電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日有消息稱，三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價格提高10%以上，預(yù)計最快會從10月開始漲價。與此同時，為了加速去庫存以配合漲價，三星自今年以來就一直
2023-10-08 09:01:37
2444 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 你好：
咨詢一個問題：我用STM32H743IIT6芯片，STM32CubeIDE，使用FMC驅(qū)動NAND FLASH，NAND FLASH ID讀取正常。但是有幾個問題：
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
NAND Flash的寫入速度和擦除速度會受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 12:41:55697 與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機訪問性能。
2024-02-19 11:45:24641 
江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 江波龍，作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash。這一
2024-02-01 15:04:05277 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認(rèn)可。繼 自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn) 后，首顆 自研32Gb 2D MLC NAND Flash
2024-02-01 09:18:40126 
，主要有兩種存儲芯片：NOR Flash和NAND Flash。對于大容量需求，通常會選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會引發(fā)一些問題：
NAND Flash存在壞塊，需要壞塊
2024-01-24 18:30:00
1月23日消息，據(jù)外媒Tom’s Hardware報導(dǎo)，有市場人士表示，由4個或8個NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求，特別是大容量消費級SSD的價格或許會大幅上漲，而且預(yù)計一季度晚些時候會出現(xiàn)。
2024-01-24 17:17:23486 半年和2023年上半年的低迷市況后，NAND Flash在2023年下半年實現(xiàn)了市場的逆轉(zhuǎn)。合約報價開始逐季上漲，漲幅甚至高達(dá)雙位數(shù)百分比，這一強勁的反彈要歸功于三星、美光、SK海力士和鎧俠等主要內(nèi)存制造商的共同努力減產(chǎn)，導(dǎo)致市場供給減少，從而推動價
2024-01-24 15:24:53152 在2024年第一季度，NAND Flash及其相關(guān)產(chǎn)品的價格預(yù)計將呈現(xiàn)上漲趨勢。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況，采購活動仍在持續(xù)擴大，以建立安全庫存水位。
2024-01-11 16:42:39633 供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高NAND Flash價格。
2024-01-10 10:02:27255 
動程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧
2024-01-05 17:54:39
在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價。臺灣經(jīng)濟日報今日有消息指出，預(yù)計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮，預(yù)計明年1月起先漲5%，二季度漲幅有望擴大至10％。
2023-12-26 14:37:42127 針對NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢，特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品，東芯股份強調(diào)其具有電壓選擇靈活（包括3.3V和1.8V）及豐富封裝形式，如WSON、BGA等。另外，公司實施的單顆集成技術(shù)，使得存儲陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:13343 Nor Flash是一種非易失性存儲技術(shù)，用于存儲數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37837 ，圖片（GUI）、視頻緩存、協(xié)議棧等等。傳統(tǒng)的 E2PROM 和 NOR Flash 就不夠用了。這個時候 MCU 可能就需要用到 NAND Flash。
針對 MCU 需要使用大容量的存儲需求
2023-11-30 18:16:56
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
：
大家好，請問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項目需要保存900M以上字節(jié)，nand flash 比較貴。或者有什么便宜的存儲芯片提供。謝謝！
傳統(tǒng)做法無非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
盡管需求復(fù)蘇仍然緩慢，但減產(chǎn)推動了價格上漲。由于無法承受虧本銷售，供應(yīng)商已將減產(chǎn)幅度擴大到低于成本的水平。事實上，據(jù)報道三星電子將在明年上半年將 NAND 產(chǎn)量削減幅度擴大到 40% 至 50%。
