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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE4606-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: NCE4606-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:NCE4606-VB
絲印:VBA5325
品牌:VBsemi
參數:
- 類型:N+P溝道
- 額定電壓(Vds):±30V
- 最大持續電流(Id):9A(N溝道) / -6A(P溝道)
- 導通電阻(RDS(ON)):15mΩ @ 10V(N溝道) / 42mΩ @ 10V(P溝道)
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負)
- 閾值電壓(Vth):±1.65V
- 封裝:SOP8

應用簡介:
NCE4606-VB是一款N+P溝道場效應晶體管(MOSFET),同時包含N溝道和P溝道兩種類型的MOSFET。它適用于需要同時控制正向和負向電壓的電子應用,如電源開關和電流控制。

詳細參數說明:
1. **類型**:這是一款N+P溝道MOSFET,同時包含N溝道和P溝道兩種類型的MOSFET。N溝道MOSFET用于正向電壓操作,P溝道MOSFET用于負向電壓操作。

2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為±30V。這表示它可以同時處理正向和負向電壓。

3. **最大持續電流(Id)**:N溝道MOSFET的最大電流承受能力為9A,而P溝道MOSFET為-6A。這表示N溝道MOSFET可用于正向電流,而P溝道MOSFET可用于負向電流。

4. **導通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,N溝道MOSFET的RDS(ON)為15mΩ,P溝道MOSFET為42mΩ。低導通電阻表示它可以在導通狀態下產生較少的功耗。

5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。

6. **閾值電壓(Vth)**:這款MOSFET的閾值電壓為±1.65V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7. **封裝**:這款MOSFET采用SOP8封裝,這是一種常見的封裝類型,適用于多種電路應用。

應用領域:
NCE4606-VB這款N+P溝道MOSFET適用于多種需要同時控制正向和負向電壓的電子應用,包括但不限于以下領域模塊:

1. **電源開關**:可用于電源開關電路,同時控制正向和負向電壓,如電壓轉換和電流控制。

2. **電池管理**:用于電池充電和放電管理,以確保安全和高效的電池使用。

3. **電流控制**:可用于電流控制電路,如電機控制和電流放大器。

4. **逆變器**:用于逆變器電路,將直流電轉換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。

總之,這款N+P溝道MOSFET適用于需要同時處理正向和負向電壓的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能。它們特別適用于需要控制雙向電流的應用。
 

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