如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開(kāi)始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
186 
在上一篇文章中，我們介紹了高性能RA8T1 MCU的整體概況和性能配置解析。最后我們進(jìn)入到開(kāi)發(fā)人員最為關(guān)心的部分，關(guān)于目標(biāo)應(yīng)用及開(kāi)發(fā)支持。
2024-02-21 12:17:59456 
Promise和async/await等標(biāo)準(zhǔn)的JS異步并發(fā)能力。
TaskPool為應(yīng)用程序提供一個(gè)多線程的運(yùn)行環(huán)境，降低整體資源的消耗、提高系統(tǒng)的整體性能，開(kāi)發(fā)者無(wú)需關(guān)心線程實(shí)例的生命周期。
Worker支持
2024-02-20 16:44:11
ADRV9002NP/W2/PCBZ高性能無(wú)線電收發(fā)器的性能指標(biāo)解析摘要：本文將對(duì)ADRV9002NP/W2/PCBZ高性能無(wú)線電收發(fā)器的性能指標(biāo)進(jìn)行詳細(xì)解析，包括其工作頻率、功率、功耗、集成度
2024-02-16 18:53:46
AD9217BBPZ-10G高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器的全面解析摘要：本文將對(duì)AD9217BBPZ-10G高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo)進(jìn)行詳細(xì)解析，包括其采樣率、分辨率、功耗、集成度等方面。同時(shí)，還將介紹該芯片
2024-02-16 18:50:46
AD9361BBCZ高性能射頻收發(fā)器的全面解析摘要：本文將對(duì)AD9361BBCZ高性能射頻收發(fā)器的性能指標(biāo)進(jìn)行詳細(xì)解析，包括其工作頻率范圍、帶寬、功耗、集成度等方面。同時(shí)，還將介紹該芯片在5G、物
2024-02-16 18:03:46
ADS1278SHFQ：一款高性能模擬前端集成的深度解析隨著科技的飛速發(fā)展，模擬前端集成在電子設(shè)備中的應(yīng)用日益廣泛。ADS1278SHFQ，作為T(mén)I公司的一款高性能模擬前端集成芯片，以其出色的性能
2024-02-16 17:13:34
、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)和亂序執(zhí)行等優(yōu)化技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)較高的性能。
RISC-V指令集體系結(jié)構(gòu)是一種開(kāi)放的指令集體系結(jié)構(gòu)。 它由非營(yíng)利組織RISC-V基金會(huì)維護(hù)，任何人都可以自由使用和修改RISC-V指令集體系結(jié)構(gòu)
2024-01-29 10:09:47
、L型、Π型等結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)可以根據(jù)需要選擇，以滿足特定的放大器性能要求。另外的這些結(jié)構(gòu)在電路中有什么優(yōu)缺點(diǎn)，尤其是放在反饋支路中？從電路原理上分析。
2024-01-26 12:30:33
振弦采集儀在結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)中的性能評(píng)估 振弦采集儀在結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)中扮演著重要的角色，因此對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)估十分必要。以下是一些常見(jiàn)的性能評(píng)估指標(biāo)： 振弦采集儀 1. 采樣率：振弦采集儀的采樣率決定了它對(duì)
2024-01-18 14:42:17110 
薄膜電容是一種常見(jiàn)的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對(duì)其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對(duì)薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的介紹
2024-01-10 15:41:54443 
。下面將詳細(xì)介紹磷酸鐵理蓄電池的結(jié)構(gòu)和基本原理。 首先是磷酸鐵理蓄電池的結(jié)構(gòu)。磷酸鐵蓄電池的正極材料一般采用磷酸鐵LiFePO4），這是一種具有穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和良好電化學(xué)性能的材料，能夠提供可靠的電池性能。而負(fù)極材料通常采用石墨
2024-01-05 16:58:28262 
在進(jìn)行多片DDR設(shè)計(jì)的時(shí)候，通常DDR會(huì)存在拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)， 下面我們將詳細(xì)介紹一下各種拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)的區(qū)別以以及應(yīng)用場(chǎng)景。 首先我們先介紹一下，當(dāng)只存在一片DDR的時(shí)候通常是采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的連接方式，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布線
2023-12-26 07:45:01327 
