型號：NCE0117-VB
絲印：VBM1101M
品牌：VBsemi
參數：
- N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大電流：18A
- 開態電阻 (RDS(ON))：127mΩ @ 10V, 132mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：2~4V
- 封裝：TO220

應用簡介：
NCE0117-VB是一款N溝道MOSFET，適用于需要高電壓承受能力和中等電流的應用。這款MOSFET可用于電源開關、電機控制、電池保護和其他需要高性能的電路。

主要特點和應用領域：
1. **電源開關**：NCE0117-VB可用于電源開關應用，如開關電源、DC-DC變換器和開關穩壓器。其高電壓承受能力和適中的電流特性使其適用于處理高電壓電源。

2. **電機控制**：在電機驅動器和控制系統中，這款MOSFET可用于電機控制，例如直流電機、步進電機和電動汽車電機控制。

3. **電池保護**：在電池供電系統中，NCE0117-VB可以用于電池充放電控制、保護和平衡，確保電池組的安全運行。

4. **高電壓應用**：由于其高電壓承受能力，該MOSFET適用于需要處理高電壓的電路設計。

5. **電流開關**：這款MOSFET可用于電流開關應用，例如電流限制和保護電路。

總之，NCE0117-VB適用于多個領域，包括電源開關、電機控制、電池保護、高電壓應用和電流開關等模塊。其N溝道特性和高電壓承受能力等特性使其成為處理高電壓和中等電流應用的理想選擇，同時也可用于各種需要高性能N溝道MOSFET的電路設計。