工藝設(shè)計(jì)與優(yōu)化應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路（硅柵、鋁柵CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特種器件、光電子器件、半導(dǎo)體傳感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
(opal),但是具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的光子晶體都來(lái)源于人工設(shè)計(jì)和制造,通常利用當(dāng)今先進(jìn)的半導(dǎo)體微加工技術(shù),比如電子束刻蝕技術(shù)和聚焦離子束刻蝕技術(shù), 其精度可優(yōu)于5nm,基本能夠滿足光子晶體集成光電子器件產(chǎn)品
2014-10-14 10:25:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒(méi)有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
的那樣，半導(dǎo)體行業(yè)第四個(gè)時(shí)代的主旨就是合作。讓我們來(lái)仔細(xì)看看這個(gè)演講的內(nèi)容。
半導(dǎo)體的第一個(gè)時(shí)代——IDM
最初，晶體管是在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的，緊接著，德州儀器 (TI)做出了第一個(gè)集成電路。當(dāng)仙童
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動(dòng)車(chē)窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 06:45:56
NanoIdent Technologies公司開(kāi)發(fā)了一款有機(jī)半導(dǎo)體光子傳感器。在柔性基底上印制有機(jī)傳感器可用于各種工業(yè)領(lǐng)域，也可用于現(xiàn)有的基于硅片傳感器市場(chǎng)。 NanoIdent有機(jī)光子傳感器
2018-11-20 15:43:46
梁德豐，錢(qián)省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過(guò)程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導(dǎo)體材料達(dá)到有用的電阻率范圍。半導(dǎo)體的這種特性允許在材料中創(chuàng)建具有非常精確電阻率值的區(qū)域。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個(gè)主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過(guò)良好控制的工藝來(lái)改變硅的某些特征。這是通過(guò)“摻雜”硅獲得的。金屬沉積過(guò)程：蝕刻過(guò)程：組裝過(guò)程描述：文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:34:50
。圖 2 - 集成電路芯片的封裝：(a) 剖視圖顯示了芯片連接到引線框架并封裝在塑料外殼中，以及 (b) 用戶(hù)看到的封裝。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:37:00
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過(guò)程：硅
2021-07-06 09:32:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：Ga-N 系統(tǒng)的熱力學(xué)分析編號(hào)：JFSJ-21-043作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：純冷凝和氣態(tài)鎵
2021-07-07 10:28:12
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度計(jì)的設(shè)計(jì)與制作編號(hào)：JFSJ-21-042作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關(guān)鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：n-GaN的電化學(xué)和光刻編號(hào)：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長(zhǎng)的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：微鏡角度依賴(lài)性與蝕刻劑選擇編號(hào)：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設(shè)備的普及，BGA（球柵陣列）越來(lái)越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
清潔 - 表面問(wèn)題：金屬污染的起源：來(lái)源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過(guò)渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
或 Ni 的鹽，Mg、Zn、Ni 的不溶性氫氧化物沉積以防止腐蝕。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:40:10
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類(lèi)：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來(lái)，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
在產(chǎn)品工序的繁多，對(duì)設(shè)備的高利用率要求，和最特殊的是，“再進(jìn)入”（Re-entry）的流程特點(diǎn)，也就是產(chǎn)品在加工過(guò)程中要多次返回到同一設(shè)備進(jìn)行不同工序的加工。這種特殊的工藝流程特點(diǎn)決定了半導(dǎo)體集成
2009-08-20 18:35:32
請(qǐng)教，關(guān)于MIP705半導(dǎo)體集成電路的應(yīng)用，請(qǐng)有識(shí)之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
想請(qǐng)教一下，國(guó)內(nèi)有妍和江豐兩家半導(dǎo)體靶材（Ti,Niv,Ag）三種靶材的壽命及價(jià)格區(qū)間，12inch wafer！感謝了
2022-09-23 21:40:51
，是控制激光器制備工藝的穩(wěn)定性，激光器性能可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體激光器是半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換器件。如圖1所示，半導(dǎo)體激光器由多層材料構(gòu)成。自下而上包括背電極，襯底，下光限制層，下波導(dǎo)層，有源層，上波導(dǎo)層
2019-07-22 06:36:35
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過(guò)硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
`60V50A 50N06 惠海半導(dǎo)體 高性能低結(jié)電容SGT工藝N溝道MOS管HG012N06L TO-252封裝 高性能 穩(wěn)定可靠東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng)，專(zhuān)注
2020-08-29 14:51:46
問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
