阿爾卡特朗訊宣布攜手中國(guó)移動(dòng)推出創(chuàng)新型靈云無(wú)線系列全新產(chǎn)品。針對(duì)中國(guó)這一全球最大的移動(dòng)業(yè)務(wù)市場(chǎng)，該產(chǎn)品將幫助中國(guó)移動(dòng)加速在全國(guó)范圍內(nèi)部署4G TD-LTE 技術(shù)，以滿足用戶快速增長(zhǎng)的對(duì)移動(dòng)視頻與數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的需求。
2013-02-25 22:41:35
884 半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺（Ge）和三五族（III-V）元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升芯片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。
2013-03-15 09:11:281142 4月14日凌晨消息，據(jù)彭博社報(bào)道，有熟知內(nèi)情的消息人士稱，諾基亞正在與阿爾卡特-朗訊展開(kāi)有關(guān)收購(gòu)后者部分業(yè)務(wù)的高級(jí)談判，目的是增強(qiáng)其電信設(shè)備業(yè)務(wù)以及更好地與愛(ài)立信展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。
2015-04-15 10:55:50605 諾基亞166億美元收購(gòu)阿爾卡特-朗訊，諾基亞是將咸魚(yú)翻身，還是萬(wàn)劫不復(fù)，還有待時(shí)間來(lái)檢驗(yàn)。
2015-04-16 09:25:311221 IBM和三星昨日宣布他們將涉足半導(dǎo)體材料、制造以及其他技術(shù)的基礎(chǔ)研發(fā)。
2011-01-15 08:03:44492 
意法半導(dǎo)體布局第三代半導(dǎo)體多年，是推動(dòng)氮化鎵、碳化硅等發(fā)展商用的主要廠商之一。在氮化鎵方面，2018年意法半導(dǎo)體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術(shù)
2020-02-24 08:57:483655 請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來(lái)了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
摘要 : 導(dǎo)讀：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來(lái)，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是，整個(gè)周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
光源。該問(wèn)題的一種解決方案是硅與 III-V 族半導(dǎo)體的混合集成。在混合集成中，III-V 族半導(dǎo)體鍵合在 SOI 波導(dǎo)電路的頂部。有源光子功能（光發(fā)射、放大）由 III-V 材料執(zhí)行，而無(wú)源功能
2021-07-08 13:14:11
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導(dǎo)體材料達(dá)到有用的電阻率范圍。半導(dǎo)體的這種特性允許在材料中創(chuàng)建具有非常精確電阻率值的區(qū)域。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長(zhǎng)的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
提供專業(yè)、高效、技術(shù)支持與服務(wù)。此外還可為有需求的長(zhǎng)三角及周邊客戶提供短時(shí)間內(nèi)到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)維修技術(shù)服務(wù)。 0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件的分類及性能： （1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一
2020-03-26 15:40:25
上海貝爾阿爾卡特BSC詳解（內(nèi)部資料）
2013-07-11 19:50:24
上海貝爾阿爾卡特BSC詳解（內(nèi)部資料）2
2013-07-11 21:54:48
、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)
2021-05-25 08:01:53
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅
2021-07-23 08:11:27
、磁阻元件、磁敏二極管、磁敏三極管等。主要材料有銻化銦、砷化銦、鍺和硅等。這類器件的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，易于集成化，耐沖擊，頻響寬（從直流到微波），動(dòng)態(tài)范圍大，而且可以實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸檢測(cè)，不存在磨損，抗污染，不產(chǎn)生火花，使用安全，壽命長(zhǎng)，因此它在測(cè)量技術(shù)、自動(dòng)控制和信息處理等方面有廣泛的應(yīng)用。
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來(lái)，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti開(kāi)發(fā)出可用于提供交通運(yùn)輸數(shù)據(jù)的新工具，包括一個(gè)可讓通勤使用者佩戴的腕帶型穿戴式應(yīng)力監(jiān)測(cè)器，以及與其搭配的智能手機(jī)應(yīng)用程序(App)，可用于偵測(cè)佩戴者所使用的交通運(yùn)輸方式，并評(píng)估使用者的決定對(duì)于環(huán)境的影響。
2020-08-19 07:39:54
高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來(lái)的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)
2019-05-30 06:50:43
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
。作為全球FTTH接入解決方案領(lǐng)導(dǎo)者，阿爾卡特朗訊提出了新型的低成本網(wǎng)絡(luò)運(yùn)維解決方案。這個(gè)方案基于阿爾卡特朗訊最新的嵌入式PON光鏈路層監(jiān)測(cè)技術(shù)。將OTM和OTDR嵌入到光收發(fā)模塊上，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光
2019-08-12 07:32:26
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。3. III-V族材料上柵堆疊：Intel、Sematech等已在討論在未來(lái)設(shè)計(jì)中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。4. 量子阱
2014-01-04 09:52:44
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來(lái)，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
模塊化，按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹(shù)脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
聚光型太陽(yáng)能電池主要材料是[砷化鎵](GaAs)，也就是三五族(III-V)材料，一般硅晶材料只能夠吸收太陽(yáng)光譜中400～1,100nm波長(zhǎng)之能量，而聚光型不同于硅晶圓太陽(yáng)能技術(shù)，透過(guò)多接面化合物
2019-10-15 09:12:19
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對(duì)我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
高阻硅材料進(jìn)口半導(dǎo)體單晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直徑1～8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，異型硅片，電阻率30000Ω.Cm，詳細(xì)參數(shù)來(lái)電咨詢，也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢，***.
