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FGH40N60SM_F085 600 V 40 A 1.9 V TO-247

數據:

飛兆半導體的場截止IGBT新系列采用新型場截止IGBT技術,為車用充電器,逆變器及其他低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
特性
  • 最大結溫:T J = 175℃
  • 正溫度系數,易于并聯運行
  • 高電流能力
  • 低飽和電壓:V CE(sat) = 1.9V(典型值)@ I C = 40 A
  • 高輸入阻抗
  • 緊密的參數分布
  • 符合RoHS標準
  • 符合AEC-Q101汽車行業標準要求

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

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