--- 產品參數 ---
- 類型 N+P溝道
- 最大耐壓 ±40V
- 最大電流 50A/50A
- 導通電阻 15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 ±1Vth
- 封裝 TO2525
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導通電阻 15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 ±1Vth 封裝 TO2525應用簡介 AP4563GH是一款N+P溝道MOSFET,適用于需要同時控制N溝道和P溝道MOSFET的應用。其最大耐壓為±40V,最大電流為50A/50A,具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計,主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電流控制和功率開關的電源管理模塊。2. 電機驅動模塊 可用于驅動大功率電機,如電動汽車和工業機械中的驅動電路。3. 逆變器模塊 適用于太陽能逆變器和UPS系統等高功率逆變器。總之,AP4563GH適用于需要同時控制N溝道和P溝道MOSFET的高功率應用領域的模塊設計,包括電源管理、電機驅動和逆變器模塊等。
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