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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SQD19P06-60L-GE3-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): SQD19P06-60L-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):SQD19P06-60L-GE3-VB
絲印:VBE2658
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 最大耐壓:-60V
- 最大電流:-22A
- 開通態(tài)電阻:48mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓:-1.5V
封裝:TO252

該型號(hào)的SQD19P06-60L-GE3-VB是一種P溝道MOSFET晶體管,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 最大耐壓:-60V,表示它可以承受不超過60伏的電壓。
- 最大電流:-22A,該MOSFET可以承受最高22安培的電流。
- 開通態(tài)電阻:在不同電壓下,其導(dǎo)通狀態(tài)的電阻分別為48毫歐姆(@ 10V)和57毫歐姆(@ 4.5V)。這表明它在導(dǎo)通狀態(tài)下有相對(duì)較低的電阻。
- 閾值電壓:-1.5V,表示MOSFET在此電壓下開始導(dǎo)通。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
這種MOSFET(SQD19P06-60L-GE3-VB)適用于多個(gè)領(lǐng)域的電路模塊,主要用于電流控制、電壓開關(guān)和功率放大。具體應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. **電源管理模塊:** 用于開關(guān)電源、穩(wěn)壓電路和電源開關(guān),有助于實(shí)現(xiàn)高效的能源管理。
2. **電機(jī)控制:** 作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電機(jī)控制模塊的一部分,用于電流控制和電壓開關(guān)。
3. **電源逆變器:** 在逆變器中,它可以用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電器等。
4. **電源開關(guān)和保護(hù):** 用于電源開關(guān)、短路保護(hù)和過流保護(hù)電路。

總之,SQD19P06-60L-GE3-VB 是一種多功能的P溝道MOSFET,適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)域,主要用于電流控制和電源管理。

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