2018-01-22 11:49:03
阿爾卡特－朗訊 2008校園招聘 筆試題
第一部分是通信類題目1、信道編碼的作用2、中國(guó)移動(dòng)SMS短信的原理3、repeater、bridge、router 區(qū)別4、最近2－3年通信領(lǐng)域的發(fā)
2009-01-07 08:21:11
41 阿爾卡特的GSM基本原理教材:
2009-06-19 17:32:0144 ?? 阿爾卡特集團(tuán)在全球市場(chǎng)上是固網(wǎng)話音通信、移動(dòng)通信、寬帶數(shù)據(jù)和光傳輸?shù)确矫鎸＜摇０l(fā)展傳統(tǒng)的話音和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的同時(shí)，阿爾卡特很早投入了下一代網(wǎng)絡(luò)的研究和開(kāi)發(fā)
2009-06-25 14:25:2830 阿爾卡特BSC維護(hù)手冊(cè):BSC維護(hù)操作手冊(cè) B71 Evolium BSC維護(hù)手冊(cè)1.1 準(zhǔn)備工作注意：當(dāng)BSC軟件版本為B7.2時(shí)，必須使用對(duì)應(yīng)的操作維護(hù)終端進(jìn)行維護(hù)操作。此外，還需要對(duì)應(yīng)
2010-03-19 08:45:3420 阿爾卡特軟交換產(chǎn)品VOIP數(shù)據(jù)創(chuàng)建過(guò)程成都通信建設(shè)工程局 王璽 薛恒飛 郵政編碼 611130[摘要] 本文通過(guò)對(duì)阿爾卡特移動(dòng)軟交換設(shè)備在VOIP數(shù)據(jù)如何創(chuàng)建過(guò)程的介紹，簡(jiǎn)要介
2010-05-16 01:39:226 PTN技術(shù)主要有兩個(gè)個(gè)，即T-MPLS和PBT。
其中T-MPLS經(jīng)由阿爾卡特朗訊、愛(ài)立信、
2010-09-03 16:08:4972 半導(dǎo)體世界是平的--記貝爾實(shí)驗(yàn)室終止半導(dǎo)體研究
貝爾實(shí)驗(yàn)室?guī)滋烨白C實(shí)了關(guān)于該公司退出芯片研究業(yè)務(wù)的消息。
貝爾實(shí)驗(yàn)室，現(xiàn)已成為阿爾卡特-朗訊公司的一
2008-09-03 09:33:20434 在今年2月巴塞羅那的移動(dòng)世界大會(huì)上，美國(guó)運(yùn)營(yíng)商VerizonWireless宣布了構(gòu)建美國(guó)首個(gè)LTE網(wǎng)絡(luò)的規(guī)劃，并選擇了阿爾卡特朗訊作為其惟一全面提供LTE、ePC和IMS端到端系統(tǒng)的供應(yīng)商，支持
2009-06-16 14:00:45619 近日，阿爾卡特宣布以3.2億美金收購(gòu)北電旗下WCDMA業(yè)務(wù)及其相關(guān)資產(chǎn)。
根據(jù)協(xié)議，阿爾卡特將收購(gòu)北電旗下OSIRIS品牌的WCDMA業(yè)務(wù)，主要包括北電WCDMA無(wú)線產(chǎn)品、相關(guān)資產(chǎn)和專
2009-06-20 09:54:38351 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:163788 阿爾卡特朗訊宣布推出新型無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)解決方案lightRadio，該解決方案徹底顛覆了現(xiàn)有的移動(dòng)及寬帶基礎(chǔ)架構(gòu)，顯著簡(jiǎn)化了移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
2011-02-21 11:56:18873 爾卡特品牌國(guó)內(nèi)首款A(yù)ndroid平臺(tái)手機(jī)年內(nèi)上市。阿爾卡特2011年將加大開(kāi)發(fā)高性價(jià)比智能手機(jī)，推出更多新型娛樂(lè)社交型的互聯(lián)網(wǎng)手機(jī)，布局UMTS等3G制式。
2011-02-25 10:26:21655 阿爾卡特朗訊今天早間宣布，該公司的中國(guó)旗艦公司——上海貝爾已完成了TD-LTE規(guī)模外場(chǎng)準(zhǔn)入測(cè)試
