模壓工藝包括放置模具、上料、合模、排氣、固化、脫模、清理模具等步驟。通過(guò)對(duì)這些步驟的精確控制，可以確保鏡片的質(zhì)量和精度。
2024-03-19 11:09:39
77 旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝是一門(mén)精細(xì)的技術(shù)，涉及多個(gè)步驟和精細(xì)的操作，以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，下面簡(jiǎn)單介紹下旋轉(zhuǎn)花鍵的制造工藝。
2024-03-16 17:39:1780 
WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可實(shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
單片機(jī)與串口屏的連接主要涉及硬件連接和軟件設(shè)置兩個(gè)方面。以下是一個(gè)基本的步驟指南
2024-03-13 10:16:46127 
正常的晶振替換疑似不良的晶振。
如果替換后電路板工作正常，那么可以確認(rèn)原先的晶振存在問(wèn)題。
如果晶振經(jīng)過(guò)驗(yàn)證被確認(rèn)為良品，那么確實(shí)需要進(jìn)一步排查晶振周?chē)碾娐芬约芭c電路的匹配問(wèn)題。以下是詳細(xì)的排查步驟
2024-03-06 17:22:17
剛畢業(yè)的時(shí)候IC spec動(dòng)則三四百頁(yè)甚至一千頁(yè)，這種設(shè)置和使用方法很詳盡，但是這幾年IC datasheet為什么越來(lái)越薄了，還分成了IC功能介紹、code設(shè)置、工廠(chǎng)量產(chǎn)等等規(guī)格書(shū)，很多東西都藏著掖著，想了解個(gè)IC什么東西都要發(fā)郵件給供應(yīng)商，大家有知道這事為什么的嗎？
2024-03-06 13:55:43
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見(jiàn)的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類(lèi)。
2024-02-23 17:34:23320 
和無(wú)鉛工藝的區(qū)別問(wèn)題。 為了更好地理解這兩種工藝，我們需要從不同的角度探究它們的優(yōu)缺點(diǎn)。 首先，讓我們先來(lái)了解一下PCBA加工的定義和流程。PCBA加工是指印制電路板( PCB)表面組裝電子元器件的加工工藝，它主要包括了以下幾個(gè)步驟：編寫(xiě)電路板的布局和原
2024-02-22 09:38:5290 WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可兼容不同材質(zhì)
2024-02-21 13:50:34
。 原始石英晶體材料到封裝為最終晶振圖 晶振的制造工藝主要包括以下幾個(gè)步驟： 石英晶體切割：首先，將石英晶體原石進(jìn)行切割，使其成為一定形狀和尺寸的石英晶體片。切割過(guò)程中需要控制晶體片的厚度、直徑和角度等參數(shù)，
2024-02-16 14:59:00317 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《修復(fù)卷取機(jī)軸承室磨損工藝步驟.docx》資料免費(fèi)下載
2024-02-04 14:23:23
0 在本文中，我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝（WLP）。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻（Photolithography）工藝、濺射（Sputtering）工藝
2024-01-24 09:39:09335 
。 一、電解電容的工藝 電解電容的制造工藝主要包括電極制備、介質(zhì)制備、裝配和封裝等步驟。 電解電容是用金屬作為陽(yáng)極（Anode），并在表面形成一層金屬氧化膜作為介質(zhì)；然后濕式或固態(tài)的電解質(zhì)和金屬作為陰極（Cathode）。電解
2024-01-10 15:58:43293 
。 一、薄膜電容的工藝 薄膜電容的制造工藝主要包括金屬薄膜沉積、光刻、腐蝕等步驟。 金屬薄膜沉積：金屬薄膜沉積是薄膜電容制備過(guò)程中的關(guān)鍵步驟，它直接影響到電容的性能。金屬薄膜沉積方法有蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射等。蒸發(fā)
2024-01-10 15:41:54443 
