中微公司的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo nanova系列第500臺反應腔順利付運國內一家先進的半導體芯片制造商。
2024-03-21 15:12:43
98 溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。
2024-03-20 10:19:4752 
溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個存儲層之間形成導電通道，從而使電子能夠在在存儲單元間移動，進行讀取、寫入和擦除操作。
2024-03-20 10:17:5331 
刻蝕機的刻蝕過程和傳統的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24459 
的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實現的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個百分點。
2024-02-21 09:17:41303 在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現，有著千絲萬縷的聯系，這一節介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58547 
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數的調控，可以實現各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結構
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離
2024-01-14 14:11:59510 
在紅外探測器的制造技術中，臺面刻蝕是完成器件電學隔離的必要環節。
2024-01-08 10:11:01206 
引言 近年來，硅/硅鍺異質結構已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對硅/硅鍺體系的結構制造和輸運研究有相當大的興趣。在定義Si/SiGe中的不同器件時，反應離子刻蝕法（RIE）在圖案轉移
2023-12-28 10:39:51130 
SEMI-e 第六屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會將持續關注產業核心技術和發展前沿，向20多個應用領域提供一站式采購與技術交流平臺。
2023-12-25 16:43:54284 
眾所周知，化合物半導體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
直線電機怎樣優化它的速度環，有什么標準
2023-12-15 07:35:15
利用電子學方法所獲得的最短脈沖要短幾千倍。飛秒激光技術是近年來發展迅速的一種先進加工技術，具有極高的加工精度和速度，可以在各種材料表面進行微米至納米級別的刻蝕和加工。
2023-12-14 11:01:12227 
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
在芯片制程中，幾乎所有的干法制程，如PVD，CVD,干法刻蝕等，都逃不過輝光放電現象。
2023-12-09 10:00:54742 
該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
通過CFD流場模擬技術對溫度流場和混合流場進行優化，提升脫硫效率，對改進的SDS干法脫硫工藝設計起到了指導作用。
2023-12-01 14:51:55347 
刻蝕）、LFLE（光刻 freeze 光刻 刻蝕）、SADP（自對準double patterning），以后有空也會專門介紹一下這些工藝。
2023-12-01 10:20:03595 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
模組，其實就是把類似和相關的工序組成一個集合的概念，這樣就可以分配給相對的部門去負責，他們只做這一部分對應的工作。比如：刻蝕工藝工程師就專門做刻蝕這一部分工作，不要做薄膜的工作。
2023-11-25 15:08:253267 
據工信部網站11月16日消息，工信部公開征集了《半導體設備 集成電路制造用干法刻蝕設備測試方法》等196個行業標準、1個行業標準外文版、38個推薦性國家標準計劃項目的意見。
2023-11-16 17:04:49652 
人工智能（AI）是預計到2030年將成為價值數萬億美元產業的關鍵驅動力，它對半導體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最復雜的問題來自于需要通過新的刻蝕技術來解決的器件制造挑戰。
2023-11-16 16:03:02164 在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨沒有聽說過干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數雙大馬士革工藝，為什么？
2023-11-14 18:25:332618 
但是里面也有幾個關鍵的工藝參數需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 18:21:13608 
一、背景介紹鋁塑復合軟管作為一種輕便、耐腐蝕的材料，廣泛應用于液體和氣體傳輸領域。在食品、醫療、化工等行業，鋁塑復合軟管需要具備優良的密封性能以確保產品的安全性和可靠性。因此，對鋁塑復合軟管進行
2023-10-30 16:36:33
但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？
2023-10-20 11:04:21454 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
鋁塑蓋開啟測試試驗機是一種用于測試鋁塑復合材料瓶蓋開啟性能的設備，它通過模擬實際使用環境中開啟鋁塑蓋包裝的操作，以評估其開啟性能和用戶體驗。這種設備在鋁塑包裝材料制造、食品包裝和醫療等
2023-10-16 16:36:36
在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？
2023-10-11 18:18:43978 
在鋰電上游材料普遍產能過剩的大環境下，干法隔膜供給端逆勢而上，甚至還出現電池廠家蹲守交貨的境況。
2023-10-09 18:07:29737 在干法的深刻蝕過程中，精細的刻蝕控制成為一個至關重要的因素，它直接影響到芯片的性能。
2023-10-08 18:10:07900 
經過離子槍聚焦、加速后作用于樣品表面，實現離子的成像、注入、刻蝕和沉積。 截面分析是SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）雙束系統
2023-10-07 14:44:41393 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區域的材料以形成相應微結構。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252067 
有過深硅刻蝕的朋友經常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171446 
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
通常，我們需要將巖性模式轉換為多個。一次蝕刻通道中的膠片類型
2023-09-26 11:20:00130 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03995 
應用于研究監測土壤的力學結構變化, 一般用于山體, 巖石和凍土等環境研究的物理量傳感器 MEMS,
2023-09-20 11:48:19193 
9月17日，北方華創在投資者互動平臺表示，公司前期已經發布了首臺國產12英寸CCP晶邊干法刻蝕設備研發成功有關信息，目前已在客戶端實現量產，其優秀的工藝均勻性、穩定性贏得客戶高度評價。
2023-09-20 10:09:49558 半導體工程裝備、北方華創的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術裝備，廣泛應用邏輯部件，存儲半導體零部件、先進封裝、第三代半導體照明、微機電系統、新型顯示、新能源，襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578 激光打標機的參數主要包括：1.激光功率：通常，激光功率越強，刻蝕深度越深。2.光斑形狀：不同的光斑形狀可以打出不同的標記。例如，圓形光斑可以打出橢圓形或圓形的標記，矩形光斑可以打出方框或直線的標記
2023-09-06 09:34:311487 
?維碼是現代信息化發展的產物，包含信息?泛，被?泛才?到?業?產當中，與?業?動化相結合，通過條碼槍讀取節省??錄?環節，實現??智能化管理和追溯，應???常?泛，包含各類?屬材料，?屬材料包含不銹鋼、鑄鐵、陽極鋁、鋁合?、?、銀、銅等；??屬材料包含玻璃、PCB、PET、塑料、??等等。
2023-09-01 11:38:23663 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設計的區域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，這種刻蝕對＜111＞晶體硅具有高的選擇性。
