)部存儲(chǔ)器、外部存儲(chǔ)器和芯片外設(shè)之間傳送數(shù)據(jù),其在DSP 系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用價(jià)值?；谝?b class="flag-6" style="color: red">DSP 芯片
2009-04-28 10:47:02
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
，與芯片系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)互通互連。外部存儲(chǔ)器始終被看作是 SL3 存儲(chǔ)器，并可在 L1 和 L2 中緩存。接下來(lái)的我們將探討在KeyStone 架構(gòu)中實(shí)現(xiàn)的各種性能增強(qiáng)。 存儲(chǔ)性能增強(qiáng) C66x
2011-08-13 15:45:42
你好，我用的是PIC18F450。我的程序太長(zhǎng)了。所以最終我的數(shù)據(jù)內(nèi)存的使用率達(dá)到了100%，我的程序內(nèi)存達(dá)到了13%。所以現(xiàn)在，我不能編譯我的程序。那么有沒(méi)有辦法使用程序存儲(chǔ)器代替數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器呢？謝謝。
2019-09-24 10:13:44
當(dāng)
系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作
系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作
系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（
電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊(cè)上的存儲(chǔ)器映像時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器并沒(méi)有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒(méi)有接觸過(guò)BOOTLOADER，十分不解，還請(qǐng)大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲(chǔ)器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫(xiě)次數(shù)百萬(wàn)次以上；支持的電壓最高不超過(guò)5.5V。很奇葩的要求啊，這個(gè)可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
Ramtron 鐵電存儲(chǔ)器（F-RAM)最近在中國(guó)開(kāi)始了他們的產(chǎn)品市場(chǎng)推廣活動(dòng)，前期的推廣中針對(duì)工程師有一個(gè)免費(fèi)申請(qǐng)樣片的機(jī)會(huì)，包括單片機(jī)的(VRS513074、VRS513074開(kāi)發(fā)板）F-RAM
2009-06-18 15:16:06
stm32擴(kuò)展鐵電存儲(chǔ)器FM16W08的程序怎么寫(xiě)？？有參考 的嗎讀寫(xiě)程序該怎么操作??！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫(xiě)入時(shí)間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
使用鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64B，通過(guò)SPI接口讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
大家可以看看終極存儲(chǔ)器啊！
2012-04-21 10:37:24
存儲(chǔ)器，顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解，本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)具有興趣，不妨繼續(xù)往下
2020-12-25 14:50:34
TMS320C32的外部存儲(chǔ)器接口的特點(diǎn) TMS320C32是一個(gè)32位微處理器，它可以通過(guò)24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號(hào)對(duì)外部存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)。其外部存儲(chǔ)器接口結(jié)構(gòu)如下圖l所示。 在圖l中
2019-06-14 05:00:08
我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類(lèi)型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
帶FRAM存儲(chǔ)器MSP430常見(jiàn)問(wèn)題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫(xiě)，它是非易失性存儲(chǔ)器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問(wèn)題，同時(shí)又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。鐵電存儲(chǔ)器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器
2019-04-28 09:57:17
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲(chǔ)器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
求購(gòu)原裝全新FM18L08[此貼子已經(jīng)被admin于2010-9-2 10:36:47編輯過(guò)]
2010-09-01 20:08:56
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類(lèi)型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
深圳坪山回收原裝單片機(jī) 回收個(gè)人存儲(chǔ)器深圳市科啟達(dá)電子科技有限公司成立至今已經(jīng)二十個(gè)年頭了，本公司有專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，回收工廠，個(gè)人，公司庫(kù)存呆滯電子呆料。如；二三極管，電容，電阻，鉭電容，連接器，發(fā)光管
2021-12-16 14:02:40
。 隨著PCM存儲(chǔ)單元壓縮，發(fā)生狀態(tài)改變的GST材料體積縮小，所以可使功耗變小或更高的寫(xiě)入性能。PCM技術(shù)的這種獨(dú)一無(wú)二的特性使得其縮放能力超越其它存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用嵌入式系統(tǒng)中
2018-05-17 09:45:35
怎樣去設(shè)計(jì)DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行燒寫(xiě)有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲(chǔ)器去設(shè)計(jì)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
各位工程師可以看看可能有很多人對(duì)這個(gè)牌子的存儲(chǔ)器還比較陌生看完之后想必就會(huì)了解了！
2012-04-20 09:42:02
TMS320C32的外部存儲(chǔ)器接口的特點(diǎn) TMS320C32是一個(gè)32位微處理器，它可以通過(guò)24位地址總線、32位數(shù)據(jù)總線和選通信號(hào)對(duì)外部存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)。其外部存儲(chǔ)器接口結(jié)構(gòu)如下圖l所示。 在圖l中
2019-06-12 05:00:08
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
存儲(chǔ)器相關(guān)的問(wèn)題是 DSP 應(yīng)用中非常普遍的問(wèn)題。本文介紹KeyStone I 系列 DSP 上一些存儲(chǔ)器測(cè)試的方法。{:4_95:}http://www.zgszdi.cn/soft/3/2014/20140717348554.html
2014-10-30 13:57:57
The FM18L08 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process.
