本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導(dǎo)體晶片浸入清潔組的步驟、旋轉(zhuǎn)上述沉積的半導(dǎo)體晶片的凸緣區(qū)域，在規(guī)定的時間內(nèi)清洗上述旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片、將上述清潔的半導(dǎo)體晶片浸入上述清潔組之外的步驟。

涉及半導(dǎo)體晶片濕式清洗方法，特別是，半導(dǎo)體晶片用濕式均勻清洗方法。一般來說，半導(dǎo)體器件制造過程中，通過氧化和擴(kuò)散過程、照相過程、蝕刻過程和薄膜沉積過程等，將半導(dǎo)體器件聚集到Weiper中的過程中，會伴隨著粒子、灰塵和水分等不可選擇的雜質(zhì)。這種雜質(zhì)是引起半導(dǎo)體器件物理缺陷及特性下降的原因，最終會使器件的收率下降。因此，為了使元件的收率保持在適當(dāng)狀態(tài)，正在單位工序前后進(jìn)行清除不需要的雜質(zhì)的清洗過程。

圖1是用于說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體晶片清洗方法的圖紙。參照圖1，為了從晶片(10)的表面消除污染源，將晶片(10)的平坦區(qū)域?qū)?zhǔn)預(yù)定方向，然后將晶片(10)浸泡在含有清洗液的清洗槽中,這時，晶片的平坦區(qū)域按照不與洗滌池的入口相對的方向排列。因此，晶片按A區(qū)域、B區(qū)域、C區(qū)域的順序沉積在洗滌池中。在這里，清洗液由適當(dāng)?shù)娜軇┗蚧瘜W(xué)溶液組成，以消除目標(biāo)污染源。在圖1中，箭頭指示晶片(10)沉積在洗滌液(20)上的方向。

其次，在規(guī)定的時間內(nèi)保持晶片(10)的沉積狀態(tài)，以便徹底消除晶片(10)表面的目標(biāo)污染源。此時，為了有效地去除有機(jī)膜、離子性粒子和大約3000毫米左右的小粒子，還會使用超或甲加丹上的超聲波。接下來，通過將晶片(10)浸泡清洗槽(20)轉(zhuǎn)子后進(jìn)行自旋干化(Spin Dry)，將留在晶片表面的清洗液干燥，完成清洗過程。

這樣，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶片清洗方法中，以晶片的平坦區(qū)域為標(biāo)準(zhǔn)，僅在一定方向上沉積在清洗液中，清洗晶片。在這種情況下，不需要的雜質(zhì)會溶解，從而產(chǎn)生流動性粒子缺陷。

圖2a和圖2b是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)顯示流動性粒子缺陷的圖紙。如圖2a和圖b所示，在傳統(tǒng)的清洗方法中，只有半導(dǎo)體晶片的特定區(qū)域(C)中才會出現(xiàn)清洗液的溶解速度差引起的雜質(zhì)殘留。更詳細(xì)地說，與A區(qū)域相比，B和C區(qū)域在更短的時間內(nèi)接觸清潔液，因此A區(qū)域充分清潔，而B和C區(qū)域通過相對較短的清潔時間，將出現(xiàn)流動性口型自缺陷現(xiàn)象。

這種流動性粒子缺陷現(xiàn)象將成為直接影響器件電氣特性劣化的主要因素，半導(dǎo)體器件電路模式的精細(xì)化將取得進(jìn)展，隨著其精度的增加，其對器件的影響力將進(jìn)一步擴(kuò)大。因此，本發(fā)明的目的在于為了解決上述問題，通過在晶片浸泡在清洗組中的情況下向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)，緩解晶片各區(qū)域的溶解速度差，提供防止流動性顆粒缺陷現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶片濕式清洗方法。

為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗方法是，具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清洗液的三個貞操的步驟；對齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述洗滌器的入口相對；將相位對齊的半導(dǎo)體晶片浸入洗滌池的步驟；上述沉積半導(dǎo)體晶片的襟翼旋轉(zhuǎn)，使其不與洗滌器的入口相對；上述旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片在規(guī)定時間內(nèi)清洗的步驟；以及具備將上述清洗的半導(dǎo)體晶片浸入上述清洗槽之外的步驟。

以下，根據(jù)所附圖紙，更詳細(xì)地說明本發(fā)明可取的實施例。圖3a和圖3b是用于說明根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片清洗方法的圖紙。參考圖3a，首先，在配備半導(dǎo)體晶片(100)和含有預(yù)定清潔液的洗滌液(200)后，為了從半導(dǎo)體晶片(10 0)的表面消除污染源，晶片(100)的平坦區(qū)域(Flat Zone)(102)此時，晶片100的平坦區(qū)域102與洗滌器200的入口不相對的方向?qū)R。因此，半導(dǎo)體晶片(100)與傳統(tǒng)方法一樣，按A、B、C區(qū)域的順序沉積在清洗組(200)中。在圖3a中，箭頭表示半導(dǎo)體晶片100的沉積方向。

另一方面，上述清潔液包含在半導(dǎo)體晶片(100)中形成的被清潔物，即氧化膜、聚合物、金屬和有機(jī)物形式的薄膜，以及溶劑或化學(xué)溶液，以去除存在于半導(dǎo)體晶片(100)表面的顆粒形式的污染物。為此，上述清潔液最好含有H 2 SO 4、H 2 O 2、NH 4 OH、H 2 O、HCL、HF或溶劑。

參照圖3b，為了防止上述流動性粒子缺陷現(xiàn)象，使用Rouller等預(yù)定的旋轉(zhuǎn)手段，將半導(dǎo)體晶片(100)順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)。此時，將半導(dǎo)體晶片(100)順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)180°，以便半導(dǎo)體晶片(100)的平坦區(qū)域(102)與洗滌器(200)的入口相對。在圖3b中，參考符號300指示半導(dǎo)體晶片100的旋轉(zhuǎn)方向。

其次，旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片(100a)在小定時期間保持沉積狀態(tài)進(jìn)行清洗。因此，通過對上述溶劑或化學(xué)溶液旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片(100a)的表面作出反應(yīng)，去除上述薄膜和顆粒形式的污染物等被清洗物。然后，清洗完成后，將那個清洗過的半導(dǎo)體晶片浸入清洗槽(200)之外。在圖3b中，箭頭指示半導(dǎo)體晶圓(100)脫離方向。在此，需要注意的是，本發(fā)明的工作實施例不僅適用于單張晶片，還適用于成批清洗復(fù)數(shù)晶片。

為了統(tǒng)一清洗復(fù)仇晶片的方法，可以使用盒式磁帶。在這種情況下，將多個晶片安裝在卡帶上后，將多個晶片的平坦區(qū)域?qū)?zhǔn)洗滌池的入口不面向的方向，將那些對齊的卡帶浸入洗滌池中，進(jìn)行上述一系列洗滌工。

雖然上述說明并闡明了本發(fā)明的具體實施例，但本發(fā)明由糖業(yè)者進(jìn)行了多種變形，具有實施的可能性是不言而喻的。這些變形的實施例不應(yīng)從本發(fā)明的技術(shù)思想或前景中單獨理解，而應(yīng)屬于本發(fā)明所附專利申請范圍內(nèi)。如上所述，本發(fā)明通過在晶片浸泡在清洗組中的情況下向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)，緩解晶片各區(qū)域的溶解速度差，防止流動性顆粒缺陷現(xiàn)象，從而實現(xiàn)均勻的晶片清洗，這不僅改善了元件的電氣特性，還能產(chǎn)生增加元件收率的效果。

　　審核編輯：湯梓紅