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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

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UJ4SC075018L8S是一款晶體管

型號(hào): UJ4SC075018L8S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 750
  • 內(nèi)徑最大值(A) 53
  • 封裝 TOLL

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Qorvo 的 UJ4SC075018L8S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置,其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOSFET 時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用節(jié)省空間的 MO-229 封裝,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化組裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,非常適合開(kāi)關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
 


 


 


 

主要特征

  • 導(dǎo)通電阻 RDS(on):18mohm(典型值)
  • 工作溫度:175°C(最高)
  • 出色的反向恢復(fù):Qrr = 128nC
  • 低體二極管 VFSD:1.14V
  • 低柵極電荷:QG = 37.8nC
  • 閾值電壓 VG(th):4.8V(典型值)允許 0 至 15V 驅(qū)動(dòng)
  • 低本征電容
  • ESD 保護(hù),HBM 2 級(jí)
  • MO-229 封裝可實(shí)現(xiàn)更快的切換、干凈的柵極波形


 


 

VDS 最大值(V)

750

RDS(on) Typ @ 25C (mohm)

18

內(nèi)徑最大值(A)

53

一代

第 4 代

Tj 最大值(°C)

175

汽車資質(zhì)

包裝類型

TOLL

 

 

 

 

UJ3C065080K3S

UJ3C065080T3S

UJ3C120040K3S

UJ3C120070K3S

UJ3C120070K4S

UJ3C120080K3S

UJ3C120150K3S

UJ4C075018K3S

UJ4C075018K4S

UJ4C075023B7S

UJ4C075023K3S

UJ4C075023K4S

UJ4C075033B7S

UJ4C075033K3S

UJ4C075033K4S

UJ4C075044B7S

UJ4C075044K3S

UJ4C075044K4S

UJ4C075060B7S

UJ4C075060K3S

UJ4C075060K4S

UJ4SC075005L8S

UJ4SC075006K4S

UJ4SC075008L8S

UJ4SC075009B7S

UJ4SC075009K4S

UJ4SC075011B7S

UJ4SC075011K4S

UJ4SC075018B7S

UJ4SC075018L8S

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