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《對(duì)紙機(jī)烘缸軸磨損采用現(xiàn)場(chǎng)修復(fù)工藝的步驟.docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-08 16:35:170 鉚壓端子是線(xiàn)束加工里面最核心的工序，產(chǎn)品的質(zhì)量好壞控制都在此工序?yàn)橹鳎蚨俗訕I(yè)界目前主要是兩種工藝，一種是鉚壓，一種是焊接，產(chǎn)品加工采用鉚接或焊接，這個(gè)不能一概而論，主要取決于對(duì)接頭的要求，接頭加工條件，以選擇合適的加工工藝。
2024-01-05 11:02:33381 
Oscillator，簡(jiǎn)稱(chēng)XO）一直是個(gè)令人頭疼的問(wèn)題。以下是它們之間的主要差異：
01名稱(chēng)差異
晶體，通常簡(jiǎn)稱(chēng)為XTAL。
晶振，則被稱(chēng)為晶體振蕩器，通常簡(jiǎn)稱(chēng)為XO。
02電源需求
晶體本身無(wú)法振蕩，需要
2024-01-04 11:54:47
一站式PCBA智造廠(chǎng)家今天為大家講講PCBA加工打樣流程包括哪些主要步驟?PCBA打樣的注意事項(xiàng)。在電路板制造的過(guò)程中，PCBA打樣是一個(gè)至關(guān)重要的步驟。PCBA打樣是確定PCBA設(shè)計(jì)的能力
2024-01-04 09:03:54263 
一個(gè)芯片上可以包含數(shù)億～數(shù)百億個(gè)晶體管，并經(jīng)過(guò)互連實(shí)現(xiàn)了芯片的整體電路功能。經(jīng)過(guò)制造工藝的各道工序后，這些晶體管將被同時(shí)加工出來(lái)。并且，在硅晶圓上整齊排滿(mǎn)了數(shù)量巨大的相同芯片，經(jīng)過(guò)制造工藝的各道工序
2024-01-02 17:08:51
以下步驟將介紹如何在循環(huán)中斷 OB“PID [OB200]”中調(diào)用工藝對(duì)象“PID_Compact” 。
2023-12-29 18:10:54620 
ADI的工程師你們好，我最近做旋轉(zhuǎn)變壓器有粗機(jī)和精機(jī)之分，所以要使用2片AD2S1210來(lái)完成數(shù)據(jù)的讀取，關(guān)于同步的問(wèn)題有點(diǎn)不很清楚，下面主要是幾個(gè)不肯定的問(wèn)題。
1、我知道同步時(shí)兩片
2023-12-22 06:23:59
聊一聊制作高壓陶瓷電容的5大關(guān)鍵步驟 制造高壓陶瓷電容是一項(xiàng)復(fù)雜而精密的工藝過(guò)程，它涉及到多個(gè)關(guān)鍵步驟。下面將詳細(xì)介紹制作高壓陶瓷電容的五大關(guān)鍵步驟。 第一步：原材料準(zhǔn)備 制作高壓陶瓷電容的第一步
2023-12-21 10:41:49447 TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過(guò)晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。WD
2023-12-20 11:22:44
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠(chǎng)運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
中圖儀器WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
。
一般地CSP，都是將圓片切割成單個(gè)IC芯片后再實(shí)施后道封裝的，而WLCSP則不同，它的全部或大部分工藝步驟是在已完成前工序的硅圓片上完成的，最后將圓片直接切割成分離的獨(dú)立器件。所以這種封裝也稱(chēng)作圓片級(jí)
2023-12-11 01:02:56
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過(guò)與基材反應(yīng)來(lái)改變表面。IC最小特征的形成被稱(chēng)為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡(jiǎn)要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過(guò)程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331131 
該專(zhuān)利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓的溫度直接影響到其上形成的薄膜的質(zhì)量，包括其厚度、結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)等。因此，對(duì)晶圓表面溫度的精確控制和測(cè)試是保證半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將
2023-12-04 11:36:42
