BST363A054U SOT-363 貼片tvs二極管參數-伯恩TVS管

型號： BST363A054U

--- 產品參數 ---

品牌伯恩
型號 BST363A054U
封裝 SOT-363
UL 94V-0
tp 8/20μs

--- 產品詳情 ---

供應伯恩TVS管BST363A054U SOT-363 貼片tvs二極管，提供BST363A054U SOT-363 貼片tvs二極管參數，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>

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產品文章方案資料

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NCP1342AMDCDA高度集成的準諧振反激式控制器-ncp1342資料2024-08-01 17:13

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LN5S21A 5V2.4A-12V2A 快速USB充電器同步整流芯片-ln5s21 pdf2024-08-01 17:04

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充電器氮化鎵芯片
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逆變器mos管常用型號，60-80v低內阻mos管系列！2023-06-26 16:30

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MOS管
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MOS管是一種金屬—氧化物—半導體場效應晶體管，或稱金屬—絕緣體—半導體，具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，是中小功率應用領域的主流開關器件，廣泛應用于通信、消費電子、汽車電子、工業控制、計算機及外設設備、電源管理等。驪微電子低壓MOSFET主要用于消費電子領域，中高壓MOSFET則主要用于工業、通訊、電動車等領域。4n65高壓mos管參數型號：SVF4

MOS
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驪微電子續簽2022-2023年無錫芯朋微深圳代理商！2022-08-16 17:28

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IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理2022-06-27 14:57

MOSFET作為功率半導體廣泛應用于汽車、家電、光伏、風電、軌交等領域，長期以來一直被國外廠商占據著大部分市場份額，受益于龐大的終端消費需求，國內終端廠商推進進口替代，驪微電子推出SVT20240NTN溝道增強型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220場效應管。irfb4227場效應管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(

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VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8兩種封裝，是ST，VIPer產品系列，應用功率5W-10W，典型應用于電池充電器的壁掛式適配器，以及電視和監視的待機電源領域，隨著缺貨漲價以及國內芯片產業生態發展的完善，國產替代勢在必行，AP8012H在不改PCB及外圍參數下可兼容替代viper12a芯片，實現進口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■

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士蘭微mos管產品主要包括低高壓、超結mos管，實現了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級結MOS和IGBT等多個產品的量產，廣泛應用于家電、工業、LED照明、汽車、消費類電子、影音設備等，缺貨漲價潮助力國產替代加速，士蘭微不斷推進產品開發和升級，不僅在產能端實現了擴增，而且產品結構也在從低階產品向更高價值量產品升級，實現進口替代。高壓超結MOS

MOS
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ncp1252a芯片代替料啟達啟臣微CR1252A2022-05-20 11:19

受多重因素影響，芯片的供應緊張仍未緩解，在缺“芯”困局之下，國產替代的呼聲愈發高漲，許多國產廠商選擇“PINtopin”的替代模式入局，驪微電子代理的啟達啟臣微CR1252A電源驅動芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封裝■內置軟啟動■內置斜波補償■峰值電流限制■內置輸入欠壓自動恢復■內置LEB前沿消隱功能

芯片
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ir2104驅動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預驅方案2023-03-29 09:24

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5

芯片驅動
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20W A+C雙口pd快充充電器方案|一站式服務2023-03-09 16:41

自iPhone8開始，后續的蘋果手機都支持快充，然而隨著iPhone12系列手機的推出以及取消多部機型標配充電器這一傳統，從iPhone的全球出貨量來看，已經造成了上億規模的快充市場空缺，深圳市驪微電子科技有限公司專注于電源方案設計開發，順勢推出20WA+C雙口pd快充充電器方案，提供一站式服務。20WA+C雙口pd快充充電器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，該芯片內部集成了準諧振工作的電流

充電器快充
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5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充電器芯片方案2022-10-19 15:59

充電器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多種功率類型，充電器中的核心元器件為充電器ic芯片，在充電環境中起到了至關重要的作用，選擇合適的充電器電源芯片將大大延長電路壽命，也可以減少充電器的故障，下面驪微電子介紹幾款充電器常用的芯片方案。基于PN8366的5V1A充電器電源應用方案■輸入電壓：90~264Vac；■輸出功率：5W(5V1A)；■待機

充電器芯片
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30V超低內阻mos管系列，鋰電池專用mos管方案2022-08-30 13:54

30V超低內阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N溝道增強型功率MOS場效應晶體管，采用士蘭的LVMOS工藝技術制造。具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：282A，導通電阻RDs(on)

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30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管選型方案2022-08-01 14:35

MOS管有兩種結構形式，即N溝道型和P溝道型，結構不一樣，使用的電壓極性也會不一樣，選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產制造成本，確保設備得到高效、穩定、持久的應用效果，充分發揮其“螺絲釘”的作用，30V-200Vmos管廣泛應用于不間斷電源及逆變器系統的電源管理領域。30Vmos管常用型號：SVG030R7NL5封裝PDFN56，導通內阻0.7mΩSVG031R1NL5封裝PDFN56，

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IR2110國產替代芯片ID7S625高壓逆變器驅動芯片方案2022-07-30 16:06

常見的MOS管驅動方式有非隔離的直接驅動、自舉驅動，和有隔離的變壓器驅動、光耦隔離驅動等，ir2110驅動芯片替代料ID7S625高壓高低側柵極驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3

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65W PD快充方案PN8213+PN8307小體積低功耗2022-06-10 17:06

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ob3353代換料AP3160液晶電視常用背光驅動芯片方案2022-05-31 16:57

OB3353是一款具有成本效益的LED驅動器，廣泛應用于LCD顯示器和LCDTV背光，隨著國際市場芯片缺貨及疫情等外部因素的影響下，加速了半導體行業國產替代的步伐，驪微電子推出OB3353國產替代料AP3160高性能異步升壓LED驅動器，可兼容代換背光芯片OB3353。ob3353代換芯片AP3160特性■寬范圍工作電壓：9V~35Vl■寬范圍PWM調光(1kHz~200kHz)l■120kHz開

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30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

自從iPhone12系列手機取消標配充電器以來，各大手機品牌紛紛跟進，目前Apple手機/平板電腦等多種數碼產品充電功率需求進一步提升，20W快充已經無法滿足快速充電需求，30WPD快充成了繼20WPD快充之后的另一大潛力市場，驪微電子推出基于PN8165+PN8307H的30W小體積PD快充參考設計，以滿足快充市場需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次級同步采用PN8307H(A

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