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TC1102P0710 超低噪聲GaAs FET

型號(hào): TC1102P0710

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號(hào) TC1102P0710
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1102P0710 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC1102是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)芯片,具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備可用于高達(dá)30 GHz的電路,以及適用于低噪聲應(yīng)用。全部的設(shè)備經(jīng)過100%直流測(cè)試,以確保質(zhì)量一致。所有焊盤均鍍金熱壓或熱聲引線接合。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號(hào)                    TC1102P0710
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號(hào)參數(shù)
低噪聲系數(shù):NF=0.5 dB 12 GHz時(shí)的典型值
高相關(guān)增益:Ga=13 dB,典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm,Wg=160μm
全金金屬化,實(shí)現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測(cè)試


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