隨著無鉛技術在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優點。

BBSRAM是什么？BBSRAM又稱BatRAM，它是嵌入式單封裝中多個芯片和電池元件的組合。電池可以集成在封裝中，同集成在塑料DIPS中相似。還可以將該電池安裝在封裝頂層上，然后機械地添加一個類似于SOIC中使用的上蓋。按照訪問其他SRAM的方式訪問BBSRAM。當供電電壓（VCC）低于指定電壓電平時，內部電池將被打開以維持存儲器中的內容，直到VCC返回到有效條件為止。

NV-SRAM是什么？賽普拉斯NV-SRAM是一種快速靜態RAM（SRAM），且每個存儲器單元中都包含非易失性單元。采用SONOS技術，可以將嵌入式非易失性單元制造成世界上最可靠的非易失性存儲器。SRAM能夠實現無限次的讀寫周期，同時獨立的非易失性數據則被存儲在高度可靠的SONOS單元內。斷電時通過使用VCAP引腳上連接的小型電容上保存的電荷，將數據從SRAM中自動轉移到非易失性單元中（自動存儲操作）。加電時數據會從非易失性存儲器單元重新存儲到SRAM內（加電回讀操作）。“存儲”和“回讀”操作也可以在軟件控制下執行。

NV-SRAM的優點

同一個多組件的解決方案相比，NV-SRAM是一個單片解決方案，它帶有一個小型的外部電容。因此與BBSRAM解決方案相比，它的優點更多。

BBSRAM內部

一個BBSRAM包括三個主要組件：標準的SRAM、電壓傳感器和開關芯片，以及鋰電池。每個BBSRAM模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路（用于監控VCC，以免發生超出容差范圍）。如果發生這種情況下鋰電池會自動打開，并且寫保護功能會被無條件使能，以避免破壞數據。可執行的寫周期次數不受限制，并且不需要支持微處理器接口的其他電路。圖1顯示的是BBSRAM的框圖。

圖1.BBSRAM框圖

NV-SRAM內部

NV-SRAM技術就是將SRAM和EEPROM技術結合在同一個芯片上。每一個SRAM單元都包含一個非易失性EEPROM元件。在SRAM模式下，存儲器作為普通的靜態RAM使用，其操作速率則為SRAM速度。在非易失性模式下，SRAM數據將從EEPROM并行傳輸/回讀或并行傳輸/回讀到EEPROM內。使用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技術生產EEPROM可以提供高產量，并且與浮柵加工技術相比，它需要的掩膜更少。SONOS技術其他主要優點表現在：完善的設計和生產過程，帶有CMOS微邏輯的良好可積分性，并且低功耗。用戶數據的寫入次數不受限制，因為將這些數據寫入到標準SRAM內。在產品的使用壽命期間，可以將EEPROM的存儲周期次數修改為100多萬次。傳輸數據時不需要任何電池。當將數據從SRAM傳輸到EEPROM內所需的電源由外部電容提供時，在斷電期間，將自動進行數據傳輸。NV-SRAM還與時鐘邏輯配合使用，用于創建非易失性RTC組件。圖2顯示的是NV-SRAM的框圖。

圖2.NV-SRAM框圖

NV-SRAM與存儲器控制器的典型連接從功能角度來講，在正常工作條件下的NV-SRAM讀/寫操作與獨立SRAM完全相同。使用并行I/O結構，用戶可以方便地存儲數據或從地址位設置所定義的存儲器位置上提取數據。子序列存儲器周期可以位于這個位置或其他位置上，發生的順序是任意的，寫周期次數不受限制，并且不需要任何額外的支持微處理器接口的電路。

圖3.典型的NV-SRAM連接

當VCC下降到低于閾值（VSWITCH）時，賽普拉斯的NV-SRAM會進入自動存儲模式，并且通過將DQ總線上拉到高阻抗狀態并忽略在該器件的地址和控制線上所發生的所有轉換，禁止器件上發生的所有讀/寫操作。

技術特性曲線比較

除商業利益外，與nvBBSRAM相比，SRAM還有很多技術優勢。具體包括：

?數據保留時間和產品使用壽命—數據保留時間指的是數據存儲環境開始惡化前數據可以存儲多久。產品使用壽命指的是生產某個器件后該器件可以運行多久。

?性能

?加電時器件的功能—從功能角度來講，NV-SRAM和BBSRAM對加電要求比較相同：

-NV-SRAM將EEPROM中的數據自動傳輸到SRAM內

-BBSRAM從鋰電源自動切換到VCC電源

?電路板空間

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