亥姆霍茲線圈是一種具有特殊磁場分布的線圈結(jié)構(gòu),由兩個相等的半徑相距一定距離的同軸圓環(huán)組成。亥姆霍茲線圈由于其特殊的設(shè)計和結(jié)構(gòu),使得其磁場具有一系列特點,下面將詳細介紹。 首先,亥姆霍茲線圈的磁場均勻
2024-03-09 09:08:48
375 近期的演示會上,美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24
190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營收達到79.5億美元,環(huán)比增長近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:57
162 如下圖所示,GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間,其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間,TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
186 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/C1/wKgaomXZSbGAMLCIAABK5wZhuns582.png)
智能制造的五個特點,如同五顆璀璨的繁星,引領(lǐng)著制造業(yè)邁向全新的高度。制造業(yè)智能化升級已經(jīng)站在風(fēng)口的浪尖,成為全球政策的“新寵”和未來工業(yè)變革的主流趨勢。
2024-02-23 10:43:27
336 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/A1/wKgaomXYBfCARnMoAAD0tlxW1tQ989.png)
共基放大電路其特點是將晶體管的基極共同連接到一個固定的參考電壓(通常是地或負(fù)電源),從而使輸入信號和輸出信號都在晶體管的發(fā)射極和集電極之間產(chǎn)生。這種配置與共射極放大電路和共源極MOSFET放大電路
2024-02-03 11:31:57
461 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/DD/wKgaomT1MEGAUKtPAAA86sdoa4w554.jpg)
怎樣區(qū)分LED開關(guān)電源是恒流和恒壓? LED開關(guān)電源是一種專門用于驅(qū)動LED器件的電源設(shè)備,其主要特點是具有恒流或恒壓輸出的特性。那么如何區(qū)分LED開關(guān)電源是恒流還是恒壓呢?下面將從工作原理、特點
2024-01-15 14:43:55
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5G外置天線
新品介紹
5G圓頂天線和Whip天線旨在提供617 MHz至6000 MHz的寬帶無縫高速互聯(lián)網(wǎng)接入連接解決方案。這些天線的特點是高增益,即使在具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境中也能確保強大的信號
2024-01-02 11:58:24
在幾何學(xué)中,四邊形和六邊形是兩個常見的多邊形形狀。它們在不同的方面具有不同的特點和用途。本文將比較壓線鉗四邊形和六邊形的特征、性質(zhì)以及應(yīng)用,以幫助讀者更好地理解它們并做出選擇。 一、四邊形的特征
2023-12-28 17:05:12
837 變壓器勵磁涌流的特點是什么? 變壓器勵磁涌流是指在變壓器工作時,當(dāng)電壓施加到變壓器繞組上時,會在繞組中產(chǎn)生瞬時的大電流,這種電流稱為勵磁涌流。勵磁涌流是變壓器啟動過程中的一種瞬態(tài)現(xiàn)象,其特點有以下
2023-12-25 14:40:08
415 惠斯通電橋的特點是什么? 惠斯通電橋是一種用于測量電阻的電路。惠斯通電橋的特點是其高靈敏度和準(zhǔn)確性,因此被廣泛用于電阻、電壓或電流的測量和校準(zhǔn)。 惠斯通電橋由四個電阻和一個檢測器組成,其中兩個電阻
2023-12-21 14:02:15
450 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器,它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計
2023-12-18 11:22:39
496 怎樣設(shè)計和驗證TRL 校準(zhǔn)件以及TRL 校準(zhǔn)的具體過程
2023-12-14 09:40:37
0 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么?它們是如何影響計算機性能的? ROM和RAM是計算機中常見的兩種存儲器件,它們在功能、結(jié)構(gòu)和性能方面有很大的區(qū)別。下面將詳細介紹ROM和RAM的主要區(qū)別以及它們
2023-12-11 11:42:58
1053 門。盡管它們都是用于存儲數(shù)據(jù)的,但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先,DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個個存儲單元組成的,每個存儲單元由一個電容和一個開關(guān)組成。在讀寫數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:00
3905 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來,SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 11:15:31
