1 前言

由于世界上日趨嚴(yán)重的能源危機(jī)，發(fā)光二極管（LED）作為一種高效率光源得到了高度重視，不僅消費(fèi)電子產(chǎn)品中的手機(jī)、PDA、液晶電視等的背光光源中已普遍應(yīng)用白光LED，在公共交通信號(hào)標(biāo)志，工業(yè)通信照明系統(tǒng)、汽車燈具以及用量巨大的普通工業(yè)與民用照明領(lǐng)域也將獲得廣泛應(yīng)用。作為光源，LED的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：節(jié)能、環(huán)保和長壽耐用。首先，LED的能耗理論上僅為白熾燈的10%，熒光燈的50%;在使用壽命方面，LED是利用固體發(fā)光，耐震、耐沖擊、不易破碎，預(yù)期壽命可達(dá)10萬小時(shí)。在環(huán)保方面，由于在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中不使用汞等易污染物，廢棄物可回收無污染。

LED應(yīng)用中的一個(gè)技術(shù)關(guān)鍵是提供與其特性相適應(yīng)的電源或驅(qū)動(dòng)電路。在照明應(yīng)用中，現(xiàn)今的高亮度白光LED的工作電流可達(dá)150mA~3A，導(dǎo)通壓降高達(dá)3~5V，以提供更高的亮度。由于功率的增加，傳統(tǒng)的電阻限流，線性調(diào)節(jié)，電荷泵的驅(qū)動(dòng)方法的效率受原理的限制已無法進(jìn)一步提高，PWM開關(guān)電源型的直流變換器就成為首選的LED驅(qū)動(dòng)解決方案。本文提出一種應(yīng)用于升壓LED驅(qū)動(dòng)電路的控制器的芯片，考慮到LED是典型的電流型器件，電流的波動(dòng)會(huì)影響其發(fā)光效率和色彩，而電流超過額定值將損害其壽命與可靠性。因此，在LED驅(qū)動(dòng)中電流模式控制具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。而且PWM控制技術(shù)發(fā)展至今，其電流控制模式也已發(fā)展出多種模式。相對(duì)于環(huán)路設(shè)計(jì)較為復(fù)雜的平均電流控制模式和電磁干擾問題較多的遲滯電流控制模式，峰值電流控制模式環(huán)路設(shè)計(jì)較為簡單，且可以有效地限制電流。

考慮到上述因素，芯片在設(shè)計(jì)中采用了峰值電流控制模式，并集成了斜坡補(bǔ)償電路，使之具有較寬的電壓工作范圍（3~16V）。本文首先給出了整個(gè)控制系統(tǒng)的建模與環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)，接下來針對(duì)LED調(diào)光的要求在傳統(tǒng)的峰值電流模式控制器模塊的基礎(chǔ)之上設(shè)計(jì)數(shù)字調(diào)光功能的模塊。第三部分介紹了芯片中的無采樣電阻的控制功能電路，實(shí)現(xiàn)直接通過采樣功率開關(guān)管漏源電壓，即Rds（on）采樣來采樣電流，減少了采樣電阻上的損耗，可以有效地提高系統(tǒng)的效率。最后給出控制芯片的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、版圖和各種模式下的測試結(jié)果。

2 系統(tǒng)建模與環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)

升壓型LED驅(qū)動(dòng)電路以及控制環(huán)路圖如圖1所示。通過電阻Rs1采樣負(fù)載LED電流輸入電壓誤差放大器（EA），誤差放大器的輸出經(jīng)過補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)輸出作為電流峰值比較器的基準(zhǔn)，電阻Rs2采樣開關(guān)管S1上的電流輸入比較器的正端，Ramp是峰值電流控制中的斜坡補(bǔ)償電流。時(shí)鐘信號(hào)CLK確定開關(guān)頻率與開關(guān)管的開通，當(dāng)電流信號(hào)大于設(shè)定的閾值時(shí)，比較器的輸出變高觸發(fā)邏輯電路翻轉(zhuǎn)開關(guān)管關(guān)斷。

圖1 升壓型LED驅(qū)動(dòng)電路控制圖

可建立如圖2所示的小信號(hào)模型電路。對(duì)于升壓型的功率級(jí)電路，利用狀態(tài)空間平均法可以得到原功率級(jí)兩個(gè)重要的傳遞函數(shù)Gvd（s），Gid（s）并根據(jù)圖中模型可以推導(dǎo)出輸出電壓對(duì)指令電流信號(hào)的等效功率級(jí)傳函Ap（s）。

圖2 峰值電流模式控制小信號(hào)模型

其中Fm=1/MaTs，F(xiàn)v=D‘’2Ts/2L，Ma是斜坡補(bǔ)償電流的斜率，L是濾波電感，Ts是開關(guān)周期，D是穩(wěn)態(tài)占空比。考慮整個(gè)環(huán)路的傳遞函數(shù)T（s）；

