負責監管藍牙技術的行業協會藍牙技術聯盟（SIG）近日發布了中文版市場研究報告《環境物聯網：一種新型藍牙物聯網設備》，深入分析了這種新型物聯網設備。
2024-03-11 15:08:54
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濕電子化學品屬于電子化學品領域的一個分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
該環境物聯網研究報告預測了物聯網的發展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監管藍牙技術的行業協會藍牙技術聯盟（SIG）近日發布了中文版市場研究報告《環境物聯網：一種
2024-03-06 11:07:2487 
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
氮化物半導體具有寬禁帶、可調，高光電轉化效率等優點，在紫外傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外殺菌消毒、激光器、存儲等領域具有廣闊的應用前景，被認為是有前途的發光材料。
2024-01-15 18:18:56672 
通過化學鍍鎳沉積增強納米多孔硅光電陰極的光電化學性能 可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學行為。這些方法包括將Ni涂層應用于NPSi
2024-01-12 17:06:13112 
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵是一種化合物，化學式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結構和優異的物理化學性質，是一種重要的半導體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011040 氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導體材料，其晶體結構屬于
2024-01-10 10:05:09346 氮化鎵是第三代半導體的代表材料。研發之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發光二極管，1990年起開始被廣泛應用于發光二極管上，目前被廣泛應用于功率器件、集成電路、光電子、軍工電子、通訊等領域
2023-12-26 14:38:54270 
轉自：存儲產業技術創新戰略聯盟 2023年11月30日， 存 儲產業技術創新戰略聯盟、中國電子技術標準化研究院聯合發布《分布式融合存儲研究報告（2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術要求
2023-12-21 18:05:01270 
世界各國不僅把6G作為構筑未來數字經濟與社會發展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究機構和聯盟組織相繼發布了6G總體愿景、技術趨勢、網絡架構等方面的白皮書和研究報告，陳述各國發展6G的宏偉愿景與技術思考。
2023-12-19 11:23:36151 
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
存儲研究報告》（以下簡稱：《報告》）正式發布。《報告》首次系統梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術架構和應用場景，為融合存儲產業發展提供參考和指引。 中國電子技術標準化研究院領導表示，“數據成為重要的生產要素，數據
2023-11-30 16:25:01172 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 近日，日本研究研究團隊制造出一種基于AlGaN的垂直深紫外發光半導體激光設備，有望應用于激光加工、生物技術和醫學領域。
2023-11-21 18:27:22606 
電子發燒友網站提供《工業控制系統及其安全性研究報告.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13
0 蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業研究報告
2023-11-07 16:37:390 、H1N1流感病毒、金黃色葡萄球菌的有效殺滅。研究的發現對人類社會在寒冷條件下使用深紫外光子消毒具有重要意義。
2023-10-17 15:22:23878 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
深紫外光電探測器在導彈預警、臭氧層監測、火焰探測等軍事和民用領域均有著廣泛的應用。
2023-10-09 18:16:12383 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
報道，近日，波蘭華沙理工大學（Warsaw University of Technology）的研究人員開發了一種增強型光譜電化學裝置，其中，基于雙域（光學和電化學）光纖的傳感器直接用作工作電極，同時像光譜電化學一樣單獨測量分析物的光學特性。該傳感器采
2023-09-26 09:11:38645 
香港上市公司ESG表現積極 ?但仍需持續改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業服務繼2021年以來，于2023年9月19日，連續第三年發布ESG 研究報告。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265 
近日，中國信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發布了 《零信任發展研究報告（2023年）》 （以下簡稱“報告”），全面介紹了在數字化轉型深化背景下，零信任如何解決企業面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488 
為慶祝河北工業大學校慶120周年，《紅外與激光工程》聯合河北工業大學共同出版“河北工業大學校慶專刊“，特邀請張紫輝教授團隊撰寫“AlGaN基深紫外微型發光二極管的研究進展” 文章，總結了深紫外
2023-09-05 11:16:48337 
實現深紫外光通信的一個關鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實現，但汞燈的調制帶寬非常小，這嚴重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00484 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 用于深紫外線傳感應用的GaN型紫外線傳感器。
與Si型紫外線傳感器相比，新產品對UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。
通過使用GaN,產品的靈敏度是Si型UV傳感器的三倍。
2023-08-11 11:50:40261 
的影響及UV特殊的生物學和化學效應，因此倍受氣象、工業、建筑、醫學方面的重視，廣泛應用于暴曬引起的紅斑劑量、綜合環境生態效應、氣候變化的研究及紫外線監測和預報。
2023-08-07 14:06:0391 
一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應，在環境監測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優化和軍事應用等領域都有重要的應用。由于紫外光在很多領域中具有重要的研究和應用價值，日盲紫外探測器的發展對于提高測量的精確性和可靠性具有重要意義。
2023-08-04 11:21:08762 
佐思汽研發布了《2023年汽車車內通信及網絡接口芯片行業研究報告》。 根據通信連接形態的不同，汽車通信應用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401 
預登記展會領取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業報告之《蜂窩物聯網系列之LTE Cat.1市場跟蹤調研報告》、《中國光伏物聯網產業分析報告》、《2023中國智慧工地行業市場研究報告
2023-07-31 11:14:32525 
自己的模板 研究 報告《 容、感、阻被動元器件市場報告》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 元器件? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-07-17 17:15:04246 
。照明系統是光刻機的重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明、控制曝光劑量和實現離軸照明，以提高光刻分辨率和增大焦深。論文以深紫外光刻照明系統光學設計為研究方向，對照明系統關鍵單元進行了光學設計與仿真研究。
2023-07-17 11:02:38592 
年7月6日 作為致力于助力企業實現數據、資產和人員智能互聯的先進數字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發布2023年《汽車生態系統愿景研究報告》。報告結果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24321 自己的模板 研究 報告《 虛擬人產業鏈及市場前景報告》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 虛擬人? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-07-03 17:25:02283 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
% 化學物及能源損耗，此外還能，再加上節省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環保優勢，將遠遠大于傳統慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產業篇、評測篇、職業篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產業的發展現狀和趨勢進行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
發展研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產業篇、評測篇、職業篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產業的發展現狀和趨勢進行了詳盡研究和分析。 以下為報告內容 受篇幅限制，以上僅為部分報告預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41758 
導電材料Ti3C2Tx MXene 被用來作為氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵電極，MXene和氮化鎵之間形成沒有直接化學鍵的范德華接觸。氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極控制能力得到顯著增強，亞閾值擺幅61 mV/dec接近熱力學極限，開關電流比可以達到創紀錄的~1013。
2023-05-25 16:11:29599 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
自己的模板 研究 報告《 汽車MCU產業鏈分析報告》，如需領取報告，請關注公眾號，后臺回復 ? MCU? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發燒友原創 ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請添加
2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
全國普通高校大學生計算機類競賽研究報告鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計算機類競賽中的表現情況是評估相關高校計算機
2023-04-10 10:16:15
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數據公司（IDC）發布了《中國工業邊緣市場分析》研究報告（以下簡稱《報告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 ，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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