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深圳市金和信科技有限公司

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UCC27211AQDDARQ1,120V 升壓4A 峰值電流的高頻高側和低側驅動器

型號: UCC27211AQDDARQ1

--- 產品參數 ---

  • 型號 UCC27211AQDDARQ1
  • 封裝 SOP8
  • 品牌 TI/德州儀器
  • 年份 22+
  • 產地 中國

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

UCC27211AQDDARQ1,120V 升壓4A 峰值電流的高頻高側和低側驅動器

UCC27211AQDDARQ1,120V 升壓4A 峰值電流的高頻高側和低側驅動器

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UCC27211AQDDARQ1,120V 升壓4A 峰值電流的高頻高側和低側驅動器

 

UCC27211AQDDARQ1,120V 升壓4A 峰值電流的高頻高側和低側驅動器

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UCC27211AQDDARQ1,120V 升壓4A 峰值電流的高頻高側和低側驅動器

 

UCC27211AQDDARQ1

器件驅動器基于廣受歡迎的
UCC27211AQDDARQ1 MOSFET 驅動器;但該器件相比之下具有顯著的性能提升。
峰值輸出上拉和下拉電流已經被提高至4A 拉電流和
4A 灌電流,并且上拉和下拉電阻已經被減小至0.9Ω,
因此可以在MOSFET 的米勒效應平臺轉換期間用盡可
能小的開關損耗來驅動大功率MOSFET。輸入結構能
夠直接處理-10 VDC,這提高了穩健耐用性,并且無
需使用整流二極管即可實現與柵極驅動變壓器的直接對
接。此輸入與電源電壓無關,并且具有20V 的最大額定值。

 

 

1 特性
1? 適用于汽車電子應用
? 具有符合AEC-Q100 標準的下列結果:
– 器件溫度等級:–40°C 至+140°C 的工作環境
溫度范圍
– 器件人體放電模式(HBM) 分類等級2
– 器件組件充電模式(CDM) 分類等級C6
? 可通過獨立輸入驅動兩個采用高側/低側配置的N
溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
? 最大引導電壓120V 直流
? 4A 吸收,4A 源輸出電流
? 0.9Ω 上拉和下拉電阻
? 輸入引腳能夠耐受–10V 至+20V 的電壓,并且與
電源電壓范圍無關
? TTL 兼容輸入
? 8V 至17V VDD 運行范圍(絕對最大值20V)
? 7.2ns 上升時間和5.5ns 下降時間(采用1000pF
負載時)
? 快速傳播延遲時間(典型值20ns)
? 4ns 延遲匹配
? 用于高側和低側驅動器的對稱欠壓鎖定功能
? 采用行業標準SO-PowerPAD SOIC-8 封裝
? -40℃ 至+140°C 的額定溫度范圍

 

 

2 應用
? 針對電信,數據通信和商用的電源
? 半橋和全橋轉換器
? 推挽轉換器
? 高電壓同步降壓型轉換器
? 兩開關正激式轉換器
? 有源箝位正激式轉換器
? D 類音頻放大器

 

 

 

 

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