補(bǔ)償前的環(huán)路傳函幅相頻曲線如圖3中所示，系統(tǒng)有兩個(gè)極點(diǎn)（p1，p2），一個(gè)左半平面的零點(diǎn)z（輸出電容ESR引起），一個(gè)右半平面的零點(diǎn)z1.這里需要指出的是，如果沒有帶斜坡補(bǔ)償電路的電流反饋控制系統(tǒng)的引入，輸出LCR網(wǎng)絡(luò)決定環(huán)路系統(tǒng)是一個(gè)高Q值的系統(tǒng)，而電流反饋使得系統(tǒng)的Q值大大地減小，但右半平面的零點(diǎn)會(huì)提高穿越頻率并使得相位裕度更差。可以采用的補(bǔ)償方法是加入一個(gè)單零點(diǎn)單極點(diǎn)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)如圖3所示，Gc（s）表達(dá)式為，

圖3 補(bǔ)償前后系統(tǒng)開環(huán)頻率響應(yīng)

其中z2用來補(bǔ)償極點(diǎn)p1，坐標(biāo)原點(diǎn)的極點(diǎn)可以提高低頻的環(huán)路增益以較小直流穩(wěn)態(tài)誤差，p3抵消z1帶來的幅度增加，抑制接近開頻頻率的噪聲，最終的穿越頻率fc設(shè)定在開關(guān)頻率的1/10左右。最簡單的補(bǔ)償方法也可以采用單極點(diǎn)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，為保證相位裕度就會(huì)帶來缺點(diǎn)即環(huán)路的帶寬會(huì)更小，系統(tǒng)動(dòng)態(tài)響應(yīng)變慢。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用的升壓型的LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行建模并在MATLAB中仿真結(jié)果（如圖4所示），從仿真的結(jié)果看，環(huán)路在這種斜坡電流和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)下在穿越頻率附近的相位裕度大于45°，系統(tǒng)是穩(wěn)定的，與公式推算的結(jié)果基本相符。

圖4 MATLAB仿真結(jié)果

3 LED調(diào)光模式的設(shè)計(jì)

許多便攜式LED的應(yīng)用中都需要有調(diào)光的功能。例如LCD的背光應(yīng)用中，調(diào)光可以改變亮度和對(duì)比度。現(xiàn)今有兩種比較常用的調(diào)光方式：模擬調(diào)光和PWM調(diào)光。模擬調(diào)光通過反饋環(huán)路直接改變LED的電流實(shí)現(xiàn)發(fā)光亮度的調(diào)節(jié)，缺點(diǎn)是會(huì)帶來色彩漂移和發(fā)光效率的下降；PWM調(diào)光（PWM Dimming）通過保持流過LED的最大電流減小導(dǎo)通占空比來實(shí)現(xiàn)，如果要實(shí)現(xiàn)50%的亮度就要LED電流采用50%的占空比。需要注意的是PWM調(diào)光信號(hào)的頻率必須大于100Hz，以使人眼不會(huì)被發(fā)現(xiàn)燈的閃爍，而最大的PWM調(diào)光頻率由電源的啟動(dòng)時(shí)間或者響應(yīng)時(shí)間決定。在升壓型LED驅(qū)動(dòng)電路中增加了一個(gè)功率管串聯(lián)在LED支路上，所以對(duì)于控制器而言需要增加額外的驅(qū)動(dòng)電路，增加了系統(tǒng)的復(fù)雜程度，但換來的是真色彩的調(diào)光效果，所以現(xiàn)有的LED驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品中廣泛加入了PWM調(diào)光功能。典型的調(diào)光范圍可以由調(diào)光比（Dimming Ratio）來衡量，即調(diào)光PWM的周期與導(dǎo)通時(shí)間的比例，數(shù)值越大說明調(diào)光的能力越強(qiáng)。

圖5給出芯片在升壓型的應(yīng)用中PWM調(diào)光的控制圖。從圖中可以看出，外部的PWM信號(hào)控制與LED負(fù)載串聯(lián)的開關(guān)。利用運(yùn)放的外接補(bǔ)償電容CEAOUT，當(dāng)PWM信號(hào)為低電平時(shí)斷開運(yùn)放輸出端與補(bǔ)償電容的通路，維持電容上的電壓直到下個(gè)PWM周期。利用這種控制方法，當(dāng)開關(guān)頻率在700kHz，PWM頻率100Hz的情況下，最大的調(diào)光比可以達(dá)到3000 ∶ 1.