2008-09-23 11:18:01
28 摘要：ＦＭ１８Ｌ０８是Ｒａｍｔｒｏｎ公司新近推出的一種新型鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器克服了ＥＥＰＲＯＭ和Ｆｌａｓｈ器件寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)少等缺點(diǎn)，而且價(jià)格
2009-01-12 12:49:1232 在一些需要下位機(jī)單獨(dú)工作的特殊場(chǎng)合（如民用“黑匣子”裝置和軍用彈載測(cè)試設(shè)備等），其數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ)和掉電不丟失特性就顯得非常關(guān)鍵。鐵電存儲(chǔ)器（ＦＲＡＭ）是Ｒａｍ
2009-01-12 12:52:1748 海爾3499(24C08)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:13:3316 海爾34F9B-TD(24C08)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-03 13:16:389 TCL 2175e 24C08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:17:2221 Tcl3416 24C08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:41:0038 TCL3418E(24C08)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:44:586 TCL 3418e 24c08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-11 16:06:046 TCL 3418E-08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-11 16:06:5616 TCL 3480GI-w08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-11 16:16:569 TCL At29192 24c08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:27:3011 TCL At2990 24c08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:41:2242 TCL AT3416U-08存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:44:5451 本文主要介紹了鐵電存儲(chǔ)器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲(chǔ)器不僅克服了EEPROM和Flash存儲(chǔ)器寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)少等缺點(diǎn)，而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫(xiě)保護(hù)功能，1MB
2010-12-03 16:29:3355
FM3116是Ramtron公司基于I2C的具有多種功能的鐵電存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)速度快，功耗低，非易失存儲(chǔ)等特點(diǎn)，提出了一種FM3116在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用設(shè)計(jì)，并給出基于FM3116
2010-12-16 15:43:0649 帶RTC的I2C總線鐵電存儲(chǔ)器芯片-FM31256
FM31256是一種基于I2C總線、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲(chǔ)芯片。除了非易失存儲(chǔ)器外，該器件還具有實(shí)時(shí)時(shí)鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103182 
如何選擇DSP芯片的外部存儲(chǔ)器？DSP的速度較快，為了保證DSP的運(yùn)行速度，外部存儲(chǔ)器需要具有一定的速度，否則DSP訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí)需要加入等待周期。
2009-04-07 08:45:071744 超大容量存儲(chǔ)器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用
摘 要： 新型超大容量Flash存儲(chǔ)器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu)，給出了存儲(chǔ)器與C8051F020單片機(jī)外部存儲(chǔ)器接口(EMIF
2010-01-12 09:51:112552 
介紹了一種新型鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64，同時(shí)還分析了TMS320VC5402D SP的SPI引導(dǎo)裝載模式，給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64的DSP脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，并且該方案已成功地應(yīng)用到一種
2011-09-21 17:04:1374 DSP的存儲(chǔ)器及IO空間，DSP最好的教程，沒(méi)有之一
2016-01-06 15:04:511 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā)存儲(chǔ)器，它結(jié)合了高性能和低功耗操作，能在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)低的缺點(diǎn)
2017-10-26 10:44:310 相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器，它沒(méi)有ＢＳＲＡＭ模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。ＦＲＡＭ不但克服了ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)低的缺點(diǎn)，同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池＋ＳＲＡＭ方案低很多。
2020-05-31 15:43:001115 
而在一些收集存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，系統(tǒng)的電壓可能變化不定或者突然斷電，FM20L08就是針對(duì)這些系統(tǒng)可以用來(lái)直接替換異步靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）而設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器，也是Ramtron現(xiàn)有的最大容量的鐵電存儲(chǔ)器
2021-03-29 14:36:232135 
引起的復(fù)雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。邏輯上將存儲(chǔ)器陣列組織為65，536×8位，并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI
2021-06-08 16:32:20938 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問(wèn)題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問(wèn)題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫(xiě)入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門(mén)禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車(chē)記錄儀、工業(yè)儀器等等。國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
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