簡單易用的 25 A 轉換器集成 NexFET? 技術，效率比其它產品提高5%，開關速度提高1.5 倍

北京2011年4月7日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)日前宣布推出集成 FET的業界最小型、最高效率的降壓轉換器，可為電信、網絡以及其它應用提供高達25A 的電流。

25A，14V 的 TPS56221集成 NexFET MOSFET 且簡單易用，與 SWIFT 開關轉換器同步，可在12V 輸入至1.3V 輸出的高負載條件下，同時實現超過200W/in3 的功率密度以及超過90%的效率，從而可在500kHz 開關頻率下提供高達25A 的持續輸出電流。最新 TPS56121 15A、14V 同步開關轉換器與其它同類產品相比，不但可在5V 輸入至1.2V 輸出下將效率提高3%，而且還可將開關速度提高2倍。

TI 電源管理業務部高級副總裁 Sami Kiriaki 指出：“板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是那些在更強電流下工作的系統。這兩款新產品既可將我們的 SWIFT 系列產品延伸至更強電流應用的領域，又可幫助客戶在功率密度、效率以及熱管理方面有所突破，從而為終端設備實現更低的功耗和更高的可靠性?！?/p>

TPS56221與 TPS56121采用熱增強型5毫米 x 6毫米 QFN 封裝，尺寸比其它分立式解決方案小 30%，僅為315 mm2。這兩款器件是首批集成 TI NexFET 技術的產品，可提高熱性能、保護功能、效率以及可靠性。它們不但提供300kHz、500kHz 以及1MHz 三種可選頻率以實現更高的設計靈活性，而且還支持4.5V～14V 的寬泛輸入電壓。

TPS56221與 TPS56121的主要特性與優勢：

強電流與高效率：4.5V-14V 輸入電壓時，在25A 與15A 峰值負載電流下，效率可超過90%；
小尺寸與更高功率密度：總體解決方案尺寸僅為315 mm2，可將封裝最大限度地縮小，同時實現超過200W/in3 的功率密度；
NexFET 功率塊支持多相位50A、100A 及更強電流

除 SWIFT 轉換器的強電流性能之外，TI 去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強電流下實現高效率的多相位負載點設計。小巧的5毫米 x 6毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝，支持高達1.5MHz 的頻率，可降低熱阻抗并簡化布局。CSD86350Q5D在25A 電流下效率超過90%，且還能與 TI 的 TPS40140 堆棧控制器相結合，在保持整個負載高效率的同時，支持多相位設計；其電流可擴展至50A、100A 以及更高。

廣泛的降壓轉換器產品系列

TI 可提供業界最廣泛的降壓轉換器，其中包括集成FET 的 DC/DC 轉換器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K? DC/DC 控制器以及全面集成型電源解決方案，如集成電感器的最新 TPS84620等。

供貨情況

TPS56221 與 TPS56121 采用22引腳5毫米 x 6毫米 QFN 封裝，該封裝有一個 PowerPad? 散熱焊盤，易于焊接。樣片與評估板將于3月底面市。