請(qǐng)問(wèn)像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線(xiàn)，芯片太小，過(guò)孔和線(xiàn)路都無(wú)法布入，或者有沒(méi)有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
晶圓承載系統(tǒng)是指針對(duì)晶圓背面減薄進(jìn)行進(jìn)一步加工的系統(tǒng)，該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統(tǒng)工序涉及兩個(gè)步驟：首先是載片鍵合，需將被用于硅通孔封裝的晶圓貼附于載片上;其次是載片脫粘，即在如晶圓背面凸點(diǎn)制作等流程完工后，將載片分離。
2023-11-13 14:02:491410 
WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量及參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)機(jī)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
光纖衰減器是一種用于調(diào)節(jié)光信號(hào)強(qiáng)度的設(shè)備，常用于光纖通信系統(tǒng)中。安裝光纖衰減器需要注意以下幾個(gè)步驟。
2023-11-02 09:22:41282 WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應(yīng)用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339 
WD4000半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
安裝各種電子元器件，所以這使得SMT組裝貼片加工顯得尤為重要。
電子產(chǎn)品各式各樣，PCB板種類(lèi)眾多，SMT貼片加工也需不同的工藝流程，才能應(yīng)對(duì)各種PCB板的組裝，本篇為大家介紹各種PCB板SMT組裝工藝
2023-10-17 18:10:08
在上篇文章中我們講述了傳統(tǒng)封裝方法組裝工藝的其中四個(gè)步驟，這回繼續(xù)介紹剩下的四個(gè)步驟吧~
2023-10-17 14:33:22471 
隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝步驟，而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 2.4TFT屏幕上怎么畫(huà)實(shí)心圓？
2023-10-16 09:12:27
主要部分組成。其工作原理為：當(dāng)加電壓時(shí)，石英晶體就會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)，并產(chǎn)生電信號(hào)，此信號(hào)被檢測(cè)并數(shù)字化后，再通過(guò)處理器進(jìn)行解調(diào)，最后輸出所需的頻率信號(hào)。
二、可編程晶振的結(jié)構(gòu)主要有以下幾個(gè)部分：
晶體：晶體
2023-10-14 17:38:14
stm32有內(nèi)部晶振，為什么還要用外部晶振？
2023-10-13 06:19:46
無(wú)刷電機(jī)，包括電腦風(fēng)扇，洗衣機(jī)等
? 矩陣MW601高靈敏度檔位產(chǎn)品，靈敏度業(yè)內(nèi)最高
更薄的電機(jī)，更高的效率
尺寸圖：
矩陣擁有完整InSb霍爾元件晶圓及封裝產(chǎn)線(xiàn)，可滿(mǎn)足應(yīng)用客戶(hù)對(duì)于性能及外形需求
經(jīng)典封裝
2023-10-11 17:08:09
在此全面應(yīng)用說(shuō)明中，我們將深入探討在整個(gè)凍干工藝過(guò)程中保證精確測(cè)量和數(shù)據(jù)完整性的五個(gè)基本步驟。遵循這些步驟，幫助您有效地駕馭錯(cuò)綜復(fù)雜的凍干工藝，為成功奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
2023-10-11 14:30:34144 
GD32的晶振和STM32的晶振連接有什么不同的地方
2023-10-11 07:58:05
半導(dǎo)體劃片工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要步驟之一，主要用于將大尺寸的晶圓切割成小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過(guò)程。以下是一些半導(dǎo)體劃片工藝的應(yīng)用：晶圓劃片：在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，需要將大尺寸的晶圓切割成
2023-09-18 17:06:19394 
