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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN53D0LDW 雙N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN53D0LDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN53D0LDW
  • 名稱 雙N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN53D0LDW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN53D0LDW這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN53D0LDW
名稱                雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT363

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.36 A
PD @TA = +25°C (W) 0.31 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 46 pF

 

主要特征
雙N溝道MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
小型表面安裝封裝
ESD保護至2kV

 

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