2011-03-26 09:27:35705 阿爾卡特朗訊OmniAccess AP60和61（OAW-AP60和OAW-AP61）是無(wú)線密集部署的理想 選擇，它們是單頻802.11a或b/g AP，提供了高容量、性能和覆蓋能力。通過(guò)與阿爾卡特 朗訊OmniAccess無(wú)線交換機(jī)配合，
2011-03-29 09:56:410 近日,明尼蘇達(dá)州 ST PAUL 和紐約 ARMONK 聯(lián)合報(bào)道：3M 公司和 IBM 公司日前宣布將共同研發(fā)一種新的粘接材料，用來(lái)把半導(dǎo)體封裝成密集的疊層硅片“塔”(towers)。兩家公司的目標(biāo)是創(chuàng)制一種
2011-09-14 09:04:32787 日前，阿爾卡特朗訊宣布推出增強(qiáng)型寬帶產(chǎn)品，以進(jìn)一步推進(jìn)超高速寬帶業(yè)務(wù)的發(fā)展。采用率先實(shí)現(xiàn)商用的VDSL2矢量化技術(shù)，阿爾卡特朗訊將幫助運(yùn)營(yíng)商大幅提升現(xiàn)有銅線接入網(wǎng)絡(luò)的速
2011-10-10 10:02:14748 日前，阿爾卡特朗訊推出一套全新的方案，幫助企業(yè)通訊系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)云架構(gòu)遷移，滿足服務(wù)商、系統(tǒng)集成商及渠道商實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一通信及服務(wù)需求，實(shí)現(xiàn)基于云架構(gòu)的應(yīng)用型通信服務(wù)。
2013-03-27 15:11:37905 阿爾卡特朗訊（巴黎證交所與紐約證交所：ALU）和美國(guó)高通技術(shù)公司（NASDAQ：QCOM）今日宣布，計(jì)劃聯(lián)合開(kāi)發(fā)小型基站，旨在增強(qiáng)3G、4G和WiFi網(wǎng)絡(luò)，改善住宅和企業(yè)環(huán)境中的無(wú)線連接。
2013-08-03 10:14:01791 手機(jī)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)必備阿爾卡特手機(jī)電路圖原理圖U8S，感興趣的可以下載看看！
2015-10-29 17:20:3215 全球網(wǎng)絡(luò)與通信市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Dell’Oro發(fā)布 “2015年第4季度全球無(wú)線局域網(wǎng)WLAN市場(chǎng)報(bào)告”，報(bào)告顯示，ALE（以阿爾卡特朗訊企業(yè)通信為品牌）2015年第4季度在無(wú)線局域網(wǎng)WLAN市場(chǎng)同比和環(huán)比增長(zhǎng)率均表現(xiàn)出色，領(lǐng)跑市場(chǎng)水平。
2016-04-15 17:45:38854 ALE，以阿爾卡特朗訊企業(yè)通信為品牌，日前宣布阿爾卡特朗訊Rainbow?現(xiàn)已正式面世，這是一個(gè)基于云的創(chuàng)新型管理平臺(tái)，能夠?qū)⑵髽I(yè)用戶、業(yè)務(wù)聯(lián)系人和系統(tǒng)連接在一起。通過(guò)Rainbow，員工能夠提高協(xié)作性和生產(chǎn)力，突破企業(yè)邊界的限制。
2016-12-05 14:29:30990 晶元光電總經(jīng)理周銘俊博士在“上游芯片技術(shù)創(chuàng)造下游應(yīng)用新局面”發(fā)表了題為《實(shí)現(xiàn)III-V光電創(chuàng)新，推動(dòng)未來(lái)智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:133885 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。
2018-09-30 14:36:333921 以諾基亞收購(gòu)阿爾卡特朗訊中雙方專利技術(shù)領(lǐng)域情況為例來(lái)看，諾基亞在通信這塊以無(wú)線寬帶為主，而阿爾卡特朗訊除了無(wú)線還有IP/固網(wǎng)寬帶、超寬帶等，收購(gòu)阿爾卡特朗訊正好可以彌補(bǔ)諾基亞的產(chǎn)品布局。除此之外，阿爾卡特朗訊在北美市場(chǎng)做得非常好，而諾基亞正好在這一市場(chǎng)相對(duì)薄弱，兩家地域發(fā)展優(yōu)勢(shì)可以互補(bǔ)。