01CW24x系列串行EEPROM具有低引腳數(shù)、高可靠性、多種存儲(chǔ)容量用于靈活的參數(shù)管理和小代碼存儲(chǔ)，滿(mǎn)足穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存、低功耗和空
02間受限的需要
03采用華虹95nm最先進(jìn)工藝，晶圓CP測(cè)試
2023-09-15 08:22:26
EDA（Electronic Design Automation）即電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化，用于電路設(shè)計(jì)和芯片設(shè)計(jì)的過(guò)程。以下是EDA設(shè)計(jì)流程的主要步驟：
1. 設(shè)計(jì)規(guī)劃（Design
2023-08-29 14:36:284667 的容器，耐酸耐堿耐腐蝕(強(qiáng)酸、強(qiáng)氟酸、強(qiáng)堿)，能做激光雕刻，能夠安裝RFID。保持載體和物料的跟蹤。主要用于半導(dǎo)體蝕刻部門(mén)之酸堿制程中使用、傳送晶圓。我司PFA花
2023-08-29 08:57:51
在SMT的工藝流程中，其中一個(gè)重要的步驟是將錫膏準(zhǔn)確無(wú)誤地印刷在PCB焊盤(pán)上，并且具有準(zhǔn)確的開(kāi)口位置和開(kāi)口尺寸、精確的開(kāi)口錐度大小、側(cè)壁光滑,無(wú)毛刺、材料厚度均勻,無(wú)應(yīng)力、模板張力分布均勻等要求。
2023-08-28 10:17:15353 
振產(chǎn)生的問(wèn)題，且為了因應(yīng)現(xiàn)代電子產(chǎn)品輕、薄、短、小的外型，推出了無(wú)晶振USB解決方案－內(nèi)建精準(zhǔn)48 MHz高精度高速 RC 震蕩器，可抗電源干擾且可即時(shí)進(jìn)行同步校正，此方案讓客戶(hù)在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中
2023-08-28 06:56:34
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 據(jù)了解現(xiàn)在很多3c電子工廠(chǎng)，電子產(chǎn)品都用底部填充膠來(lái)保護(hù)電路板芯片／BGA電子元件，其中電路板pcb也是有一定的成本，所以底部填充膠的返修也是個(gè)重要環(huán)節(jié)．底部填充膠的返修工藝步驟：1.把CSP
2023-07-31 14:23:56905 
半導(dǎo)體：生產(chǎn)過(guò)程主要可分為（晶圓制造 Wafer Fabrication） 、（封裝工序 Packaging）、（測(cè)試工序 Test） 幾個(gè)步驟。
2023-07-19 09:47:491347 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030 
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
制造涉及流程、工序較多，在多個(gè)工藝環(huán)節(jié)需要使用電子化學(xué)品。為了提高 PCB 的性能，需要對(duì)生產(chǎn)工藝和搭配的化學(xué)品進(jìn)行改進(jìn)，因此高質(zhì)量的 PCB 專(zhuān)用電子化學(xué)品是制造高端 PCB 的保障。 PCB 的工藝流程主要分為減成法和半加成法，多
2023-06-30 11:12:553348 
PCB埋銅工藝是一種常用的PCB制造工藝，它可以提高PCB的信號(hào)完整性和抗干擾能力。 下面是使用PCB埋銅工藝來(lái)制作PCB電路板的步驟： 1. 設(shè)計(jì)PCB電路圖并生成Gerber文件。 2. 制作
2023-06-13 19:01:161603 捕捉特征邊緣進(jìn)行二維尺寸快速測(cè)量，從而更加有效的對(duì)晶圓表面進(jìn)行檢測(cè)和質(zhì)量控制。此外還可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、微
2023-06-08 14:39:01
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見(jiàn)的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染
2023-06-06 10:29:151093 
詳細(xì)介紹了LLC 設(shè)計(jì)步驟及設(shè)計(jì)公式
2023-05-31 17:02:3619 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
總之，光纖的生產(chǎn)方法主要包括制備光纖材料、制備光纖預(yù)制棒、制備光纖、包覆光纖和切割和測(cè)試等步驟。這些步驟需要嚴(yán)格控制各個(gè)參數(shù)和工藝，以確保光纖的質(zhì)量和性能符合要求。