635 熱敏電阻器的典型特點是對溫度敏感,不同的溫度下表現(xiàn)出不同的電阻值
2023-12-05 18:20:53
275 激光冷水機的制冷系統(tǒng)有四大主要部件:壓縮機、冷凝器、蒸發(fā)器和節(jié)流閥,今天跟隨酷凌小編一起來學(xué)習(xí)一下冷凝器的種類和特點都有哪些? 冷凝器按照其冷卻介質(zhì)的不同,可分為水冷式冷凝器、空氣冷卻式冷凝器以及
2023-11-28 20:01:23
359 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A7/BF/wKgaomUmbuOADFsIABBEDMTdq7M125.png)
DRAM制造技術(shù)進入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過去五年了。過去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15
536 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/19/wKgaomVhlNWARce9AAAd0hQv6UI209.png)
和輸出波形有很大的差異。下面將詳細介紹這兩種晶振的工作原理、特點和輸出波形。 有源晶振是指由外部能源驅(qū)動的晶振。它包括晶體振蕩器、放大器和補償電路。有源晶振的核心部分是晶體振蕩器,它由晶體諧振器和放大器構(gòu)成。晶
2023-11-22 16:42:58
1061 芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08
476 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/41/wKgaomVdvNOAObpuAAItzAT0QgA062.png)
介紹RC串聯(lián)電路的特點以及如何計算延時時間。 首先,RC串聯(lián)電路的特點如下: 1. 時間常數(shù):RC串聯(lián)電路的一個重要特性是時間常數(shù)。時間常數(shù)(τ)表示電容充放電到63.2%所需的時間。它是通過電阻和電容的乘積得出的,即τ = R * C。時間常數(shù)決定了
2023-11-20 17:05:39
1831 車規(guī)級晶振的特點與應(yīng)用 車規(guī)級晶振與消費級晶振的區(qū)別 車規(guī)級晶振與消費級晶振是用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的晶振,它們在性能、可靠性和應(yīng)用環(huán)境等方面存在一些區(qū)別。本文將詳細介紹車規(guī)級晶振的特點與應(yīng)用,并與消費
2023-11-17 11:31:52
460 DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快,如HBM,但也很昂貴。其他類型速度較慢,但價格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構(gòu)架構(gòu)中,兩者都可以發(fā)揮重要作用,以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13
243 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/1B/wKgZomVUO5CAI5yTAAA0yqMUz9E999.png)
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素,它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備,或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM,用于運行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05
452 的影響。UPS電源廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域,包括家庭、商業(yè)、工業(yè)以及信息技術(shù)等領(lǐng)域。每個應(yīng)用領(lǐng)域的UPS電源都具有不同的特點和區(qū)別,下面將詳細介紹每個領(lǐng)域以及UPS電源的應(yīng)用、特點和區(qū)別。 1. 家庭應(yīng)用: 在家庭應(yīng)用中,UPS電源主要用于保護家庭辦公設(shè)備、娛樂設(shè)備和安全設(shè)備等,如
2023-11-09 16:53:33
555 Cache是位于CPU與主存儲器即DRAM(Dynamic RAM,動態(tài)存儲器)之間的少量超高速靜態(tài)存儲器SRAM(Static RAM)
2023-10-31 15:07:23
346 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/91/wKgaomVAp4yAOZ6SAADorRPecCg925.jpg)
何為多元線性回歸?對比于前一天學(xué)習(xí)的線性回歸,多元線性回歸的特點是什么? 多元線性回歸與簡單線性回歸一樣,都是嘗試通過使用一個方程式來適配數(shù)據(jù),得出相應(yīng)結(jié)果。不同的是,多元線性回歸方程,適配的是兩個
2023-10-31 10:34:10
525 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AD/35/wKgZomVAZ4uAPRsFAAA1Kho-rs0435.jpg)
本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34
816 如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大小?