2023-11-22 17:25:45825 張丹表示：“過去的二十年間，Flash行業(yè)是從PB到EB的增長，千倍甚至萬倍的增長，這個過程中產(chǎn)生了大量的消費級和企業(yè)級的應(yīng)用場景，由此促進了NAND Flash行業(yè)的爬坡和需求。在未來兩到三年間，我們堅信會迅速地邁入到ZB時代，尤其是以邊云為核心的應(yīng)用和場景。”
2023-11-20 09:07:501646 
NAND FLASH，嵌入式sd卡，工業(yè)級sd卡，單片機 nand flash，貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 
起初，兆易創(chuàng)新的重點主要集中在NOR Flash上，但隨著技術(shù)的演進和市場的變化，其產(chǎn)品線逐漸從NOR擴展到了NAND Flash，提供了從小容量到8GB的豐富選擇，以滿足各種應(yīng)用場景的需求。
2023-11-12 11:29:11952 Nand Flash因其具有容量大、成本低、壽命長的特點，被廣泛的用作數(shù)據(jù)存儲的解決方案。然而NandFlash的讀寫控制較為復(fù)雜，Nand Flash的接口控制器大多是基于PC機或ARM處理器為架構(gòu)進行開發(fā)的，存在操作不方便的問題。
2023-11-10 09:40:482676 
為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58646 看到很多STM32開發(fā)板，無論是野火還是原子，或者其他的板子，都會在開發(fā)板上加各種存儲，SDRAM，NAND FLASH，SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲的使用；但是實際工作
2023-10-26 07:06:28
如果單片機不帶硬件操作nand flash的話，用軟件可以實現(xiàn)nand flash操作嗎？不要求速度，只要讀寫文件就可以了，請問怎么用單片機io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季度合約價全面起漲，漲幅約8~13%。
2023-10-22 13:06:38724 
據(jù)報告顯示，NAND Flash的第四季度合約價全面上漲，漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報告中預(yù)計，第四季度NAND Flash的均價有望持平或小幅上漲，環(huán)比漲幅約為0~5%。
2023-10-17 17:49:00981 NAND_Flash長時間讀寫后會導(dǎo)致讀寫失敗么
2023-10-16 07:32:50
FMC掛NAND FLASH的CE腳是否可以直接接地？
2023-10-15 06:51:36
外接NAND FLASH應(yīng)該用什么總線
2023-10-12 06:39:00
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價格過低，計劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格，漲幅預(yù)計在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
避難是在智能手機、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業(yè)，由于存儲器市場的需求減少，企業(yè)紛紛減產(chǎn)，因此預(yù)計到2024年以后需求才會恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 據(jù)消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503 K510 板子上u-boot 再 nandflash 里面嗎？設(shè)置 硬件 必要 nand flash 嗎（evb 底板上）
2023-09-14 07:51:38
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231901 
業(yè)內(nèi)人士說：“nand閃存價格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴大，因此銷售價格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運營，擴大減產(chǎn)，價格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 
NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 
業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會帶來3d nand價格上漲的效果，從而可能會改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會上調(diào)價格。
2023-09-11 11:35:04953 Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲單元來存儲數(shù)據(jù)的，浮柵場效應(yīng)管共有4個端電極，分別
2023-09-09 14:27:383589 
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:011617 先多備些庫存，再持續(xù)觀察終端需求的變化。 NAND Wafer漲勢明確，現(xiàn)貨市場備貨需求增加，終端需求有待持續(xù)觀察 目前供應(yīng)端較為明朗，重虧之下原廠趨于保利潤，堅定通過減產(chǎn)調(diào)節(jié)庫存和控制供應(yīng)，NAND wafer相繼強勢拉漲，并且上游的漲價有望持續(xù)發(fā)酵。 據(jù)CFM閃
2023-09-05 16:19:52152 
不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲市場明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
請問N9H20有沒有同時使用SD卡和NAND的范例?
