產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP1008UCB9 這款第三代橫向 MOSFET (LD-MOS) 旨在最大限度地減少通態(tài)損耗并實現(xiàn)超快開關(guān)，使其成為高效電力傳輸?shù)睦硐脒x擇。它采用芯片級封裝 (CSP)，通過將低熱阻抗與每占位面積的最小 RDS(ON) 相結(jié)合來提高功率密度。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP1008UCB9
名稱 P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-WLB1515-9
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 8 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9.1 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.2 nC
CISS Typ (pF) 900 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 4 V
主要特征
品質(zhì)因數(shù)最低的 LD-MOS 技術(shù)：
RDS(ON) = 5.7mΩ，最大限度降低通態(tài)損耗
Qg = 8.2nC，用于超快速開關(guān)
VGS(TH) = -0.6V（典型值）低導(dǎo)通電位
CSP 封裝尺寸 1.5mm × 1.5mm
薄型高度 = 0.60mm
柵極ESD保護
相關(guān)型號
DMNH6065SPDW
DMNH6065SPDWQ
DMNH6065SSD
DMNH6065SSDQ
DMNH6069SFVW
DMNH6069SFVWQ
DMP1005UFDF
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DMP1008UCA9
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DMP1009UFDFQ
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DMP1012USS
DMP1022UFDEQ
DMP1022UFDF
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DMP10H400SEQ
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DMP2004DWK
DMP2004K
DMP2004TK
DMP2004UFG
DMP2004VK
DMP2004WK
DMP2005UFG
DMP2006UFGQ
DMP2007UFG
DMP2008UFG
DMP2008USS
DMP2010UFG
DMP2010UFV
DMP2012SN
DMP2016UFDF
DMP2018LFK
DMP2021UFDE
DMP2021UFDF
DMP2021UTS
DMP2021UTSQ
DMP2022LSS
DMP2022LSSQ
DMP2023UFDF
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DMP2035UTS
DMP2035UVT
DMP2035UVTQ
DMP2036UVT