2023-10-20 07:39:21
本文介紹雙極性SPWM控制的特點,雙極性控制都是高頻開關(guān),沒有工頻開關(guān)。Q1,Q2同步開關(guān),Q3,Q4同步開關(guān)。
2023-10-18 12:23:22
1172 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A9/04/wKgaomUvXaOAHDA4AAAf-3BpFyg523.jpg)
據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計第4季的合約價將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應(yīng)商是否堅守減產(chǎn)策略以及實際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18
377 非易失性的新技術(shù),力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式,因為其特性不同,往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點,但缺點在于
2023-10-09 00:10:00
1311 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:22
1688 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A8/98/wKgZomUgwFOAEdNVAAAgK6y2dko539.png)
硬件面試的時候,看到應(yīng)聘者簡歷上寫著,有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷,熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問,那請你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來,然后簡要說一下工作原理及特點,但是沒能說出來。
2023-10-01 14:08:00
2382 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A7/B2/wKgZomUP7hWAR042AAD16tDcDFo180.jpg)
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
內(nèi)存應(yīng)該是每個硬件工程師都繞不開的話題,稍微復(fù)雜一點的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計,仿真,調(diào)試,焊接,等等都非常復(fù)雜,且重要。對DRAM
2023-09-25 11:38:42
1902 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A7/C3/wKgZomURACKAAPgQAAAfIYAhC00843.jpg)
通常需要在芯片內(nèi)配置大容量的SRAM來減少片外DRAM的訪存需求,如何組織SRAM,并且配合上述計算流程,也是一個重要的設(shè)計內(nèi)容。
2023-09-22 14:16:49
381 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A5/AC/wKgaomUNMg-AMxsCAAAeJVHZ4to195.png)
功率放大器是電子系統(tǒng)中常見的一種設(shè)備,其主要功能是將低功率輸入信號放大為高功率的信號輸出。功率放大器具有多種特點,下面西安安泰電子將詳細介紹功率放大器的幾個主要特點。
2023-09-20 14:10:49
344 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/55/wKgaomUKjOmAS7pWAADMAata0-M908.png)
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM
2023-09-18 16:29:50
918 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/3A/wKgZomUD8zqAZJh8AAAid0QA-Go866.png)
實現(xiàn)一個觸發(fā)器電路,并且這種電路適用于各種器件,比如MOS,CMOS以及TTL等。Cross-coupled結(jié)構(gòu)在工業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用,例如SRAM,DRAM,PLA和PROM等。本文將詳細介紹
2023-09-17 16:25:07
755 MCU(Microcontroller Unit)是一種集成了處理器、存儲器和輸入/輸出接口的微型計算機芯片。它可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如汽車電子、工業(yè)自動化、智能家居等。本文將介紹MCU的基本原理、分類、特點以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 18:24:53
1745 PWM(Pulse Width Modulation)是一種常見的信號調(diào)制技術(shù),用于控制電路中的電壓和電流。它通過改變脈沖的寬度來控制電路中的信號強度和頻率。本文將介紹PWM的基本原理、分類、特點以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 17:29:40
5396 FPGA(Field Programmable Gate Array)是一種可編程邏輯器件,它可以通過編程實現(xiàn)各種數(shù)字電路功能。FPGA技術(shù)以其靈活性、高性能和低功耗等特點而受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。本文將介紹FPGA的基本原理、分類、特點以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 17:28:45
