非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。在MRAM存儲器中有一個富含創(chuàng)造性的設計，這也是EVERSPIN的專利。
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在MRAM的誕生過程中，設計的難點和關鍵節(jié)點，在于一個小電流通過“自由層”，并使之翻轉(zhuǎn)，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動也會造成錯誤。為此MARM的產(chǎn)品化道路一度陷入低迷。
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在2004初一個俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結(jié)構和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實驗數(shù)據(jù). 實驗證明TOGGLE MRAM具有相當大的操作窗口。另一個重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時宣布拿到了300%的MTJ信號。2004年在業(yè)界是非常激動人心的時刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
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現(xiàn)在MRAM有很多優(yōu)異的指標，但是并非完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲器產(chǎn)品。但是根據(jù)摩爾定律，芯片尺寸會越來越小，這也是為什么很多人都認為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競爭對手。MRAM想在未來新存儲的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。

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MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。

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2024-01-18 14:44:00

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深入探索MRAM的原理與技術

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2023-12-15 16:48:17

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2023-11-27 16:41:47

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電子學中的百科書-二極管的誕生計

2023-11-23 09:09:04

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隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機械設備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點的實時數(shù)據(jù)，提前預測可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機。累積

2023-10-19 11:27:37

請問如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時信號？

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拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS2MC可兼容MB85RS2MT

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拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128可兼容MB85RS128B

2023-07-18 17:08:13

ADUC831是一款芯片

兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴

2023-07-14 17:15:06

linux內(nèi)核線程就這樣誕生了么？

線程是操作系統(tǒng)的重要組成部件之一，linux內(nèi)核中，內(nèi)核線程是如何創(chuàng)建的，在內(nèi)核啟動過程中，誕生了哪些支撐整個系統(tǒng)運轉(zhuǎn)的線程，本文將帶著這個疑問瞅一瞅內(nèi)核源碼，分析內(nèi)核線程的創(chuàng)建機制。

2023-07-10 10:45:28

434

芯片制造商Netsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

2023-07-07 17:06:59

262

數(shù)據(jù)記錄應用STT-MRAM芯片S3R1016

MRAM在數(shù)據(jù)記錄應用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復地將重要數(shù)據(jù)保存于設備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。

2023-06-20 17:06:22

219

1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

403

非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。

2023-05-30 08:48:06

行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦攜手臺積電，推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術

2023-05-26 20:15:02

396

兆易創(chuàng)新GD32F303替代STM32F103教程(02)CAN模塊及系統(tǒng)注意事項 #程序代碼#硬聲創(chuàng)作季

兆易創(chuàng)新

也許吧發(fā)布于 2023-05-24 10:55:36

色壞易折安瓿折斷力測試儀

色壞易折安瓿折斷力測試儀安瓿瓶折斷力測試儀是一種用于測試安瓿瓶的機械強度、可靠性和安全性能的專用試驗設備，通常由液壓系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測試夾具等主要組成部分。在測試過程中，將待測安瓿瓶放置在測試

2023-05-23 16:42:10

存儲介質(zhì)的類型有哪些？

一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內(nèi)置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。 5、RAM RAM是一個易失性內(nèi)存選項。一旦設備

2023-05-18 14:13:37

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

2023-05-12 16:31:39

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有人可以提供caam-keygen實用程序的來源嗎？

targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標記密鑰加密所需

2023-05-09 08:45:33

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。

2023-04-27 17:33:44

420

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器

2023-04-19 17:45:46

2542

如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM？

我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊

2023-04-17 07:52:33

IMX6UL如何從安全非易失性存儲 (SNVS) 讀取或?qū)懭耄?/a>

我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域

2023-04-14 07:38:45

兆易創(chuàng)新全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨1億顆

中，車載電子系統(tǒng)設計的復雜度顯著提升，對于存儲產(chǎn)品而言，大容量、實時響應、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車規(guī)級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富

2023-04-13 15:18:46

求助，如何使用非易失性密鑰生成CMAC？

我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM

2023-04-10 06:34:32

NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。

2023-04-07 17:02:07

758

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需

2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電

2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外

2023-04-07 16:23:11

關于CH573的存儲映射結(jié)構

在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導程序存儲區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲區(qū)InfoFlash。一般在使用時

2023-04-07 11:46:50

AD21487WBSWZ4B04

SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS

2023-04-06 11:21:52

MRAM芯片應用于PLC產(chǎn)品上的特性

在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技

2023-03-29 16:31:22

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請教一下大神伺服電機失步時是怎樣得到補償?shù)模?/a>

請教一下大神伺服電機失步時是怎樣得到補償?shù)模?/div>

2023-03-23 15:34:44

如何通過與隨機非持久處理器寄存器進行異或來保護瞬態(tài)對稱密鑰？

我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器

2023-03-23 07:07:21

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非易失性MRAM誕生過程

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