圖5 PWM調(diào)光控制圖

4 無采樣電阻模式的設(shè)計(jì)

利用功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds（on）作為采樣電阻的方法可以省去峰值電流采樣電阻Rs2，減少了不必要的功率損耗提高了整體的效率，同時(shí)減少了外圍的元器件和系統(tǒng)所占的空間，這種方式稱之為無采樣電阻模式。這種模式也存在一些問題：（1）當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，漏端的電壓可能會(huì)迅速升高，這就對(duì)電流峰值比較器提出了更高的抗高共模電壓的要求；（2）功率管的導(dǎo)通電阻會(huì)隨著電流和溫度的變化發(fā)生改變，會(huì)對(duì)設(shè)定的峰值電流閾值產(chǎn)生影響。對(duì)于一些特定的場合，第二個(gè)問題引入的誤差在可以允許的范圍內(nèi)時(shí)，這種模式還是有很好的應(yīng)用前景，對(duì)于高共模輸入最好最簡單的方法就是在關(guān)斷的同時(shí)切斷輸入的途徑，通過合理的開關(guān)切換和延時(shí)電路來實(shí)現(xiàn)。

無采樣模式的系統(tǒng)圖見圖6。采樣端通過比較器與7V基準(zhǔn)比較判斷是否工作于無采樣電阻模式，通過邏輯電路決定峰值比較器的輸入（IEN）、輸出（SEN）控制信號(hào)。邏輯信號(hào)Gd、Gfb分別是驅(qū)動(dòng)邏輯的輸出信號(hào)和最終驅(qū)動(dòng)功率管柵極信號(hào)的反饋。

圖6 無采樣模式模塊框圖

5 芯片版圖與測試

5.1 芯片結(jié)構(gòu)與版圖

控制器的結(jié)構(gòu)如圖7所示，主要模塊也標(biāo)注于圖中。

圖7 控制器芯片的模塊框圖

芯片有兩個(gè)基準(zhǔn)電路，基準(zhǔn)1用于欠壓鎖定比較器的基準(zhǔn)，基準(zhǔn)2（VREF）是一個(gè)精確度更高的電壓基準(zhǔn)用于誤差放大器、比較器等模塊電路。供電模塊主要包括一個(gè)7V（INTVCC）輸出的低壓差電壓調(diào)節(jié)器和3V（VDD）輸出的電壓調(diào)節(jié)器。運(yùn)算放大器是芯片核心的模塊之一，SP、SN作為運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端，OV采樣輸出電壓則是作為過壓或限壓的功能。其它諸如帶斜坡補(bǔ)償電路的振蕩器，分別用于開關(guān)管和調(diào)光管的驅(qū)動(dòng)電路，峰值電流以及過壓、過流比較器，邏輯單元電路等共同組成這個(gè)驅(qū)動(dòng)控制器芯片系統(tǒng)。本文提出的升壓型LED驅(qū)動(dòng)控制芯片在1.5μm BCD的工藝下仿真并流片測試，芯片的輸入電壓范圍為3~15V，圖8為芯片的顯微照片。

圖8 控制器芯片的顯微照片

5.2 芯片測試

設(shè)計(jì)升壓型LED驅(qū)動(dòng)電路的PCB測試版進(jìn)行不同工作模式下的測試，其中的主要外圍元件參數(shù)為：電感L=47μH，輸出電容C=20μF，采樣電阻Rs1=300 mΩ，Rs2=50mΩ。當(dāng)輸入電壓為5V，輸出電壓大約為24V（7個(gè)LED串聯(lián)）時(shí)，占空比超過80%.圖9為輸出典型波形圖。VOUT是輸出電壓，Iinduct是電感電流，Gate是功率管的驅(qū)動(dòng)電壓波形，在較大占空比時(shí)斜坡補(bǔ)償起到了很好的穩(wěn)定輸出的效果。

圖9 升壓型LED驅(qū)動(dòng)波形（占空比》80%）

圖10是PWM調(diào)光功能下的測試波形，輸入電壓為10V，輸出電壓為15V，調(diào)光的頻率為100Hz，調(diào)光比為3000:1.可以看到，LED的導(dǎo)通電流值幾乎不變，實(shí)現(xiàn)了前面所說的恒流PWM調(diào)光功能。

圖10 PWM調(diào)光模式波形（調(diào)光比3000:1）

對(duì)于選用的功率管的導(dǎo)通電阻Rds（on）=10mΩ（@VGS=7V），直接利用該電阻替代電流峰值檢測電阻RS2，測試的條件：輸入電壓5V，輸出電壓15V，開關(guān)頻率fS=320kHz，測試結(jié)果如圖11所示。

圖11 無采樣電阻模式波形

在升壓型驅(qū)動(dòng)電路測試中成功實(shí)現(xiàn)了無采樣電阻模式和PWM調(diào)光模式，測試結(jié)果充分驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方案的可行性。

6 結(jié)束語

本文提出了一種可用于升壓型白光LED驅(qū)動(dòng)的控制器芯片，采用峰值電流控制模式，與以往的LED驅(qū)動(dòng)控制器相比，有高達(dá)3000:1調(diào)光比的PWM調(diào)光和傳統(tǒng)的模擬調(diào)光方式，并可直接采用無電阻采樣模式，提高了系統(tǒng)的效率。芯片在1.5μm BCD工藝下流片并進(jìn)行測試取得了理想的結(jié)果，驗(yàn)證了電路的設(shè)計(jì)和仿真均達(dá)到了要求。
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