1788 CAN總線技術(shù)是一種廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域的串行通信協(xié)議。它是由德國公司BOSCH開發(fā)的,全稱為Controller Area Network(控制器局域網(wǎng))。本文將對CAN總線的基本概念、工作原理、特點以及應(yīng)用領(lǐng)域進行簡要介紹。
2023-09-12 17:04:03
2006 儀表放大器的特點是什么?? 儀表放大器是一種電路,其主要作用是將傳感器、電量表等弱電信號放大,使其能夠被獲取并使用。在我們的日常生活中,儀表放大器廣泛應(yīng)用于各種計量系統(tǒng)和測試儀器中,例如電壓表
2023-09-05 17:39:16
1193 面對各種不同種類的CAN通信收發(fā)器,你是否知道該如何選型?NXP推出了多種類型的CAN收發(fā)器,它們除了能滿足基本的CAN通信需求外,每種系列還各具特點。本文介紹它們的特點及應(yīng)用,為您使用NXP CAN收發(fā)器時提供借鑒。
2023-09-05 14:05:22
1203 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/11/wKgaomT2xTKAAXKDAAA9MQPUAbg236.png)
在下面的圖中較為詳細的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖,虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:37
1168 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/DF/wKgaomT1NEiAPOggAAAe0Dv9txA285.png)
。 靈活的安裝和配置 另一個重要特點是IO擴展模塊的靈活安裝和配置。這些模塊通常具有緊湊的設(shè)計,可以輕松安裝在不同的設(shè)備上,無論是機架內(nèi)部還是現(xiàn)場設(shè)備。同時,它們通常支持多種通信接口,如以
2023-08-31 18:14:56
電子技術(shù)中電路的特點是什么?? 電路作為電子技術(shù)的基礎(chǔ),是一個由元器件(如電容器、電阻器、電感器、晶體管等)和導(dǎo)線等組成的電氣網(wǎng)絡(luò),能夠?qū)崿F(xiàn)各種電氣信號的控制和處理。電路的特點主要包括以下幾個方面
2023-08-29 15:46:51
2176 ,具有非常強的表征能力。在本文中,我們將詳細介紹CNN的原理和特點。 一、CNN的原理 1. 卷積操作 CNN最顯著的特點是卷積操作。卷積是一種數(shù)學(xué)運算,它通過一個濾波器在原數(shù)據(jù)上滑動,并輸出一個新的特征圖。卷積操作可以提取原始圖像的局部特征信息,同時保留空間關(guān)系和共性特征。
2023-08-21 17:15:25
1023 本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源,包括特性、工作原理、應(yīng)用場景等。
2023-08-15 15:41:12
1145 讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運行的難度,就類似練成獨孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:08
1898 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/8A/wKgZomTa5PyAOGPkAAK-I8C6yAU657.jpg)
SRAM型FPGA屬于核心元器件,因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:46
1086 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/1F/wKgZomTVnhKAdcl3AACl8E1sIRQ113.jpg)
SRAM型FPGA屬于核心元器件,因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:45
1264 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/22/wKgaomTVnW6AB4ycAAH5zvJm2XM742.jpg)
AI大模型是指參數(shù)數(shù)量巨大的人工智能模型。它們通常用于處理大量數(shù)據(jù),并使用深度學(xué)習(xí)等復(fù)雜算法來學(xué)習(xí)和識別數(shù)據(jù)中的模式和趨勢。本文將詳細介紹AI大模型的工作原理、技術(shù)特點,以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-08-08 17:02:02
3745 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當(dāng)斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:03
2205 影響。 什么是led貼膜屏?led貼膜屏也叫l(wèi)ed玻璃屏,主要的特點是通透性強、超薄...且顯示效果新穎,在理想的觀看距離內(nèi),觀看到的圖像好像就浮在墻體上,沒顯示載體,3D裸眼效果般體驗。主要運用在建筑幕墻和商業(yè)零售兩個領(lǐng)域。邁普光彩led貼
2023-07-25 07:52:42
1182 本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216,是高速,8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI(Intergrated Silicon Solution, Inc)公司的高性能CMOS技術(shù),按照512K個字(16)位進行組織存儲單元。
2023-07-22 14:58:56
1092 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8D/7F/wKgZomS7fgmAKvhWAAB1aKlrMrE789.jpg)