電子器件制備工藝
2012-08-20 22:23:29
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
電路集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后
2020-04-22 11:55:14
半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式
2020-02-18 13:23:44
半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類(lèi)可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體各工藝簡(jiǎn)介:1、單晶硅片的制備CZ法主要工藝工程: 籽晶熔接: 加大加熱功率，使多晶硅完全熔化，并揮發(fā)一定時(shí)間后，將籽晶下降與液面接近，使籽晶預(yù)熱幾分鐘
2009-11-24 17:57:12
49 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:16
3788 阿爾卡特朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室、Thales與CEA-Letu日前聯(lián)合宣布，CEA-Leti已加入III-V實(shí)驗(yàn)室，增強(qiáng)研發(fā)中心的產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力，該實(shí)驗(yàn)室居于全歐洲III-V半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 適用于光子集成的半導(dǎo)體微腔雙穩(wěn)態(tài)激光器，在高速光存儲(chǔ)、光交換等光信息處理方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值。模式競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)生的雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體激光器，主要依靠非線性增益抑制實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)的變換，塒應(yīng)的載流子濃度變化很小
2017-11-08 10:29:139 晶元光電總經(jīng)理周銘俊博士在“上游芯片技術(shù)創(chuàng)造下游應(yīng)用新局面”發(fā)表了題為《實(shí)現(xiàn)III-V光電創(chuàng)新，推動(dòng)未來(lái)智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:133885 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體材料與集成電路基礎(chǔ)教程之單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)。
2018-11-19 08:00:0021 晶圓（wafer）是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。極高純度的半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)拉晶、切片等工序制備成為晶圓，晶圓經(jīng)過(guò)一系列半導(dǎo)體制造工藝形成極微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)切割、封裝、測(cè)試成為芯片，廣泛應(yīng)用到各類(lèi)電子設(shè)備當(dāng)中。
2019-01-28 09:33:4913004 
單晶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 11:53:2935 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅光子集成芯片的耦合策略編號(hào)：JFKJ-21-545作者：炬豐科技摘要硅光子學(xué)最有吸引力的一個(gè)方面是它能夠提供極小的光學(xué)元件，其典型尺寸比光纖器件的尺寸小一個(gè)數(shù)
2021-12-17 18:41:4513 和光隔離器等。 從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大趨勢(shì)來(lái)看，未來(lái)光通信器件將主要以光集成技術(shù)(PIC)為核心，其中一大分支技術(shù)是基于III-V簇化合物半導(dǎo)體材料的光集成技術(shù)。通過(guò)硅光子學(xué) (SiPho)技術(shù)，業(yè)界能夠?qū)鹘y(tǒng)用于CMOS集成電路上的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)轉(zhuǎn)移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029 ，這些問(wèn)題變得更加重要。在本文中，我們提出了一種濕式微溝蝕刻工藝，允許單個(gè)太陽(yáng)能電池的電隔離而不損害側(cè)壁。用溴-甲醇蝕刻，通常用于III-V化合物的非選擇性蝕刻的溶液，會(huì)在半導(dǎo)體表面形成不必要的蝕孔。我們研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯(簡(jiǎn)稱(chēng)DVS-BCB或BCB)是作為一種技術(shù)出現(xiàn)適合在工業(yè)規(guī)模上實(shí)現(xiàn)這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導(dǎo)體的器件， 這項(xiàng)工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。 最初，設(shè)計(jì)，制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性
2022-02-24 14:55:40950 
了人們生活的方方面面。將硅光子集成電路（PIC）納入到先進(jìn)CMOS集成電路中的努力往往集中在那些僅靠II-VI或III-V族化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)無(wú)法應(yīng)對(duì)的要求上。但未來(lái)計(jì)算、汽車(chē)、健康和眾多其他應(yīng)用將（或已經(jīng)）受益于利用各種硅或混合技術(shù)的集成化光子
2022-11-01 10:48:06592 
半導(dǎo)體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個(gè)不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 工程師們已經(jīng)能夠在硅光子芯片上集成幾乎所有重要的光學(xué)功能，包括調(diào)制和檢測(cè)的基本功能，除了一項(xiàng)：發(fā)光。硅本身不能有效地做到這一點(diǎn)，所以由所謂的III-V材料制成的半導(dǎo)體，以其成分在周期表上的位置命名，通常用于制造單獨(dú)封裝的組件來(lái)發(fā)光。
2023-04-12 10:57:131078 半導(dǎo)體材料在開(kāi)發(fā)納米光子技術(shù)方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:39510 
硅光子是一種光子集成電路，經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，硅光子學(xué)已經(jīng)取得了重大進(jìn)展
2023-12-26 11:33:08375 
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 16:03:14315
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論