1、 正向偏置安全工作區正向偏置安全工作區,如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ、
2017-10-26 11:35:199709 海飛樂技術20V MOSFET場效應管現貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開關用
2020-03-03 17:36:16
的是,MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復特性比業界目前使用的分立二極管要緩慢。因此,對于硬開關MOSFET應用而言,體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說,IGBT組合封裝二極管
2018-08-27 20:50:45
MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎?
2023-05-16 14:26:16
.MOSFET的 工作原理 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管
2019-06-14 00:37:57
金屬-氧化層半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路
2020-07-06 11:28:15
`MOSFET管經典驅動電路設計大全`
2012-08-06 12:23:46
`MOSFET管經典驅動電路設計大全`
2012-08-17 15:47:18
在做電機驅動的時候很多人會用到MOSS管在這里詳細講解MOSFET管驅動電路
2016-01-20 14:15:56
MOSFET管的耐壓在150左右,電流在80A左右,MOSFET管怎么選擇?什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝??
2016-12-24 14:26:59
規格書中最大脈沖電流會定義在最大持續電流的4倍,并且隨著脈沖寬度的增加,最大脈沖電流會隨之減少,主要原因就是MOSFET的溫度特性,這一點可以從之后講到的安全工作區圖形中清楚看到。理想情況下,理論上
2018-07-12 11:34:11
類型。 MOSFET的工作原理: MOSFET是一種可控制的三極管,由 Gate(門) 、 Drain(漏極)和Source(源極)構成。當在Gate上施加一個能通過MOSFET的電壓,則形成電場
2023-03-08 14:13:33
與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等
2018-12-28 15:44:03
文章,這么看來,也不算是巧合)之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區 (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶,這是因為每個供應商都有各自生成SOA曲線的方法,并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
什么是MOSFET管?由哪幾部分組成?MOSFET的主要參數是什么?如何選型?
2022-02-23 06:57:53
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區”。?需要在SOA范圍內使用MOSFET等產品。?有五個SOA的制約要素,不滿足其中任何一個要素的要求都有可能會造成損壞
2022-07-26 18:06:41
內部二極管的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標準型AN系列相比,trr速度提高至約1/5。同時,反向恢復電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升
2018-11-28 14:27:08
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結構及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
著一定的飽和程度,也對應著跨導限制的最大電流。恒流區也被稱為放大區,因為MOSFET也可以作為信號放大元件,可以工作在和三極管相類似的放大狀態,MOSFET的恒流區就相當于三極管的放大區。另外恒流區還可
2016-12-21 11:39:07
。SOA的溫度降低方法雙極晶體管篇??MOSFET篇※降低的溫度基本是元件的溫度。關于元件溫度的詳細計算方法,請參照 "元件溫度的計算方法" 。附屬 SOA(安全工作區域)的溫度降低
2019-05-05 09:27:01
)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率
2012-07-09 10:01:42
)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率
2012-07-09 11:53:47
的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:——IGBT 柵極與發射極之間的電壓
2018-10-18 10:53:03
和Flyback等電路(對MOSFET體二極管沒有要求),因為LLC電路工作過程中,MOSFET的體二極管要參與大電流的過程,因此LLC電路中的MOSFET對體二極管參數有了很高的要求。以下
2019-09-17 09:05:04
,稱為安全工作區,如下圖所示。安全工作區可以避免管子因結溫過高而損壞。圖2 器件手冊SOA曲線圖示波器的測試應用非常簡單,使用電壓、電流探頭正常測試開關管的VDS和IDM,并打開SOA分析功能,對照
2019-02-18 22:40:00
損耗的限制形成一個工作區域,稱為安全工作區,如下圖所示。安全工作區可以避免管子因結溫過高而損壞。2、器件手冊SOA曲線圖:示波器的測試應用非常簡單,使用電壓、電流探頭正常測試開關管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
工作區,如下圖所示。安全工作區可以避免管子因結溫過高而損壞。圖2 器件手冊SOA曲線圖示波器的測試應用非常簡單,使用電壓、電流探頭正常測試開關管的VDS和IDM,并打開SOA分析功能,對照數據手冊
2017-11-17 16:46:03
壓,則會在氧化層下方形成空穴通道。增強模式 N 通道N 通道耗盡和增強類型的符號加工n溝道MOSFET的工作原理是假設大多數載流子是電子。電子在通道中的運動負責晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
柵極電壓低于10V時,二極管電壓鉗位于各種漏極電流水平。在非線性曲線中見到的彎曲是二極管和歐姆區之間的轉變點。圖6:施加柵極電壓時,N溝道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1對N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進行了比較。表1:N溝道和P溝道MOSFET的比較
2018-03-03 13:58:23
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
,而且在高溫條件下的工作也表現良好,可以說是具有極大優勢的開關元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出,理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高,可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
電壓。導通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻,和上述的線性區工作狀態并不相同。功率MOSFET的內部二極管導通的反向工作狀態,因為其S、D極的電壓為二極管的壓降,因此并沒有線性區的過程,也就
2017-04-06 14:57:20
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
穩定一些。這也就是為什么過了平臺區之后,管子不怎么震蕩了,這也和上面這幅圖表達的含義有關系的。上面這幅圖相對來說比較關鍵。它是MOSFET工作的一個安全區域。MOSFET選型的合適與否,就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET的安全工作區為什么SOA對于熱插拔應用非常重要?