貼片Y電容是一種廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中的電子元器件。它的作用是存儲電荷,并將其釋放到電路中。在電路中,電容器常常被用來濾波、消噪、分離、放大和整流等方面。在這些應(yīng)用中,貼片Y電容都發(fā)揮了重要作用。今天弗瑞鑫將詳細介紹貼片Y電容的工作原理、特點、選擇以及應(yīng)用。
2023-07-14 14:22:24
546 元器件原理<DRAM> 由1個晶體管、1個電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 <“1” 時> Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理<SRAM> 存儲單元
2023-07-12 17:29:08
754 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/98/wKgaomSuceOAFXy6AAA-ZJdFugI574.jpg)
大家好,我是痞子衡,是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。
2023-07-07 09:58:03
666 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/30/wKgaomSncb2ALms8AAAl9jOJ8KY814.png)
IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:09
0 在彩色電視機和其他一些電子設(shè)備中采用開關(guān)電源,開關(guān)電源中采用開關(guān)變壓器,以下介紹了開關(guān)變壓器的工作特點是什么,以及開關(guān)變壓器電路的分析方法及注意事項,供大家參考。
2023-07-04 16:09:45
885 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/AF/99/pYYBAGSj05KAHFcTAAFID6saLkI903.png)
特銳祥是一家擁有豐富經(jīng)驗的電子元件供應(yīng)商,其推出的特銳祥貼片Y電容是一款高性能的電容器件。今天弗瑞鑫小編將詳細介紹特銳祥貼片Y電容的技術(shù)參數(shù)、性能特點以及應(yīng)用場景。
2023-06-29 17:33:26
371 PCB表面的處理工藝多種多樣,這里介紹9種常見的處理工藝,以及它們的適用場景
2023-06-29 14:18:47
1665 )。擴頻技術(shù)是一種用帶寬換取靈敏度的技術(shù),Wi-Fi ZigBee 等技術(shù)都使了擴頻技術(shù),但是LoRa 調(diào)制的特點是可以最大效率地提高靈敏度,以至于接近香農(nóng)定理的極限。尤其是在低速率通信系統(tǒng)中,打破了傳統(tǒng)的 FSK 窄帶系統(tǒng)的實施極限。
2023-06-29 11:53:35
1071 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/AD/wKgaomSc_WeAWrsRAAYBNJsw3tA643.png)
貼片電容器是電子電路中最常見的電容器之一,而Y1電容器則是其中的一種類型,廣泛應(yīng)用于各種電氣設(shè)備和家用電器的電路中。今天弗瑞鑫小編將詳細介紹貼片Y1電容的特點、應(yīng)用、以及如何正確選用和使用。
2023-06-27 16:19:31
541 Zigbee是一種低功耗、低數(shù)據(jù)傳輸速率的無線通信技術(shù),主要用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備之間的短距離通信。以下是關(guān)于Zigbee技術(shù)的定位詳解和特點: 1.???? 定位詳解: ?????? Zigbee是一種
2023-06-20 14:01:29
874 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/AD/16/poYBAGSRQKaAG-VxAAEohV5165s755.png)
隨著技術(shù)的發(fā)展,可充電電池已經(jīng)無處不在,這些類型的電池變得越來越強大和緊湊。本文重點介紹市場上最常用的可充電電池以及它們之間的區(qū)別。我們不會更深入地研究它們的化學(xué)成分或種類,而是它們的重要特性,它們之間的差異以及每種電池類型最合適的應(yīng)用。本文將幫助您選擇適合您未來項目供電的電池。
2023-06-18 15:12:29
1098 總線開關(guān)(通常稱為數(shù)字交換機)是設(shè)計用于連接高速數(shù)字總線的產(chǎn)品。它們具有亞納秒級傳播延遲和快速開關(guān),并且不引入額外的噪聲或直流功耗,非常適合電壓轉(zhuǎn)換、熱插拔、熱插拔、總線或電容隔離以及許多其他
2023-06-17 15:25:57
1049 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/89/F6/wKgaomSNX_CAUb3pAAAJ6zG3jLI746.gif)
內(nèi)部默認(rèn)
加速器時鐘 1000 MHz
設(shè)計峰值 SRAM 帶寬 16.00 GB/s
設(shè)計峰值 DRAM 帶寬 3.75 GB/s
使用的 SRAM 總量 370.91 KiB
使用的 DRAM
2023-06-05 11:36:22
DRAM 連接32位SDRAM時,最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07
EEPROM的變種,變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM:
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié),可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37
隨著科技的不斷發(fā)展,大數(shù)據(jù)已經(jīng)成為當(dāng)今信息化時代的主要驅(qū)動力之一。大數(shù)據(jù)的特點是什么?
