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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲(chǔ)器

賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲(chǔ)器

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2024-02-26 07:31:42

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2023-09-07 17:04:191331

如何用拉普拉斯變換分析電路

如何用拉普拉斯變換分析電路 拉普拉斯變換是通過(guò)一種特定的方法將時(shí)域中的一個(gè)信號(hào)轉(zhuǎn)化為復(fù)頻域中的一個(gè)函數(shù),從而使得復(fù)雜的微分方程等可以變得更加簡(jiǎn)單、易于求解。因此,它在電路分析中的應(yīng)用非常廣泛,有助于
2023-09-07 16:39:041278

傅里葉變換拉普拉斯變換和z變換的區(qū)別聯(lián)系

傅里葉變換拉普拉斯變換和z變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換、拉普拉斯變換和z變換是信號(hào)處理中重要的數(shù)學(xué)工具。傅里葉變換用于將一個(gè)連續(xù)時(shí)間信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻域表示;拉普拉斯變換則用于將一個(gè)連續(xù)時(shí)間信號(hào)轉(zhuǎn)換為復(fù)平面
2023-09-07 16:38:581406

普拉斯變換公式

普拉斯變換公式? 拉普拉斯變換公式是數(shù)學(xué)中極其重要的一種變換方式,它的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括在信號(hào)處理、控制論、微分方程、電路分析和量子力學(xué)等領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹拉普拉斯變換公式
2023-09-07 16:38:534099

普拉斯變換的意義

普拉斯變換的意義 拉普拉斯變換是微積分中的一種重要方法,用于將時(shí)間域函數(shù)轉(zhuǎn)換為復(fù)平面的頻域函數(shù)。它是工程和科學(xué)中常用的一種數(shù)學(xué)工具,尤其是電路理論、信號(hào)處理和控制理論中。 拉普拉斯變換的意義可以
2023-09-07 16:35:083590

傅里葉變換和拉普拉斯變換的區(qū)別聯(lián)系

傅里葉變換和拉普拉斯變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換和拉普拉斯變換是數(shù)學(xué)中兩種具有重要意義的變換方式。它們都在信號(hào)處理、傳輸和控制領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用,能夠?qū)r(shí)域信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻域信號(hào)或復(fù)平面上的信號(hào)。 傅里葉變換
2023-09-07 16:29:452123

普拉斯變換的頻移特性

普拉斯變換的頻移特性 拉普拉斯變換是一種重要的數(shù)學(xué)工具,在信號(hào)處理、控制理論、電路分析等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,頻移是一個(gè)常見(jiàn)的操作,即將信號(hào)在頻域上移動(dòng)某個(gè)頻率。 拉普拉斯變換是一種復(fù)數(shù)變換
2023-09-07 16:29:43671

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC助力車(chē)載電子控制系統(tǒng)優(yōu)化升級(jí)

新能源汽車(chē)的核心技術(shù)是大家熟知的動(dòng)力電池、電池管理系統(tǒng)和整車(chē)控制單元。車(chē)載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類(lèi)傳感資料的需求持續(xù)增加,因此對(duì)于高性能存儲(chǔ)技術(shù)的需求也越來(lái)越高,因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52

使用國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC可以讓穿戴式設(shè)備更加省電

隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步,數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加,因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59

拍字節(jié)(舜銘)PB85RS128鐵電存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)128Kb V2

PB85RS128可替換MB85RS128B(富士通)/ FM25V01A-GTR(賽普拉斯
2023-08-22 16:38:152

拍字節(jié)(舜銘)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)

PB85RS2MC可替換MB85RS2MT(富士通)/FM25V20A(賽普拉斯
2023-08-22 09:56:047

X3C25P1-05S是一款耦合

TTM Technologies 的 X3C25P1-05S 是一款定向耦合,頻率為 2.3 至 2.7 GHz,耦合 5 dB,耦合變化 ±0.2 至 0.3 dB,方向性 20 至 23 dB
2023-08-16 15:00:20

X4C25J1-05G是一款耦合

TTM Technologies 的 X4C25J1-05G 是一款定向耦合,頻率為 2.2 至 2.8 GHz,耦合 5 dB,耦合變化 ±0.5 dB,方向性 25 dB,平均功率 5 W
2023-08-16 14:42:58

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀

存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀,記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息,可以和最近測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照,如果發(fā)生異常情況,監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26

PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(PL092)技術(shù)參考手冊(cè)

PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(SMC)是一款符合高級(jí)微控制總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備,由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 SMC是個(gè)AMBA從模塊,連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46

Arm Ethos-U NPU應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)概述

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過(guò)程中。 ?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù) 延遲因此,AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的
2023-08-02 06:37:01

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油機(jī)

