01

FSMC接口

FSMC是STM32F1提供的一個(gè)靜態(tài)存儲(chǔ)控制器，是MCU用來擴(kuò)展存儲(chǔ)器，可用來驅(qū)動(dòng)SRAM、Nor Flash、NAND Flash。這里先簡(jiǎn)單講解下這三種存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)合。

首先是SRAM，SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，SRAM的特性是掉電數(shù)據(jù)就丟失。外擴(kuò)SRAM的主要目的是因?yàn)镸CU自帶的RAM不夠用了才選擇外擴(kuò)，這樣才能讓程序有足夠的RAM空間運(yùn)行，簡(jiǎn)單理解就是電腦內(nèi)存小，不能同時(shí)開很多個(gè)軟件，需要再擴(kuò)內(nèi)存條后就能同時(shí)開很多軟件運(yùn)行。

然后是Nor Flash和NAND Flash，其實(shí)這兩者就相當(dāng)于我們電腦的硬盤，可以用來存文件或者各種資料數(shù)據(jù)，掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。至于設(shè)計(jì)中要使用Nor Flash還是NAND Flash，取決于使用目的，如果僅用來存數(shù)據(jù)，不做boot使用，且MCU帶NAND Flash控制器的話，那還是推薦選NAND Flash。

因?yàn)橄鄬?duì)于Nor Flash，NAND Flash更便宜，容量也大。如果MCU不帶NAND Flash控制器，或者其他特別要求，那就選Nor Flash。

02

SRAM電路設(shè)計(jì)

無論是SRAM、Nor Flash還是NAND Flash，在STM32F1系列產(chǎn)品中都是通過FSMC接口被訪問。我們?cè)赟TM32F1系列規(guī)格書的第36頁的Table 6可以看到FSMC對(duì)于不同訪問方式，對(duì)應(yīng)的引腳定義不一樣，所以無論在設(shè)計(jì)SRAM、Nor Flash或者NAND Flash電路時(shí)，建議仔細(xì)參考這個(gè)表格去連接對(duì)應(yīng)的信號(hào)。

首先我們看ST官方評(píng)估板MB672第6頁的U1，如下圖所示，U1是ISSI的一顆SRAM，信號(hào)可以分為數(shù)據(jù)信號(hào)、地址信號(hào)和控制信號(hào)，硬件設(shè)計(jì)時(shí)數(shù)據(jù)和地址信號(hào)按照定義對(duì)應(yīng)連接到MCU上即可。

剩下的是控制信號(hào)，CE為片選信號(hào)，接到FSMC_NE信號(hào)上，我們看到MCU有NE1到NE4，接到不同NE意味著地址不同，詳細(xì)可以在STM32F1系列規(guī)格書第39頁的Figure 7上看到，截圖如下圖所示。如上圖的官方設(shè)計(jì)接到的是NE3，意味著想要訪問外擴(kuò)的SRAM空間，地址范圍得是0x6800 0000 - 0x6BFF FFFF才能訪問到。

再看上面的參考電路，還剩下WE、OE、BLE和BHE四個(gè)控制信號(hào)沒連，WE和OE為寫使能和讀使能信號(hào)，BLE和BHE用來做掩碼控制的，因?yàn)閿?shù)據(jù)線寬度是16bit，有時(shí)只想修改或讀取高8bit或者想僅修改或讀取低8bit，就是通過控制BHE和BLE來實(shí)現(xiàn)。

了解上述的信號(hào)定義后，WE信號(hào)連接到FSMC_NWE，OE連接到FSMC_NOE，BLE連接到FSMC_NBL0，BHE連接到FSMC_NBL1上即可。

在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，選擇好MCU后，進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)時(shí)，對(duì)于很多總線連接方式，推薦盡可能的沿用官方提供的評(píng)估板連接方式連接，自行過多修改的話，軟件也會(huì)要修改很多，這樣容易帶來一個(gè)很大的問題，軟件工作量大，開發(fā)時(shí)間久且不可控，這樣不會(huì)帶來什么好的結(jié)果。

03

Nor Flash電路設(shè)計(jì)

參考ST官方評(píng)估板MB672第6頁的U2，U2是Cypress的一顆Nor Flash，主要信號(hào)也分為數(shù)據(jù)、地址和控制信號(hào)，芯片信號(hào)定義如下圖所示。跟SRAM的設(shè)計(jì)一樣，數(shù)據(jù)地址線按照信號(hào)定義依次對(duì)應(yīng)連接即可，然后是控制信號(hào)，Nor Flash的WE、RESET、RY/BY、OE、CE和BYTE，信號(hào)描述和連接方式如下。

WE: 寫控制信號(hào)，連接到FSMC_NWE上。

OE: 讀控制信號(hào)，連接到FSMC_NOE上。

CE: 片選信號(hào)，參考SRAM小節(jié)描述，可以連接至NE1至NE4，注意對(duì)應(yīng)地址范圍即可，官方參考設(shè)計(jì)連接至FSMC_NE2上。

RY/BY:Ready/Busy指示信號(hào)，連接至FSMC_NWAIT上即可。

RESET: 做RC上拉處理。

BYTE: 信號(hào)用于選擇數(shù)據(jù)位寬，低電平選擇DQ0-DQ7，高電平選擇DQ0-DQ15，這里直接拉高選擇DQ0-DQ15即可。

04

NAND Flash電路設(shè)計(jì)

NAND Flash和Nor Flash不一樣，沒有了地址線，只有控制信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)線，如下圖所示。

其實(shí)地址數(shù)據(jù)也是通過I/O0-I/O7進(jìn)行傳輸?shù)模缦聢D所示，圖為NAND512W3A2DN6E規(guī)格書的截圖資料，可以看出通過控制信號(hào)的不同組合，I/O0-I/O7傳輸?shù)臄?shù)據(jù)表示意義不同，有命令、地址、數(shù)據(jù)輸入/輸出。

有了上面的信息，我們只需要參考STM32F1XX規(guī)格書的第36頁的Table 6的引腳描述，一一對(duì)應(yīng)把NAND Flash信號(hào)連上即可。對(duì)于WP信號(hào)，WP是寫保護(hù)信號(hào)，這里用不到，參考規(guī)格書描述把它拉高不用。RB信號(hào)是Ready/Busy信號(hào)，跟Nor Flash一樣，連接至FSMC_NWAIT即可。