太赫茲分辨率板P-TTT-2-1200是專門為表征太赫茲成像系統而開發的。它具有2 μm到8 mm橫向尺寸的結構和區域，適用于標準衍射限制系統以及亞波長分辨率的近場成像系統。
分辨率板的襯底基于高阻硅，包含三種不同傳輸強度的導體區域，以及傳輸強度最大的非涂層襯底區域。典型結構包括三條紋結構正交對、西門子星型和同心圓等經典分辨率測試結構。這些典型的結構伴隨著進一步的結構，特別是用于近場成像的目的，如產生局部場約束的超材料結構。此外，還列出了對薄板電阻成像和晶圓掃描應用有幫助的參考領域。
技術參數：
| P-TTT-2-1200 | 值 |
襯底材料 | High-resistivity FZ silicon, 2-side polished |
襯底電阻率 | > 10 kOhm cm |
| 目標總尺寸 | 2" x 2" (50 mm x 50 mm) |
襯底厚度 | 525 μm |
鍍膜材料 | Cr, Au |
鍍膜厚度 | Cr: 10 nm, 50 nm and 60 nm (in semi-transparent areas) Au: 50 nm (opaque) |
三條紋正交對結構 | 2 – 1200 μm wide lines & spaces 45° rotated for 2 - 460 μm wide line & spaces |
| 西門子星型 | 6 mm outer diameter, 18 elements |
| 倒牛頓環 | 5.6 mm outer diameter Ring widths from 10 – 500 μm in increasing steps |
| 連續Rsh參考區域 | Four areas, each 6.7 mm x 8.3 mm |
| 傾斜的金屬光柵區域 | Six areas, each 2 mm x 6.7 mm Tilting angles: 0°, 18°, 36°, 54°, 72°, 90° |
蝴蝶結型陣列超材料 | 300 μm length, 5μm gap |
非對稱雙狹縫陣列超材料 | 3 μm and 6 μm slit width and spaces |