我想把SD卡里面的文件拷貝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06
芯片中 ISP Flash 和 LDROM 是不是一回事？
如果不是一回事，以M453VG6AE為例，它們基地址分別是什么？
2023-08-29 08:08:05
應(yīng)用程序: 此樣本代碼顯示訪問外部 SPI NAND Flash 的文件 。
BSP 版本: M480 BSP CMSIS V3.03.000
硬件: M483 Nand Flash V1.0
此
2023-08-29 07:21:07
Flash是存儲芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053176 
設(shè)備需要有歷史記錄存儲查詢功能，采用8M的nand flash存儲方案，請問可以用flashDB嗎？特別需要喜歡按時間戳一鍵查詢的接口。
2023-08-20 17:28:54
引言：并行Nand Flash是中等容量存儲方案的理想選擇，相比于SPI Nand Flash，性能更優(yōu)，但體積較大，使用并沒有后者廣泛，多使用在嵌入式，物聯(lián)網(wǎng)，工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-08-11 15:50:13841 
引言：隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，有許多具有串行外圍接口（SPI）的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來存儲大型程序系統(tǒng)和文件。對于這些應(yīng)用需求，基于Nand結(jié)構(gòu)的存儲解決方案提供了Serial Nand系列。
2023-08-11 15:49:011022 
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機讀寫，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因為其讀取速度快，多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763 
布局即可實現(xiàn)替換。
NAND Flash Menory
介紹 NAND Flash 有關(guān)資料均來自 KIOXIA 官網(wǎng) 。
存儲單元結(jié)構(gòu)
下圖為閃存的內(nèi)部存儲單元結(jié)構(gòu)（橫截面）。存儲單元是數(shù)據(jù)存儲
2023-07-28 16:23:18
Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實現(xiàn)方式和運行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
相對于傳統(tǒng)機械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對便宜和可靠的存儲解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072129 非易失性存儲元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051884 
nuc972做cpu ,在使用新唐廠家的Nu-writer.exe軟件燒錄Linux鏡像到winbond廠家的nand flash時，從串口讀取中無效的塊，明明已經(jīng)按照手冊操作了，但還是不行，有操作過或了解的仁兄能告知下嗎
2023-06-28 06:27:27
Flash閃存是一種存儲器,主要用于一般性程序存儲，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 本文以具體型號為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對SPI NAND Flash進行介紹。不同廠家的不同型號都大同小異了解一款其他的也就都了解了。
2023-06-08 11:21:226632 
不用寫驅(qū)動程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧，簡單易用，兼容性強，穩(wěn)定可靠，固件可定制，LGA-8封裝，標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口，兼容SPI/SD接口，兼容各大MCU平臺，可
2023-05-28 15:46:27
嗨，我有一個關(guān)于 IVT 的問題，在我的應(yīng)用程序中，我開發(fā)了一個固件引導(dǎo)加載程序，它由 bootrom 從 nand-flash 加載并且始終運行良好。
我使用 MCUXpresso 配置工具在
2023-05-24 13:56:04
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
，庫存去化逐漸完成，部分產(chǎn)品價格反彈，2023年MLCC市場有望迎來復(fù)蘇。
【MCU訂單回溫，但降價壓力仍在】
MCU已經(jīng)進入第2季的傳統(tǒng)旺季，開始訂單回溫，但整體情況一般，歐美市場還是太弱了。
同時
2023-05-10 10:54:09
中央處理器：imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)總是固定為0xFn或0xnF，如下所示：數(shù)據(jù)的錯誤規(guī)則是每兩次讀取。第二次讀取數(shù)據(jù)中2018字節(jié)的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
訪問在讀時自動添加05h和E0h命令，在寫時自動添加85h命令。讀取時，controller如何知道要從nand flash設(shè)備讀取多少字節(jié)？有一個寄存器（如果存在，我找不到它），或者每次訪問 AXI 映射內(nèi)存都會生成一條對 nandflash 設(shè)備的讀取指令？可能是突發(fā)長度來處理這個？
2023-04-04 06:38:32
我的Nand Flash有4個通道DQ0[0..7], DQ1[0..7], DQ2[0..7], DQ3[0..7],將它連接到 IMX8 的最佳方式是什么？當(dāng)使用 IMX8 的 GPIO 控制
2023-04-04 06:12:17
大家好， 我們計劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊，它表示支持每個區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
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