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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>淺談非易失性存儲(chǔ)器MRAM,它的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

淺談非易失性存儲(chǔ)器MRAM,它的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

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2023-07-12 17:01:131098

芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874

PLC系統(tǒng)的存儲(chǔ)器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器
2023-06-26 14:02:453775

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

什么是測量光幕?主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?

什么是測量光幕?主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2023-06-24 10:15:10602

ROM與RAM的主要區(qū)別 存儲(chǔ)器rom的功能是什么

ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在,不會(huì)丟失,因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器,當(dāng)斷電時(shí),其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391

RAID系統(tǒng)中理想的Netsol MRAM存儲(chǔ)器

RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù),如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下,控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存,以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323

國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用

作為一種非易失性存儲(chǔ)器,鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn),雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合,鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

存儲(chǔ)器集成電路測試

存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件,其市場用量巨大,從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251

什么是外部存儲(chǔ)器

磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。 存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409

適合用于多功能打印機(jī)存儲(chǔ)芯片S3A1604

MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。 1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹 RAM兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static
2023-05-19 15:59:37

存儲(chǔ)介質(zhì)的類型哪些?

與NOR Flash相比,其讀取速度慢得多。由于NAND電路的布局,存儲(chǔ)器是串行訪問的。這些設(shè)備可以一次寫入一個(gè)字節(jié)到單個(gè)內(nèi)存地址。NAND是理想的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器通常存在于需要頻繁上傳和覆蓋大文件
2023-05-18 14:13:37

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器
2023-05-12 16:31:39268

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

存儲(chǔ)器的創(chuàng)新和發(fā)展歷程介紹

首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器),以及與之密切相關(guān)的EPROM(可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出,并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開編址的嗎?

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462544

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

自動(dòng)控制的應(yīng)用領(lǐng)域哪些?

軟硬件產(chǎn)品的研發(fā),是國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。堅(jiān)持自主創(chuàng)新,積極聯(lián)合各大高校協(xié)同運(yùn)動(dòng)控制基礎(chǔ)技術(shù)的研究,是國內(nèi)工控領(lǐng)域發(fā)展最快的企業(yè)之一,也是國內(nèi)少有、完整掌握運(yùn)動(dòng)控制核心技術(shù)和實(shí)時(shí)工控軟件平臺(tái)技術(shù)的企業(yè),主要核心產(chǎn)品激光振鏡運(yùn)動(dòng)控制、運(yùn)動(dòng)控制、運(yùn)動(dòng)控制卡、視覺運(yùn)動(dòng)控制一體機(jī)、遠(yuǎn)程IO模塊和HMI等。
2023-04-19 14:34:32

求分享i.mx RT1170中MX25L4006EM2R-12G非易失性存儲(chǔ)器接口的示例代碼

基本上,我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1)是否任何示例應(yīng)用程序可供參考?像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

淺談電子三防漆對PCB板的作用哪些?

淺談電子三防漆對PCB板的作用哪些?
2023-04-14 14:36:27

同步時(shí)鐘服務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域哪些?

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,同步時(shí)鐘服務(wù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。同步時(shí)鐘服務(wù)是一種用來實(shí)現(xiàn)各種設(shè)備時(shí)間同步的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。它可以采用多種方式來確保網(wǎng)絡(luò)設(shè)備之間的時(shí)間同步,如使用GPS衛(wèi)星信號(hào)、地標(biāo)信號(hào)或
2023-04-14 13:36:20

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢?

/寫存儲(chǔ)器,在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述:MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U堉笇?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

解決方案 | PCIe非易失性存儲(chǔ)器 Express(NVMe)固態(tài)硬盤

隨著需求的變化和技術(shù)的迭代,固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲(chǔ)器Express(NVMe)固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06674

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

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