--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):STD30NF04LT-VB
絲?。篤BE1410
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:N溝道
- 額定電壓(Vds):40V
- 最大持續(xù)電流(Id):50A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負(fù))
- 閾值電壓(Vth):1.78V
- 封裝:TO252
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B3/B1/wKgZomVoKJ-ABd8BAAH4iNWsehA105.png)
應(yīng)用簡(jiǎn)介:
STD30NF04LT-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力。它適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,特別是需要高電流開關(guān)和電源控制的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **類型**:這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET常用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。
2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為40V。這表示在正常工作條件下,其電壓應(yīng)不超過40V。
3. **最大持續(xù)電流(Id)**:這款MOSFET的最大電流承受能力為50A。它可以處理高電流負(fù)載。
4. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為12mΩ,而在4.5V下為14mΩ。低導(dǎo)通電阻表示它可以在導(dǎo)通狀態(tài)下產(chǎn)生較少的功耗。
5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至少20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. **閾值電壓(Vth)**:MOSFET的閾值電壓為1.78V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. **封裝**:這款MOSFET采用TO252封裝,這是一種常見的封裝類型,方便在電路板上安裝和連接。
應(yīng)用領(lǐng)域:
STD30NF04LT-VB這種高性能N溝道MOSFET可以用于多種應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. **電源供應(yīng)器**:它可以用于開關(guān)電源和線性電源,幫助實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和電流控制。
2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,它可以用于控制電機(jī)的速度和方向。
3. **照明控制**:在LED照明系統(tǒng)中,它可以用于開關(guān)和調(diào)光控制。
4. **電池管理**:在充電和放電電路中,它可以用于電池保護(hù)和電流管理。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:用于控制和監(jiān)控工業(yè)設(shè)備和機(jī)器。
總之,這款MOSFET適用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的電子電路應(yīng)用,并廣泛用于工業(yè)、電子、通信和電源領(lǐng)域的模塊和設(shè)備中。
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