N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31780 
3月25日，科技之巔·麻省理工科技評(píng)論全球十大突破性技術(shù)峰會(huì)在北京召開(kāi)，該峰會(huì)是全球最為著名的技術(shù)榜單之一，峰會(huì)圍繞十大突破性技術(shù)在中國(guó)落地性最強(qiáng)，并對(duì)目前最受關(guān)注的領(lǐng)域進(jìn)行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
和工作原理 功率MOSFET的種類(lèi)：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在
2019-06-14 00:37:57
MOSFET 晶體管是可以電壓驅(qū)動(dòng)電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡(jiǎn)單功率MOSFET電機(jī)控制器。這是一個(gè)典型的 MOSFET開(kāi)關(guān)電路。由于電動(dòng)機(jī)負(fù)載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
：它是電壓控制器件具有高輸入阻抗值在P溝道中，溝道的導(dǎo)電性是由于柵極端的負(fù)極性。與N溝道相比，P溝道MOSFET特性基本都差不多，但唯一的區(qū)別是極性不同，因?yàn)檫@襯底值是不一樣的。優(yōu)缺點(diǎn)P溝道MOSFET
2022-09-27 08:00:00
MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱(chēng)為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
。功率 MOSFET 的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類(lèi)似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類(lèi)；每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
時(shí)的損耗：阻性關(guān)斷的損耗和上面過(guò)程相類(lèi)似，二者相加，就是阻性開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的總的開(kāi)關(guān)損耗。功率MOSFET所接的負(fù)載、變換器輸出負(fù)載和變換器所接的輸出負(fù)載是三個(gè)完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來(lái)說(shuō)
2016-12-16 16:53:16
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
`功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用 功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu) 圖1是典型平面N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
印刷電路板設(shè)計(jì)解決方案供貨商明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線(xiàn)技術(shù)，這種業(yè)界首創(chuàng)的拓樸布線(xiàn)(topology router)技術(shù)，能把工程師知識(shí)、電路板設(shè)計(jì)人
2018-08-31 11:53:50
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應(yīng)用實(shí)例？AD7981是如何在極端溫度下實(shí)現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來(lái)，這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
來(lái)源：國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)MIT Technology Review2020年“十大突破性技術(shù)”解讀［編者按］ 2020年2月26日，MIT Technology Review一年...
2021-07-26 08:09:34
Multisim10.0元件庫(kù)沒(méi)P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒(méi)P的啊
2012-11-03 10:45:54
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">這款FDN359AN是N溝道邏輯電平MOSFET的生產(chǎn)采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，特別是
2010-04-15 09:51:37
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類(lèi)型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8腳貼片封裝，實(shí)為一只復(fù)合MOSFET，內(nèi)含一只P溝道和N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖所示，其最大漏源電流Idsm為7A，最大漏源電壓Vds為30V，該元件在TCL液晶電
2021-04-06 06:53:57
SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-29 16:39:10
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話(huà)，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
TinySwitch系列將700V功率MOSFET、晶振、高壓開(kāi)關(guān)電流源、限流和熱關(guān)斷電路集于一體，以其突破性設(shè)計(jì)為用戶(hù)提供0~10W的成本最低和高效率離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源。265VAC輸入時(shí)，其空載功耗僅80mW。
2021-05-07 07:24:11
圖1為二個(gè)P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號(hào)為：AO4459。Q3和R1實(shí)現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過(guò)搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來(lái)說(shuō)非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
看完你會(huì)大有收獲。1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？功率MOSFET有兩種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇
2019-04-04 06:30:00
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測(cè)電流的工作原理是什么？影響電流檢測(cè)準(zhǔn)確性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16:38
。功率 MOSFET 的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類(lèi)似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類(lèi)；每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。N溝道MOSFET在柵-源極端子上施加適當(dāng)閾值的正電壓時(shí)導(dǎo)
2021-04-09 09:20:10
針對(duì)無(wú)人機(jī)突破性的電池管理：2S1P電池管理系統(tǒng)（BMS）參考設(shè)計(jì)將無(wú)人機(jī)電池組轉(zhuǎn)換為智能診斷黑匣子記錄儀。這款智能診斷黑匣子記錄儀可精確監(jiān)視剩余電量，并在整個(gè)電池使用期全程保護(hù)鋰離子電池。設(shè)計(jì)人
2018-06-26 09:42:10
有沒(méi)有人用過(guò)SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無(wú)法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問(wèn)題？
2016-08-28 18:29:46
的寄生電容和以下的因素相關(guān)：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結(jié)的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
K9是單片機(jī)控制信號(hào)，OUT_12V_1是時(shí)鐘（脈沖）信號(hào)，IN1B會(huì)有幾種輸出狀態(tài)呢？光耦LTV-357T-D接P溝道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一，《麻省理工科技評(píng)論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在現(xiàn)實(shí)中得以應(yīng)用，有...
2021-07-05 07:25:43
來(lái)源： 數(shù)字化企業(yè)作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一，《麻省理工科技評(píng)論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在...
2021-07-05 07:35:37
討論如何根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在
2011-08-17 14:18:59
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類(lèi)：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:3315 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:3925 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 ADS42B49IRGCT：突破性能邊界的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器在當(dāng)今高速、高精度的信號(hào)處理領(lǐng)域，一款出色的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）往往能夠成為系統(tǒng)性能的決定性因素。德州儀器（Texas Instruments
2024-02-16 16:49:18
隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展，功率MOSFET在開(kāi)關(guān)變換器中開(kāi)始廣泛使用，為此美國(guó)硅通用半導(dǎo)體公司（Silicon General）推出SG3525。SG3525是用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET。其產(chǎn)品一推出就受到廣泛
2010-09-25 16:44:45252 功率MOSFET的種類(lèi)
按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型—
2009-04-14 22:08:473906 
N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810460 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52712 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應(yīng)用
2010-02-03 10:13:151095 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 市場(chǎng)研究調(diào)查認(rèn)定的 一項(xiàng)突破性數(shù)位設(shè)計(jì)分析技術(shù)
Tektronix 已經(jīng)開(kāi)始一項(xiàng)創(chuàng)新的機(jī)種，以新的概念及生產(chǎn)系列以
2010-08-06 08:30:35344 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱(chēng)為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521279 
MCP87130 是采用常見(jiàn)的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:002 MCP87090 是采用常見(jiàn)的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線(xiàn)路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:329 LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193 P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET G12P04K規(guī)格書(shū)英文版
2021-12-02 10:44:130 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET G23N06K規(guī)格書(shū)英文版
2021-12-02 10:49:100 P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET LT2P06SJ資料說(shuō)明
2022-01-23 09:40:113 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 ”。它是由金屬、氧化物（SiO2或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET（PowerMOSFET）是指它能輸出較大的工作電流（幾安到幾十安），用于功率輸出級(jí)的器件。功率MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型，按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
2023-02-15 15:47:36426 實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。
2023-02-17 18:11:011420 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱(chēng)為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005293 
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2023-09-19 17:29:110 和小功率MOSFET類(lèi)似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
RU2060LN溝道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060 驪微電子提供RU2060LN溝道功率MOSFET詳細(xì)手冊(cè)及應(yīng)用資料！
2021-11-19 16:02:420
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