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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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QPD1008L 射頻功率晶體管

型號： QPD1008L

--- 產品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 3,200
  • 增益（分貝） > 17
  • 飽和度(dBm) 52
  • PAE （%） 70
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 260
  • 包裝類型 NI-360

--- 產品詳情 ---

QPD1008L

產品簡介
Qorvo 的 QPD1008L 是一款 125 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 3.2 GHz 和 50V 電源軌范圍內工作。該器件采用行業(yè)標準氣腔封裝，非常適用于軍用和民用雷達、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設備和測試儀器。該器件可以支持脈沖、CW 和線性操作。

 

產品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 3,200
增益（分貝） > 17
飽和度(dBm) 52
PAE （%） 70
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 260
包裝類型 NI-360

 

主要特征
頻率范圍：DC - 3.2GHz
輸出功率 (P3dB)：2 GHz 時為 162 W
線性增益：> 17 dB，典型值為 2 GHz
典型 PAE3dB：在 2 GHz 時 > 70 %
工作電壓：50V
低熱阻封裝

 

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