2021-03-08 07:49:01
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關系,就必須對這三者的內部結構和工作原理有大致的了解,下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT:雙極性晶體管,俗稱三極管。內部結構(以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
運動。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區,而不像結型場效應管那樣橫跨PN結。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道,其工作可以是耗盡型或者增強型
2012-01-06 22:55:02
運動。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區,而不像結型場效應管那樣橫跨PN結。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道,其工作可以是耗盡型或者增強型
2012-12-10 21:37:15
畢設要求做一個脈沖發生器模擬局部放電脈寬需要達到納秒級別我的想法是通過開關器件的高速開關來產生脈沖,然后用pwm芯片來控制開關管的導通現在的問題是,納秒級別,也就是100MHz左右的頻率,用mosfet和基于dds芯片產生的pwm控制信號可以完成這樣的頻率要求嗎?
2016-04-21 16:01:49
,FIREOUT1為輸出端。三極管那部分的電路輸出和輸入時一樣是不是起保護作用?MOSFET的橋式怎么工作的,如何實現脈沖輸出,請各位幫忙看一看。
2018-01-19 10:32:04
1、功率MOSFET安全工作區SOA曲線功率MOSFET數據表中SOA曲線是正向偏置的SOA曲線,即FBSOA曲線,那么這個安全工作區SOA曲線是如何定義的呢?這個曲線必須結合前面討論過的功率
2016-10-31 13:39:12
功率MOSFET管的電流值有哪幾種?如何去選取這些電流值呢?這些電流值又是如何影響系統的呢?
2021-09-08 08:00:58
大于B管,因此選取的MOSFET開關損耗占較大比例時,需要優先考慮米勒電容Crss的值。整體開關損耗為開通及關斷的開關損耗之和:從上面的分析可以得到以下結論:(1)減小驅動電阻可以減小線性區持續的時間
2017-03-06 15:19:01
MOSFET的穩態特性總結(1):功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線(2):說明功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點:當門極不加控制時,其反向導通的穩態工作點同二極管。(3):穩態特性總結
2021-09-05 07:00:00
,二邊的P區中間夾著一個N區,由于二個P區在外面通過S極連在一起,因此,這個結構形成了標準的JFET結構。 4 隔離柵SGT場效應晶體管 功率MOSFET的導通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個相互
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統設計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
簡單;2.輸入阻抗高,可達108Ω以上;3.工作頻率范圍寬,開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒),開關損耗小;4.有較優良的線性區,并且場效應管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多
2011-12-19 16:52:35
;gt;圖1-6:柵極電荷特性<br/>(8)正向偏置安全工作區及主要參數<br/>MOSFET和雙極型晶體管一樣,也有它的安全工作區
2009-05-12 20:38:45
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
只能創建一個工作區?想創建一個新的工作區,但是說最多只有一個,那要工作區這個概念干嘛?
2022-01-04 11:27:07
溝道場效應管MOSFETP溝道場效應管MOSFET:如果要工作,源極電壓 (VS ) 必須比 柵極電壓 (VG )大,且柵源電壓(VGS)不能小于漏源電壓 (VDS )。N溝道場效應管MOSFET:如果
2022-09-06 08:00:00
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關管,TL494做脈沖寬度調制 (Pwm) 控制電路,請問怎么驅動MOSFET,,,加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答!
2014-11-15 16:35:11
所示。Q1為放電管,使用N溝道增強型MOSFET,實際的工作中,根據不同的應用,會使用多個功率MOSFET并聯工作,以減小導通電阻,增強散熱性能。RS為電池等效內阻,LP為電池引線電感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
和研究領域。頻率為20~30kHz,使用可控硅整流器的諧振電源已經使用了多年。MOSFET管的出現使電路可以工作在更高的頻率,大量研究人員正著手開發各種頻率為0.3~5MHz的新型諧振電路拓撲。
在
2023-09-28 06:33:09
微波功率管是什么?微波功率管的安全工作區是什么?微波功率管在使用中會遇到哪些問題?
2021-04-21 07:09:41
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優秀的,作為正式的產品設計
2021-07-29 09:46:38
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優秀的,作為正式的產品設計
2021-10-28 10:06:38
見到的彎曲是二極管和歐姆區之間的轉變點。圖6:施加柵極電壓時,N溝道MOSFET工作在第三象限的典型特性。表1對N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進行了比較。表1:N溝道和P溝道MOSFET的比較。
2021-04-09 09:20:10
電壓等于0的時候,漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結工作在反偏,當所有的討論都是基于源級接地的電路時,當耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時,電流怎么變化,兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
怎樣解決MOSFET并聯工作時出現的問題? 來糾正傳統認識的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
與歸一化瞬態熱阻關系圖SOA注意事項功率MOSFET數據手冊中,相關極限參數和安全工作區SOA曲線都是基于工作溫度TC =25 ℃下的計算值。例如,一款MOS管的BVDSS為600V,但這個600V
2020-04-22 07:00:00
各位前輩,請問關于晶閘管的安全工作區(SOA)應該怎么刻畫呢?