就需要存儲(chǔ)芯片來(lái)儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器般包括EPROM、EEPROM和FLASH等,它們?cè)谙到y(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù),但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33

MXD1210是一款控制

MXD1210RAM控制一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)()CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)
2023-07-21 15:01:52

拍字節(jié)(舜銘)存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS2MC可兼容MB85RS2MT

該 FRAM 芯片(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33

拍字節(jié)(舜銘)存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128可兼容MB85RS128B

該 FRAM 芯片(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13

ADUC831是一款芯片

兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KBFlash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kBFlash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06

ADSP-21992BSTZ是一款存儲(chǔ)器

 ADSP-21992進(jìn)步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能,可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外,ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59

DS28E80Q+T是一款存儲(chǔ)器

DS28E80為用戶可編程存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58

DS28E80是一款存儲(chǔ)器

DS28E80為用戶可編程存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 11:31:16

DS4510是一款擴(kuò)展

 DS4510是CPU監(jiān)控電路,具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口,使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是電晶體材料,這種特殊材料使存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,
2023-06-08 09:52:17

普拉斯異步高速SRAM芯片CY7C1041GN

普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM,由256K字16位組成。通過(guò)斷言芯片使能(CE)和寫(xiě)入使能(WE)輸入LOW來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入,同時(shí)在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù),在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388

內(nèi)存有寫(xiě)入限制嗎?

我們正在構(gòu)建個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那刻的消耗量,所以,我需要做個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題:內(nèi)存有寫(xiě)入限制,所以我需要使用內(nèi)存。寫(xiě)入存儲(chǔ)器是否有些限制?我們的想法是每秒讀取次 ACS712 并寫(xiě)入存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫(xiě)入次非易失性存儲(chǔ)器
2023-05-30 08:48:06

國(guó)芯思辰 |存儲(chǔ)器PB85RS2MC在自動(dòng)駕駛技術(shù)中的應(yīng)用

和耐久設(shè)計(jì),這些要求使國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過(guò)電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23

elf文件怎么燒錄?

不懂單片機(jī),最近公司個(gè)外單要轉(zhuǎn)到國(guó)內(nèi)生產(chǎn),發(fā)了個(gè)后綴名是.elf的燒錄文件,請(qǐng)問(wèn)這個(gè)怎么燒錄?要用什么軟件打開(kāi)?又要用什么樣的燒錄? 芯片是普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

,并把電容放電,藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)。 SRAM: SRAM利用寄存來(lái)存儲(chǔ)信息,所以旦掉電,資料就會(huì)全部丟失,只要供電,它的資料就會(huì)直存在,不需要?jiǎng)討B(tài)刷新,所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。 3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37

存儲(chǔ)介質(zhì)的類(lèi)型有哪些?

種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備,當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí),被解析為內(nèi)置硬盤(pán)設(shè)備。這也是閃存。與MMC和SD卡樣,USB閃存驅(qū)動(dòng)種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。 5、RAM RAM是個(gè)內(nèi)存選項(xiàng)。旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器新品

下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

使用 Python 分析拉普拉斯空間中的二階電路

了解如何使用拉普拉斯變換、Python 和 SymPy 以串聯(lián) RLC 電路為例簡(jiǎn)化電路分析的數(shù)學(xué)運(yùn)算。 研究電路可能是一個(gè)非常滑坡。 在不知不覺(jué)中,你已經(jīng)深入微分方程了。 對(duì)于那些對(duì)微積分感到不
2023-05-03 18:04:001300

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

應(yīng)用于電力監(jiān)測(cè)儀中的存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC

PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元,對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無(wú)污染。
2023-04-20 11:29:57224

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

XMC串行閃速存儲(chǔ)器——XM25QH64C/XM25QH128C

XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器,可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼,存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù),提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器,非常適合于
2023-04-14 10:42:553817

IMX6UL如何從安全存儲(chǔ) (SNVS) 讀取或?qū)懭耄?/a>

創(chuàng)新全系列車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品累計(jì)出貨1億顆

中,車(chē)載電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度顯著提升,對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品而言,大容量、實(shí)時(shí)響應(yīng)、高可靠和安全必不可少,兆創(chuàng)新車(chē)規(guī)級(jí)GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46

求助,如何使用密鑰生成CMAC?

我想用密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

和用于讀取,寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是可擦可編程只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器,可以在字節(jié)級(jí)別讀取,寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)。另方面Flash是EEPROM的種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

樣具有,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較。該器件的工作電壓為2.7V至3.6VFM33256B-G提供256Kb的FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫(xiě)入速度和無(wú)限的耐用使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

FM25L16B-GTR

FRAM存儲(chǔ)器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15

FM25V05-GTR

FRAM存儲(chǔ)器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05

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