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NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

數據:

NXH80B120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。
特性 優勢
  • IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ
  • 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率
  • 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管
  • 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率
  • SiC整流器規格:VF = 1.4 V
  • 用于高速切換的SiC二極管
  • 可焊接引腳
  • 輕松安裝
  • 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊
  • 熱敏電阻
應用 終端產品
  • 太陽能逆變器升壓階段
  • 太陽能逆變器
  • UPS

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(3)
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