晶體管轉速計原理圖僅使用一個單一晶體管,這可能是最簡單的轉速計原理圖。
2012-03-16 11:39:24
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在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運電流的，P溝道FET是由空穴來搬運電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
場效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結構、原理可以分為：．接合型場效應管．MOS型場效應管★MOS型場效應管原 理 即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導體（S
2019-06-13 04:20:29
電路和放大倍數漏極接地電路（源極跟隨器）與晶體管的共集放大電路（射極跟隨器）相同。漏極接地電路中，漏極與電源VPS相連接（關于n溝道FET），通過電源接地，所以可以被看作為“漏極接地”電路。信號的放大
2017-04-19 15:53:29
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場效應管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區域位于源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場效應晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
第一部分 晶體管的工作原理 N型場效應管（N-Channel Field Effect Transistor，FET）是一種電極介質驅動的晶體管，通常用來將微弱的輸入信號增強到數千或數萬次。其
2023-03-08 14:21:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達到平衡。此時場效應管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因為此時電流基本不變。
以上是我對晶體管和場效應管的理解，如有問題請指正。
2024-01-18 16:34:45
100GHz以上。使用了晶體管以后，電子線路的結構大大改觀，進入了晶體管為代表的第二代電子計算機時代。1947年貝爾實驗室的肖克利等人發明了晶體管，又叫做三極管。下面兩圖是晶體管的產品照片和電路符號
2021-01-13 16:23:43
晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級電路對前級電路的影響和有些前級電路的輸出要求有較強的帶負載能力(即要求輸出阻抗較低)時,要用到緩沖電路,從而達到增強電路的帶負載能力和前后級阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13
場效應晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應管，是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件?？煞譃榻Y型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
示二進制的“0”和“1”。 源極和漏極之間是
溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，
溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產生，
晶體管處于關閉狀態?？梢园?/div>
2017-08-03 10:33:03
孔，按動相應的V（BR）鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。對于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發射極E與測試電路的A端、B端相連（PNP
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時吸合電路。剛接通電源時，16μF電容上電壓為零，兩個三極管都截止，繼電器不動作。隨著16μF電容的充電，過一段時間后，其上電壓達到高電平，兩個三極管都導通，繼電器延時吸合。延時時間可達60s。延時的時間長短可通過10MΩ電阻來調節。
2008-11-07 20:36:15
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設計，運算放大電路的設計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。本書面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識。1．1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫，是場效應晶體管 (FET) 的一種
2018-11-28 14:29:28
的縮寫，是場效應晶體管 (FET) 的一種。IGBT為Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。 Si晶體管的特征 下面就雙極晶體管、MOSFET、IGBT，匯總了
2020-06-09 07:34:33
自來水的閥門，從而調節水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領會這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構成的基極-發射極
2019-07-23 00:07:18
自來水的閥門，從而調節水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領會這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構成的基極-發射極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
編輯-Z場效應晶體管是一種電壓控制器件，根據場效應管的結構分為結型場效應（簡稱JFET）和絕緣柵場效應（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據導電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類還沒結束，每種類型的管子又可分為N型管和P型管，所以說場效應晶體管下面可以分為6種類型的管子，分別是N溝道結型場效應晶體管、P溝道結型場效應晶體管、N溝道增強型場效應晶體管、P溝道增強型
2019-04-15 12:04:44
溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。 場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一
2018-12-18 14:06:27
的復雜性，優點是減小柵源電容和增加晶體管寬度，缺點是寄生電阻增加。 π柵極和Ω柵極器件 π柵極（圖5）和Ω柵極（圖6）器件是通過加長溝道下方三柵極FinFET的側壁部分而形成的。這種布置將有效門數從
2023-02-24 15:20:59
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時，c和e之間沒有電流流動，三極管處于截止狀態。在圖（b）中，當正電壓輸入到NPN晶體管的b時，e的N區的負電子被b中P區的正電子吸引。 由于發電廠的作用，它們沖向（擴散
2023-02-15 18:13:01
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
P型MOS管開關電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導
2021-10-28 10:07:00
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
的“0”和“1”。源極和漏極之間是溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產生，晶體管處于關閉狀態?？梢园堰@種關閉
2017-09-12 11:10:57
場效應晶體管只要三步:1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)2.確定場效應晶體管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗。3.確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況。一般建議采用針對最 壞的結果計算,因為這個結果提供更大的安全余量，能夠確保系統不會失效。`
2019-04-09 11:37:36
場效應晶體管
結型場效應晶體管有兩種基本配置：N 溝道 JFET 和 P 溝道 JFET。N 溝道 JFET 的溝道摻雜有施主雜質，這意味著流過溝道的電流以電子形式為負（因此稱為 N 溝道）。這些晶體管有 P