2023-05-16 15:30:452478 KRi 射頻離子源應(yīng)用于車(chē)載攝像頭鏡片鍍膜工藝, 實(shí)現(xiàn)車(chē)載鏡頭減反, 塑膠鏡片增透車(chē)載鏡頭的鍍膜非常重要, 鍍膜的核心用途就是增加透光率. 先進(jìn)的鍍膜技術(shù)可以最大限度地減少反光, 通過(guò)減少光在折射
2023-05-11 13:36:08
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-05-09 14:12:38
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-04-28 17:41:49
使用的多層板制造技術(shù)，它是用減成法制作電路層，通過(guò)層壓一機(jī)械鉆孔一化學(xué)沉銅一鍍銅等工藝使各層電路實(shí)現(xiàn)互連，最后涂敷阻焊劑、噴錫、絲印字符完成多層PCB的制造。目前國(guó)內(nèi)主要廠(chǎng)家的工藝水平如表3所列
2023-04-25 17:00:25
一、PCB工藝設(shè)計(jì)要考慮的基本問(wèn)題
PCB的工藝設(shè)計(jì)非常重要，它關(guān)系到所設(shè)計(jì)的PCB能否高效率、低成本地制造出來(lái)。新一代的SMT裝聯(lián)工藝，由于其復(fù)雜性，要求設(shè)計(jì)者從一開(kāi)始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
JY-V620是一款集天線(xiàn)、放大器、控制器、紅外感應(yīng)于一體的半導(dǎo)體電子貨架RFID讀寫(xiě)器，工作頻率134.2kHz，兼容TI系列玻璃管標(biāo)簽。工作時(shí)讀寫(xiě)器通過(guò)紅外感應(yīng)FOUP晶圓盒，觸發(fā)天線(xiàn)讀取
2023-04-23 10:45:24
本篇筆記主要記錄基于MBD模型設(shè)計(jì)的PWM輸出步驟和方法。前期工具箱的安裝不在本文檔討論范圍內(nèi)。
2023-04-20 14:19:05590 
隨著電子產(chǎn)品日益普及，對(duì)于電子組件生產(chǎn)的要求也越來(lái)越高。SMT（Surface Mount Technology，表面貼裝技術(shù)）回流焊工藝作為一種高效的電子組件生產(chǎn)工藝，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中。為了確保SMT回流焊工藝的質(zhì)量，以下將詳細(xì)介紹回流焊工藝控制的六個(gè)步驟。
2023-04-19 11:06:09827 
基于PCB的SMT工藝要素包括哪幾個(gè)方面呢？
2023-04-14 14:42:44
引線(xiàn)鍵合步驟完成后，就該進(jìn)行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝，并保護(hù)半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹(shù)脂密封引線(xiàn)鍵合芯片，這樣就完成了我們所知道的半導(dǎo)體芯片。
2023-04-11 09:26:325082 裝片又稱(chēng)黏片。廣義的裝片是指通過(guò)精密機(jī)械設(shè)備將芯片或其他載體，利用粘貼介質(zhì)將其固定在為達(dá)成某種功能而構(gòu)建的平臺(tái)、腔體或任意材料組成的器件內(nèi)。狹義的裝片是指IC 封裝前的工序，即通過(guò)專(zhuān)門(mén)的裝片設(shè)備，利用裝片膠、膠膜等材料，將切割后的圓片芯片與不同封裝形式的框架或基板進(jìn)行黏結(jié)。
2023-04-07 10:38:161856 晶圓GDP2604003D負(fù)壓救護(hù)差壓3Kpa壓力傳感器裸片XGZGDP2604 型壓力傳感器晶圓產(chǎn)品特點(diǎn)：測(cè)量范圍-100…0～1kPa…1000kPa壓阻式原理表壓或絕壓形式***的穩(wěn)定性、線(xiàn)性
2023-04-06 15:09:45
wafer晶圓GDP703202DG恒流1mA表壓2Mpa裸片壓力傳感器die產(chǎn)品概述：GDP0703 型壓阻式壓力傳感器晶圓采用 6 寸 MEMS 產(chǎn)線(xiàn)加工完成，該壓力晶圓的芯片由一個(gè)彈性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
劃片工藝又稱(chēng)切割工藝，是指用不同的方法將單個(gè)芯片從圓片上分離出來(lái)，是封裝中必不可少的工藝。
2023-04-04 16:15:582572 作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377224
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