2023-05-12 10:27:25
1685 現(xiàn)在,我正在使用帶有 SDRAM 的 imxrt1052。所有變量都在 SDRAM 中。但我想要 SRAM 中的一些變量,以及 SDRAM 中的其他變量。怎么做 ?
2023-05-12 08:23:11
01 MIB的發(fā)送特點是什么?
NR中MIB和SIB的總體結(jié)構(gòu)與LTE類似,區(qū)別在于SIB的發(fā)送方式。
在LTE系統(tǒng)中,無論UE是否需要,小區(qū)側(cè)配置的SIBx總是周期性的發(fā)送,而NR系統(tǒng)
2023-05-06 12:55:24
我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開發(fā)應(yīng)用程序。
應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么,是如何工作的?
2023-04-28 07:00:20
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:40
6 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術(shù)進行設(shè)計和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44
615 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/82/5B/wKgZomRKQmeARjqmAABc7R5P6n0044.jpg)
CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)是怎樣的?它有哪些特點?
2023-04-25 09:20:07
我正在使用 S32k358 uC,我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中,我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存?
2023-04-23 08:01:09
的使用也沒有問題,如下圖所示。但是,如果我嘗試修改(禁用、啟用或插入新的外圍設(shè)備或驅(qū)動器),編譯器會溢出 SRAM。(見下圖)下圖是我嘗試做的一個例子。我禁用了 CAN 外設(shè)來做一些測試,但是當(dāng)我啟用它們
2023-04-20 09:06:04
下面深入探討了輸配電系統(tǒng)以及有助于優(yōu)化它們的組件,例如轉(zhuǎn)換器、機器學(xué)習(xí)和高級分析、負(fù)載管理和配電自動化。在電網(wǎng)系統(tǒng)中,輸電和配電對于確保高效可靠地輸送電力至關(guān)重要。多年來,輸配電技術(shù)有了顯著改進
2023-04-18 16:11:08
單片機項目都會使用到延時,那么,該用軟件延時還是硬件延時?它們又有什么區(qū)別呢?
2023-04-11 10:47:12
2283 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9E/40/poYBAGQ0yluABPOCAAA186hoxPE380.jpg)
續(xù)使用中不會出現(xiàn)一些麻煩,由于不同廠家出售的儀器具有不同的特點,下面就跟大家介紹一下VOC氣體檢測儀的特點是什么。 VOC檢測儀的特點是什么 1.VOC檢測儀采用一體化設(shè)計,內(nèi)置泵吸式檢測裝置,可以同時測量并實時顯示一種或多種氣
2023-04-10 16:01:52
419 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9E/7A/pYYBAGQzwkeAav2cAAEgpqbI9eM883.png)
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器,其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器,45nm
2023-04-07 16:41:05
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03
554 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/7F/2E/pYYBAGOGQFSAZRlWAAA_-_un8Gs246.png)
大家好,請問大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎?我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h,但是uboot 無法運行,見日志如下。還有一個
2023-04-03 06:40:26
前兩期,我們分別對OTP和MTP,RAM和ROM進行了比較。這一次,我們來談?wù)凪emory Compiler,以及通過它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:37
8516 今天就帶你詳細了解一下到底什么是SRAM,在了解SRAM之前,有必要先說明一下RAM:RAM主要的作用就是存儲代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51
587 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/F1/wKgZomQlJ86AGeZzAABKYzywoWw582.jpg)
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等,下面,我盡力以上圖為參考,從上到下,說明各個層次存儲器的特點和區(qū)別,并對它們的工作原理做一些簡要的說明
2023-03-30 10:32:39
580 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/F0/wKgZomQk9BmANZYRAAAhvt13JV8070.jpg)
2023-03-30 10:32:16
624 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/F0/wKgaomQk9BqAGgymAAPNYa-8CJY137.jpg)
親愛的社區(qū),我有幾個關(guān)于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用?哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用?2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動 A53 內(nèi)核,所以我必須
2023-03-27 09:15:16
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