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二極管、晶體管、場效應晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管的結構晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
更高的功率耗散，因為輸出晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會導致負反饋下的不穩定?！ ∵_林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個大圓圈內連接在一起的一對晶體管元件。互補達林頓或
2023-02-16 18:19:11
，出于實際原因，保持區域大致相同至關重要?！ ∪缜八觯瑢崿F更多計算能力的一種方法是縮小晶體管的尺寸。但隨著晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區域電流的能力。正因為如此，平面
2023-02-24 15:25:29
ADALM2000主動學習模塊無焊面包板一個2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個100 Ω電阻一個4.7 kΩ電阻兩個小信號NPN晶體管（2N3904或SSM2212）說明BJT穩定電流源對應的電路如圖1所示
2021-11-01 09:53:18
電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術
2017-06-22 18:05:03
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導電，故稱為單極型晶體管?！ 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強型MOS場效應管為例說明其工作原理。N溝道增強型MOS管的結構模型如圖1所示，它由兩個背靠背的PN結組成?！ ?b class="flag-6" style="color: red">圖2是實際結構
2020-06-24 16:00:16
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
MOS管在絕緣柵型場效應管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導體場效應晶體管，簡稱為MOSFET或者MOS管。電路符號G,D,S極怎么區分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
（1）場效應晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應晶體管
2019-03-28 11:37:20
,但不能說現在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構成技術性能非常好的電路。 2. 場效應管的特征：(a) JFET的概念圖 (b) JFET
2011-12-19 16:30:31
場效應晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
2019-05-08 09:26:37
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
描述EarthQuaker Devices 污垢發射器基于硅晶體管模糊電路。除了標準的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個 Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類似 Velcro 的絨毛音調。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
。場效應晶體管是防護電壓的一種，可以被制造為增強型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道場效應晶體管和增強型的P溝道場效應晶體管。實際應用中，N場效應晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點?！ ‰p極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
SI82XX-KIT，Si8235評估板，2輸入，4 A，5 kV雙ISO驅動器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設計的補丁區域，可用于滿足設計人員可能需要評估的任何負載配置
2020-06-17 14:37:29
檢驗器，它只采用一個 N 溝道結型場效應管（FET），兩個普通 NPN 小功率晶體三極管，一個發光管和一些阻容元件，便可有效的檢驗任何晶振的好壞。 晶振檢驗器電路，2N3823 結型 N 溝道場效應管
2008-10-16 12:40:36
等效的提高開關速度的方法，較小R1值也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器中的優勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
行必要的調整。因為他們的起始電壓不一樣，但是在脈沖電路和開關電路中不同材料的三極管是否能互換必須進行具體的分析，切不可盲目代換。場效應晶體管:選取場效應晶體管只要三步：1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P
2019-03-27 11:36:30
用一般的萬用表是不能測出晶振的好壞的，這里提供了一種簡單而實用的晶振檢驗器，它只采用一個 N 溝道結型場效應管（FET），兩個普通 NPN 小功率晶體三極管，一個發光管和一些阻容元件，便可
2020-07-15 17:49:55
; P溝道圖1-8：IGBT的圖形符號注意，它的三個電極分別為門極G、集電極C、發射極E。圖1-9：IGBT的等效電路圖。上面給出了該器件的等效電路圖。實際上，它相當于把MOS管和達林頓晶體管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
型結構，如圖所示。絕緣門/雙極性晶體管我們可以看到，絕緣柵雙極性晶體管是一個三端子，跨導器件，結合了絕緣柵 n 溝道 MOSFET 輸入和 PNP 雙極性晶體管輸出相連的一種達靈頓配置。因此，端子被
2022-04-29 10:55:25
?！ os管在芯片中放大可以看到像一個“講臺”的三維結構，晶體管是沒有電感、電阻這些容易產生熱量的器件的。最上面的一層是一個低電阻的電極，通過絕緣體與下面的平臺隔開，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作
2020-07-07 11:36:10
沒事看看了電力電子，看到這個原理圖，有點迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導體，按照圖中來C極應該接負極才對呀？為什么還接正極？這樣如何導通？有沒有大神指導下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
是溝道區，n+區是漏區。對于p型TFET來說，p+區是漏區，i區是溝道區，n+區是源區。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場效應晶體管是什么----隧穿場效應晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應保持其電連接的,因此稱為靜電感應晶體管。SIT和一般場效應晶體管(FET)在結構上的主要區別是：①SIT溝道區摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
驅動篇 – BJT晶體管應用感謝閱讀本文，在接下來很長的一段時間里，我將陸續分享項目實戰經驗。從電源、單片機、晶體管、驅動電路、顯示電路、有線通訊、無線通信、傳感器、原理圖設計、PCB設計、軟件設計
2021-07-21 06:31:06
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數載流子在電場
2020-03-23 11:03:188778 
。AMCOM射頻晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。 AMCOM射頻晶體管GaAs FET是一種耗盡器件，這意味著當控制電極沒有電壓時，它會導電，當柵極有電壓時，溝道電導率會降低。
2020-09-17 11:42:23821 晶體管和FET給人的印象是具有信號放大的功能，即當輸入信號通過晶體管或者FET后，輸出信號被直接放大。
2023-10-21 10:23:07598 
MOS的三個極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:54619 
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