的多個(gè)方面，包括輸出功率、電壓調(diào)節(jié)性能、轉(zhuǎn)換時(shí)間、過(guò)載能力、效率、電池容量以及負(fù)載能力等。下面將詳細(xì)介紹UPS性能指標(biāo)。 1. 輸出功率：UPS的輸出功率是指UPS能夠提供的最大負(fù)載功率。通常以VA（伏安）或W（瓦特）為單位來(lái)表示，VA是表達(dá)UPS容量的標(biāo)
2023-12-25 14:59:14360 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 西門(mén)子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說(shuō)， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過(guò)去，我們對(duì) SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 窺探材料性能的利器：平行擠壓測(cè)試儀解析
2023-12-11 09:09:27243 
今天來(lái)聊一聊時(shí)鐘樹(shù)。首先我先講一下我所理解的時(shí)鐘樹(shù)是什么，然后介紹兩種時(shí)鐘樹(shù)結(jié)構(gòu)。
2023-12-06 15:23:47480 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 HPM5361EVK是一款基于先楫HPM5300系列高性能RISC-V內(nèi)核MCU的開(kāi)發(fā)板。它具有雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算和強(qiáng)大的DSP擴(kuò)展能力，主頻為480MHz，內(nèi)置1MB Flash和288KB SRAM
2023-12-03 13:22:22
天線與饋線匹配中的平衡與不平衡以及造成的影響解析? 天線與饋線的匹配是無(wú)線電通信中非常重要的一環(huán)。平衡與不平衡是兩種不同的天線與饋線匹配方式，它們對(duì)通信系統(tǒng)的性能有著不同的影響。 所謂的平衡
2023-11-28 14:28:22649 1 映射表在串口數(shù)據(jù)解析中的應(yīng)用
1.1 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)
1.2 指令、函數(shù)映射表
1.3 串口解析函數(shù)實(shí)現(xiàn)
2023-11-28 10:30:45190 滑差電機(jī)是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的電機(jī)，它具有獨(dú)特的工作原理和結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的轉(zhuǎn)速控制和調(diào)節(jié)。本文將詳細(xì)介紹滑差電機(jī)的工作原理、結(jié)構(gòu)以及特點(diǎn)，幫助讀者深入了解這種電機(jī)的性能和應(yīng)用。
2023-11-21 17:14:331481 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《數(shù)字濾波器基本結(jié)構(gòu)介紹.rar》資料免費(fèi)下載
2023-11-18 11:05:53
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電路拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)方案介紹.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 11:27:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED電源常用拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)介紹.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:05:510 SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒(méi)有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 一、 CMake構(gòu)建后的項(xiàng)目結(jié)構(gòu)解析（Analysis of the Project Structure After CMake Build） 1.1 CMake構(gòu)建后的目錄結(jié)構(gòu)（Directory
2023-11-10 10:27:23291 
運(yùn)放的軌對(duì)軌特性、頻率響應(yīng)、相位裕度以及動(dòng)態(tài)性能? 運(yùn)放是一種重要的電路元件，常常用于信號(hào)放大、濾波、電壓比較和信號(hào)調(diào)制等應(yīng)用中。重要的是，運(yùn)放有許多關(guān)鍵的性能指標(biāo)，例如軌對(duì)軌特性、頻率響應(yīng)、相位
2023-10-29 11:22:03736 對(duì)與性能比較低的51單片機(jī)，結(jié)構(gòu)化編程性能提升多少
2023-10-26 06:21:44
STM32 DCMI 的帶寬與性能介紹
2023-10-25 17:34:05604 
電池和電池的結(jié)構(gòu)是儲(chǔ)能的基本支柱。 本文深入探討了構(gòu)成這些單元的組件，包括電極、隔板和電解質(zhì)。介紹了堆疊板和圓柱形結(jié)構(gòu)之間的比較分析，以及細(xì)胞盒的重要性以及初級(jí)和次級(jí)化學(xué)之間的區(qū)別。討論擴(kuò)展到串聯(lián)
2023-10-25 15:10:45607 
電主軸結(jié)構(gòu)部件的基本介紹？|深圳市恒興隆機(jī)電有限公司
2023-10-24 10:05:53509 
如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大??？