2017-06-20 15:40:06
別: MOSFETs 典型關閉延遲時間: 80 ns 典型接通延遲時間: 28 ns MOS管開關MOSFET 和 BJT 的工作區域的命名有所不同。BJT 中的截止,放大和飽和區相對于MOSFET 為截止,飽和,變
2020-03-09 15:36:41
℃的工作溫度、漏極和源極不發生雪崩擊穿時,所能施加的最大的額定電壓,測試的電路如圖1所示。功率MOSFET的耐壓由結構中低摻雜層的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區形成的結
2023-02-20 17:21:32
MOSFET工作也可以工作在飽和區,即放大區恒流狀態,此時,電流受到溝道內電子數量的限制,改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區進入穩態工作可變電阻區,此時,VGS驅動電壓對應的的放大恒流狀態
2016-08-15 14:31:59
可以工作在三個區:關斷區、線性區(恒流區)和可變電阻區,線性區(恒流區)相當于三極管的放大區,有時候也稱為放大區;可變電阻區相當于三極管的飽和區,在這個區域MOSFET基本上完全導通。 當驅動開通脈沖
2016-11-29 14:36:06
個寄生的晶體管,當IC大到一定程度,寄生晶體管導通,柵極失去控制作用。此時,漏電流增大,造成功耗急劇增加,器件損壞。安全工作區隨著開關速度增加將減小。 (6)柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
請問如何在軟件中找到下圖的MOSFET管?這種MOSFET管型號是什么?
2021-07-02 20:09:43
小弟是電子初學者,經常在設計電路時MOSFET管出現損壞,請問造成MOSFET管損壞有哪些原因?
2019-02-19 10:15:25
從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
減小RDS(on)的值,就需要找到一種對漂移區進行重摻雜的方法,并大幅減小epi電阻。圖2:平面式MOSFET的電阻性元件通常,高壓的功率MOSFET采用平面型結構,其中,厚的低摻雜的N-的外延層,即
2018-10-17 16:43:26
,在實際應用中,TC 的溫度遠高于 25 度,因此,SOA 曲線是不能用來作為設計的驗證標準。功率 MOSFET 的 SOA 定義,參考文獻:功率 MOSFET 安全工作區 SOA:真的安全
2020-03-24 07:00:00
時,IAS和EAS則均大于常規 MOSFET。 COOLMOS的最大特點之一就是它具有短路安全工作區(SCSOA),而常規MOS不具備這個特性。 COOLMOS的SCSOA的獲得主要是由于轉移特性的變化
2023-02-27 11:52:38
嗨,我的FET狂熱愛好者同行們,歡迎回到看懂MOSFET數據表博客系列的第2部分!作為一名功率MOSFET的產品營銷工程師,在FET數據表的所有內容中,除了電流額定值(本博客系列中的下一篇文章,這么看來,也不算是巧合)之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區 (SOA) 曲線了。
2017-04-18 11:35:0115147 了解MOSFET數據手冊中的安全工作面積(SOA)下
2018-08-23 05:27:001998 了解MOSFET數據手冊中的安全工作面積(SOA)上
2019-04-23 06:19:001557 Hot Swap?電路設計中最具挑戰性的方面通常是驗證不會超過MOSFET的安全工作區(SOA)。與LTspice IV ?一起分發的SOAtherm工具簡化了這項任務,使電路設計人員能夠立即評估應用的SOA要求以及所選N溝道MOSFET的適用性。
2019-04-16 08:22:004778 除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數也對電源設計人員非常重要。許多情況下,設計人員應該密切關注數據手冊上的安全工作區(SOA)曲線,該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關系。基本上,SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。
2019-06-18 14:40:216794 作為一名功率 MOSFET 的產品營銷工程師,在 FET 數據表的所有內容中,除了電流額定值之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區 (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解
2021-01-06 00:09:0015 MOSFET 安全工作區對實現穩固熱插拔應用的意義所在
2021-03-20 08:32:3316 看懂MOSFET數據表,第2部分—安全工作區 (SOA) 圖
2022-11-03 08:04:457 每個 MOSFET 數據手冊都包含一個 SOA 圖,該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長時間。圖1顯示了恩智浦半導體數據手冊中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N溝道
2023-01-04 15:08:121732 パパーMOSFETの安全動作領域ニツいテ
2023-04-27 20:03:580 在功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311176 以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理,還有必要關注MOSFET在通態時的特性,會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09836 了解MOSFET安全工作區域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應該查看器件的SOA數據。在這篇文章中,我們將全面討論MOSFET數據表
2022-05-11 09:59:021108 MOSFET安全工作區域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應該查看器件的SOA數據。在這
2023-05-09 09:47:03861 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區別? MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種現代電子器件,常用于電子電路中的開關和放大器。它的工作原理與JFET(結型場效應晶體管)有很大
2023-11-22 17:33:301061
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