2018-10-24 10:14:0924442 Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來(lái)幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:275745 涉及機(jī)構(gòu)不僅包括傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體垂直整合廠商（IDM）——英飛凌、意法半導(dǎo)體，模擬/混合信號(hào)集成電路IDM——X-FAB，還包括科研機(jī)構(gòu)——法國(guó)原子能委員會(huì)與電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（CEA-Leti
2019-02-25 11:13:214712 和資源，嘗試提高電池管理系統(tǒng)（BMS）。但是，沒(méi)人考慮過(guò)將BMS、充電器和逆變器直接整合至一個(gè)電池組內(nèi)。據(jù)外媒報(bào)道，位于法國(guó)格勒諾布爾（Grenoble）的研究機(jī)構(gòu)法國(guó)原子能委員會(huì)電子與信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（CEA－Leti）卻提出了該想法
2020-10-05 10:07:00355 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，CEA-Leti在2020年美國(guó)西部光電展針對(duì)其最新推出的光聲光譜探測(cè)器，發(fā)表了題為《微型光聲探測(cè)器：突破集成在硅片上的中紅外光聲光譜技術(shù)極限》的論文，該探測(cè)器具有較強(qiáng)的抗噪聲干擾能力、高靈敏度以及高選擇性。
2020-02-19 09:19:532732 近日阿爾卡特推出了一款入門(mén)級(jí)的新機(jī)，Alcatel 3L。這款阿爾卡特3L將于2021年3月開(kāi)售，在歐洲各地的零售價(jià)為149歐元，該機(jī)是TCL在CES上公布的最貴的阿爾卡特手機(jī)。
2021-01-12 14:52:541766 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
為了減小對(duì)臺(tái)積電的依賴，美日雙方開(kāi)始聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)，近日據(jù)報(bào)道稱，日本計(jì)劃最早在2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體制造基地，并與美國(guó)聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。 目前全球半導(dǎo)體加工領(lǐng)域最先進(jìn)的企業(yè)是中國(guó)臺(tái)灣
2022-06-16 14:43:131445 半導(dǎo)體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個(gè)不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 CEA-Leti創(chuàng)下5.1至7.7 Gbps的LiFi通信速度世界紀(jì)錄
2023-06-02 09:10:48298 
點(diǎn)擊藍(lán)字·關(guān)注我們HCCL叮～資訊快報(bào)！圖片來(lái)源：Lifitechnews官網(wǎng)法國(guó)格勒諾布爾的CEA-Leti宣布，他們利用單個(gè)GaN藍(lán)色微型發(fā)光二極管（LED）在可見(jiàn)光通信（VLC）中實(shí)現(xiàn)
2023-06-08 14:23:30319 
來(lái)源：Silicon Semiconductor 該成果確立了在工業(yè)平臺(tái)（包括最先進(jìn)的BEOL）上制造高性能硅CMOS器件的可行性，且不影響底層的性能。 CEA-Leti在IEDM 2023上描述
2023-12-28 16:14:08226
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