2023-10-20 07:39:21
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
集成電路（IC），一種將數(shù)以千計(jì)的晶體管、電阻和電容等微小元件，集成在一小塊半導(dǎo)體材料（通常是硅）上的微型結(jié)構(gòu)，它的出現(xiàn)徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。為了更深入理解集成電路，讓我們從它的基本結(jié)構(gòu)與分類入手進(jìn)行解析。
2023-09-27 09:11:091560 
、超聲成像、數(shù)字接收、基站、數(shù)字視頻(如HDTV)、xDSL、線纜調(diào)制解調(diào)器以及快速以太網(wǎng)。本文介紹了流水線ADC的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2023-09-26 10:24:32430 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
實(shí)現(xiàn)一個(gè)觸發(fā)器電路，并且這種電路適用于各種器件，比如MOS，CMOS以及TTL等。Cross-coupled結(jié)構(gòu)在工業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用，例如SRAM，DRAM，PLA和PROM等。本文將詳細(xì)介紹
2023-09-17 16:25:07755 《PCB工藝制程能力介紹及解析（上）》。
圖形轉(zhuǎn)移
線寬公差
PCB加工十幾道工序會(huì)，不可避免的會(huì)存在加工誤差，PCB制造行業(yè)采用的標(biāo)準(zhǔn)通常是指標(biāo)準(zhǔn)的ISO、UL、等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。華秋PCB可實(shí)現(xiàn)的線寬
2023-09-01 09:51:11
的性能表示。
本白皮書(shū)詳細(xì)介紹了CPU性能基準(zhǔn)測(cè)試的最新發(fā)展，以及它是如何從80年代早期的基準(zhǔn)測(cè)試演變而來(lái)的。
它還概述了使用各種可用的基準(zhǔn)測(cè)試來(lái)測(cè)量家用和其他消費(fèi)設(shè)備上的CPU性能的好處和挑戰(zhàn)
2023-08-28 07:02:32
、穩(wěn)壓管的分類以及特點(diǎn)，深入解析穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能是利用什么實(shí)現(xiàn)的。 一、穩(wěn)壓管的基本原理和結(jié)構(gòu) 穩(wěn)壓管是一種非常重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各個(gè)電路中。穩(wěn)壓管的基本原理是PN結(jié)，通常由n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體組成，形成
2023-08-27 15:01:051683
應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會(huì)V1.0
2023-08-23 06:35:44
）、盒形（方插孔）以及雙曲麵線簧插孔等。
2．絕緣體 絕緣體也常稱為基座（base）或安裝板（insert），它的作用是使接觸件按所需要的位置和間距排列，并保証接觸件之間和接觸件與外殼之間的絕緣性能。良好
2023-08-22 10:28:44
可耐受高溫及振動(dòng)的高可靠性性能與結(jié)構(gòu)
2023-08-15 14:32:39239 
讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
、對(duì)TrustZone的內(nèi)存系統(tǒng)支持以及典型的軟件體系結(jié)構(gòu)。我們還介紹了Arm提供的資源，以幫助使用TrustZone的系統(tǒng)和軟件開(kāi)發(fā)人員。
在本指南的末尾，您將能夠：
?舉一個(gè)TrustZone的用例示例，描述
2023-08-10 07:02:56
本手冊(cè)介紹了標(biāo)準(zhǔn)性能監(jiān)測(cè)單元（PMU）。PMU主要由監(jiān)視器組成測(cè)量部件特性的。
監(jiān)視器通常是對(duì)組件生成的事件進(jìn)行計(jì)數(shù)的事件計(jì)數(shù)器。（為了PMU架構(gòu)，周期計(jì)數(shù)器是對(duì)周期事件進(jìn)行計(jì)數(shù)的事件計(jì)數(shù)器。）該
2023-08-09 07:20:43
本規(guī)范定義了基于Arm A配置文件體系結(jié)構(gòu)的處理器的動(dòng)態(tài)測(cè)量信任根（DRTM）體系結(jié)構(gòu)。本規(guī)范基于TCG D-RTM體系結(jié)構(gòu)[4]的概念，但作為一個(gè)獨(dú)立的獨(dú)立文檔發(fā)揮作用。它使用了TCG體系結(jié)構(gòu)
2023-08-08 07:45:00
）AHB（高級(jí)高性能總線）接口。它是的成員ARM9E-S Thumb?高性能32位片上系統(tǒng)（SoC）系列處理器，它非常適合廣泛的嵌入式應(yīng)用程序。的大小指令和數(shù)據(jù)高速緩存以及指令和數(shù)據(jù)SRAM是單獨(dú)
2023-08-08 07:33:30
）AHB（高級(jí)高性能總線）接口。它是ARM9E-S Thumb?系列高性能32位片上系統(tǒng)（SoC）處理器的一員，非常適合各種嵌入式應(yīng)用。指令和數(shù)據(jù)緩存以及指令和數(shù)據(jù)SRAM的大小可單獨(dú)配置，允許您根據(jù)
2023-08-02 17:50:31