2023-08-25 09:50:401716 
雙色紅外探測器具有抗干擾能力強、探測波段范圍廣、目標特征信息豐富等優點，因此被廣泛應用于導彈預警、氣象服務、精確制導、光電對抗和遙感衛星等領域。雙色紅外探測技術可降低虛警率，實現復雜背景下的目標識別，從而顯著提高系統性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調、電子有效質量更大、大面積均勻性高等特點以及成本優勢，成為制備雙色
2023-08-25 09:16:42886 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術，用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用，通過光罩的設計和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422265 各向異性刻蝕是一種減材微加工技術，旨在優先去除特定方向的材料以獲得復雜且通常平坦的形狀。濕法技術利用結構的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質
2023-08-22 16:32:01407 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(ILD)、低k電介質、溝槽ESL、低k電介質的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:56910 
在半導體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10505 在微電子制造中，刻蝕技術是制作集成電路和其他微型電子器件的關鍵步驟之一。通過刻蝕技術，微電子行業能夠在硅晶片上創建復雜的微觀結構。本文旨在探討刻蝕設備的市場規模以及行業內的競爭格局。
2023-08-02 10:01:08623 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383904 的成熟程度也間接決定了產品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中，都有所需的對應設備，比如光刻所需的EUV、DUV光刻機，刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機，以及化學、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設備等等。光刻機作為半導體制造的核心
2023-07-30 03:24:481556 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594138 Accura BE作為國產首臺12英寸晶邊刻蝕設備，其技術性能已達到業界主流水平。” Accura BE通過軟件系統調度優化和特有傳輸平臺的結合，可以提升客戶的產能。
2023-07-19 16:50:011140 據介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學機械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產物及殘留物驟增導致的缺陷風險成為產品良率的嚴重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 在集成電路領域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個重要指標，通常與刻蝕的特征圖形的尺寸相關聯，包括有淺槽隔離的間隙、晶體管
2023-07-14 16:31:311150 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463213 
Research Corporation，以下簡稱“科林研發”）提起的侵犯商業秘密案中贏得二審勝訴。 在上海市高級人民法院2023年6月30日的終審判決中，法院命令科林研發銷毀其非法獲取的與中微公司等離子刻蝕機有關的一份技術文件和兩張照片。法院還禁止科林研發及科林研發的兩名
2023-07-12 13:45:41299 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
干法電極工藝再獲國際車企巨頭“力挺”。
2023-06-28 09:55:171027 Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉為干法刻蝕，因此所需的設備和工藝更加復雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數出現波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163684 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
13和43型是經過溫度補償，采用TO-8金屬封裝結構的硅壓阻式壓力傳感器。它具有優異的性能和長期穩定性。該產品有表壓和絕壓兩種類型，量程范圍從0～2PSI至0～250PSI。通過激光刻蝕的電阻實現了
2023-06-19 11:58:27
環氧塑封是IC主要封裝形式，環氧塑封器件開封方法有化學方法、機械方法和等離子體刻蝕法，化學方法是最廣泛使用的方法，又分手動開封和機械開封兩種。
2023-06-18 09:56:28314 在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571176 
均勻性（1 σ）達到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足
2023-06-15 14:58:47665 
刻蝕和薄膜沉積設備細分領域關鍵零部件的精密制造專家，亦是國內少數已量產供應7nm及以下國產刻蝕設備關鍵零部件的供應商。本次先鋒精科將公開發行不超過5059.50萬股股票，募集7億元資金，用于靖江精密裝配零部件制造基地擴容升級項目等。 天眼查顯
2023-06-14 00:45:001555 
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優化》研討課。在授課過程中，除教師系統地講授外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-12 11:19:55562 
無論是從鋰電池輥壓工藝革新進化，還是從“干法電極技術”產業化視角來看，2023年都是關鍵的一年。
2023-06-11 14:35:412993 芯片前道制造可以劃分為七個環節，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353314 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
刻蝕設備的重要性僅次于光刻機。而隨著NAND閃存進入3D、4D時代，要求刻蝕技術實現更高的深寬比，刻蝕設備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。
2023-05-22 12:50:532158 
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應，采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應，形成揮發性生成物四氟化硅而被去除。
2023-05-06 15:08:232903 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
經過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
GaAs基VCSEL已廣泛應用于三維成像、無人駕駛、物聯網、數據通訊等領域，同時在光電對抗、激光雷達、航空航天等高精尖領域也發揮著巨大的作用和潛能。
2023-04-21 09:23:25806 等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術節點，高的產量、低的成本是與現有生產系統競爭的關鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統，從長遠來看，可以為客戶節省大量費用，有可能
2023-04-21 09:20:221347 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 的圓臺硅通孔，采用的是在頂部不斷橫向刻蝕的方式實現的，不利于封裝 密度的提高，且對于光刻設備的分辨率有一定的要求。針對現有技術中的問題，一種嚴格控制橫向 刻蝕尺寸 （僅占原始特征尺寸的 3%~12
2023-04-12 14:35:411569 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 陜西光電子先導院先進光子器件工程創新平臺3月30日在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產業項目提供產品研發、中試、檢測等全流程技術服務，為光子產業各類
2023-03-30 19:09:10410 
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182458
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