的邏輯內(nèi)容，確認(rèn)將它們插入時(shí)需要的修改規(guī)定等事宜。模塊結(jié)構(gòu)圖以及流程圖能夠提供強(qiáng)有力的支援。CasePlayer2具有在幾秒鐘轉(zhuǎn)換幾萬(wàn)行的C語(yǔ)言程序的能力，可以即刻將代碼變換成圖形，提高源代碼的解析效率
2023-08-02 11:51:36
的方式執(zhí)行它。
本指南介紹了在64位Armv8-A體系結(jié)構(gòu)中使用的A64指令集AArch64。
我們不會(huì)在本指南中涵蓋每一個(gè)指令。所有的說(shuō)明都在臂中詳細(xì)說(shuō)明架構(gòu)參考手冊(cè)。相反，我們將介紹指令的格式
2023-08-02 06:33:42
。該體系結(jié)構(gòu)為軟件開(kāi)發(fā)人員公開(kāi)了一個(gè)通用的指令集和工作流程，也稱為程序員模型。這有助于確保架構(gòu)的不同實(shí)現(xiàn)之間的互操作性，以便軟件可以在不同的 Arm 設(shè)備上運(yùn)行。本指南為任何對(duì)此感興趣的人介紹了 Arm
2023-08-01 14:35:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工廠自動(dòng)化結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 15:35:430 接著 大模型部署框架 FastLLM 簡(jiǎn)要解析 這篇文章首先梳理了一下FastLLM的調(diào)用鏈和關(guān)鍵的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，然后解析了 FastLLM 的一些實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)和CPU/GPU后端實(shí)現(xiàn)采用的優(yōu)化技巧。
2023-07-27 10:48:27732 
本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
隨著互聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用升級(jí)，人們對(duì)網(wǎng)絡(luò)帶寬的需求越來(lái)越高?；ミB數(shù)據(jù)傳輸?shù)目焖侔l(fā)展，離不開(kāi)更高速率的光模塊，如：40G、100G、200G、400G光模塊等。本期文章我們先從40G光模塊的性能、應(yīng)用解析等方面為大家展開(kāi)詳細(xì)介紹。
2023-07-20 14:03:34676 
大家好，我是嵌入式老林，從事嵌入式軟件開(kāi)發(fā)多年，今天分享的內(nèi)容是C語(yǔ)言結(jié)構(gòu)體對(duì)齊介紹，希望能對(duì)你有所幫助
2023-07-11 11:50:13547 
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測(cè)試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。
2023-07-07 09:58:03666 
IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 介紹光耦的工作原理，包括其結(jié)構(gòu)、原理及應(yīng)用。 1、光耦的結(jié)構(gòu) 光耦通常由光源(LED)、探測(cè)器(光敏二極管)和光傳導(dǎo)道(光纖)三部分組成。LED用來(lái)發(fā)射光信號(hào)，光敏二極管用來(lái)接收光信號(hào)，而光纖則用來(lái)傳遞光信號(hào)。它們通常都封裝在
2023-07-05 09:45:341603 特銳祥是一家擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的電子元件供應(yīng)商，其推出的特銳祥貼片Y電容是一款高性能的電容器件。今天弗瑞鑫小編將詳細(xì)介紹特銳祥貼片Y電容的技術(shù)參數(shù)、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-06-29 17:33:26371 本文就簡(jiǎn)單的說(shuō)明一些必要的基本概念，以及介紹一下 Linux 的文件結(jié)構(gòu)。
2023-06-19 10:33:482031 
非線性關(guān)系方面表現(xiàn)出強(qiáng)大的能力，從而成為異構(gòu)金屬材料性能預(yù)測(cè)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的有力工具。介紹了異構(gòu)金屬材料的特征，總結(jié)了ML算法及其相關(guān)的數(shù)據(jù)處理問(wèn)題，綜述了ML在異構(gòu)金屬材料性能預(yù)測(cè)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面的應(yīng)用研究現(xiàn)狀，給出了ML輔助異構(gòu)金屬材
2023-06-19 09:45:43654 
本文介紹基于libconfig進(jìn)行配置文件解析
2023-06-08 10:18:06738 
在PCB的制造和設(shè)計(jì)過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問(wèn)題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對(duì)電路性能的影響以及解決方法。
2023-06-05 14:16:19711 
無(wú)法解析HTML/Json？
2023-06-05 06:03:15
TBY2152MF貼片Y電容是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的電子元件。它具有優(yōu)異的電氣性能和可靠性，被廣泛用于各種電路中，例如濾波、耦合和去耦等應(yīng)用。今天弗瑞鑫詳細(xì)介紹TBY2152MF貼片Y電容的特性、結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-22 10:30:40597 
用矩陣來(lái)表示圖結(jié)構(gòu)是大學(xué)里數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)課程中都學(xué)過(guò)的知識(shí)，也是一種非常直觀的辦法。 點(diǎn) i 與點(diǎn) j 之間有一條邊，等價(jià)對(duì)應(yīng)于矩陣上 $M_{ij}$ 為 1。當(dāng)然，這里的點(diǎn) ID 是需要連續(xù)排列無(wú)空洞。
2023-05-17 15:42:12313 
現(xiàn)在，我正在使用帶有 SDRAM 的 imxrt1052。所有變量都在 SDRAM 中。但我想要 SRAM 中的一些變量，以及 SDRAM 中的其他變量。怎么做 ？
2023-05-12 08:23:11
SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
電池蓄電方式讓他自動(dòng)運(yùn)行，一般可透過(guò)調(diào)度系統(tǒng)來(lái)控制其行進(jìn)路線以及行為，或利用電磁軌道來(lái)設(shè)立其行進(jìn)路線。AGV行走系統(tǒng)由控制面板，導(dǎo)向傳感器、方向電位器、狀態(tài)指示燈、避障傳感器、光電控制信號(hào)傳感器、驅(qū)動(dòng)單元、導(dǎo)引磁條、電源組成。下面我們來(lái)介紹下AGV的組成結(jié)構(gòu)
2023-05-10 11:29:571832 我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們?cè)?SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？
2023-04-28 07:00:20
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
，介紹性能測(cè)試和對(duì)比結(jié)果的最佳實(shí)踐。
第3、4章介紹 CPU 微架構(gòu)的基本知識(shí)和性能分析相關(guān)術(shù)語(yǔ)
第5章探討幾種流行的性能分析方法，介紹性能問(wèn)題剖析方法的工作原理，以及應(yīng)采集哪些數(shù)據(jù)。
第6
2023-04-24 15:31:26
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹(shù)形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
與直接從內(nèi)部 SRAM 執(zhí)行相比，QSPI NOR 閃存設(shè)備的“就地執(zhí)行 (XIP)”性能如何？作為參考，我將 RT1170_EVK 開(kāi)發(fā)平臺(tái)與 Zephyr RTOS 結(jié)合使用。我的應(yīng)用程序太大
2023-04-20 08:09:57
風(fēng)力發(fā)電是一種利用風(fēng)能轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)，其主要原理是通過(guò)風(fēng)輪機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)發(fā)電機(jī)，將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能。以下是風(fēng)力發(fā)電的優(yōu)缺點(diǎn)以及技術(shù)原理的解析：
2023-04-16 16:37:464854 SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
本書(shū)詳細(xì)地介紹了RISC-V的基本原理、指令集、編程工具和環(huán)境、體系結(jié)構(gòu)和擴(kuò)展以及應(yīng)用案例和實(shí)踐等方面的內(nèi)容，覆蓋了RISC-V體系結(jié)構(gòu)的各個(gè)方面，使讀者能夠全面深入地了解RISC-V的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-03 15:15:20
FPC基本結(jié)構(gòu)材料介紹 從撓性印制線路板的基本結(jié)構(gòu)分析，構(gòu)成撓性印制線路板的材料有絕緣基材、膠粘劑、金屬導(dǎo)體層（銅箔）和覆蓋層 ?！ ?1.銅箔基板（Copper Film） 銅箔：基本分
2023-03-31 15:58:18
前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來(lái)談?wù)凪emory Compiler，以及通過(guò)它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378516 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
親愛(ài)的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問(wèn)題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
解析東莞薄膜線路柔性電路板的結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)
2023-03-24 16:54:38648 
FPGA的原理是基于SRAM的查找表結(jié)構(gòu)。通俗的講就是：可以將FPGA看做是一片SRAM，利用開(kāi)發(fā)工具軟件計(jì)算出所有的輸入組合排列對(duì)應(yīng)的輸出結(jié)果，然后將輸入組合作為SRAM的地址，該地址中存放的是與輸入組合對(duì)應(yīng)的輸出。
2023-03-24 12:15:30276
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論