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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SIR462DP-T1-GE3-VB一款N溝道DFN8(5X6)封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: SIR462DP-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 DFN8(5X6)封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品型號:** SIR462DP-T1-GE3-VB

**絲印:** VBQA1308

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 封裝:DFN8(5X6)
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓:30V
- 額定電流:80A
- 導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=0.82V

**應(yīng)用簡介:**
適用于多個(gè)領(lǐng)域模塊,發(fā)揮以下作用:
1. **電源模塊:** 在電源系統(tǒng)中,作為N-Channel功率開關(guān),支持高電流和低導(dǎo)通電阻的電源開關(guān)控制。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在電機(jī)控制模塊中,通過高電流和低導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)有效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. **電流逆變器:** 用于構(gòu)建電流逆變電路,適用于高電流和低電阻的電力應(yīng)用。

**使用注意事項(xiàng):**
1. 請確保操作在額定電壓和電流范圍內(nèi),避免超過規(guī)定數(shù)值。
2. DFN8(5X6)封裝需要考慮適當(dāng)?shù)纳岷筒季衷O(shè)計(jì),以維持正常工作溫度。
3. 在設(shè)計(jì)中考慮閾值電壓Vth=0.82V,確保適當(dāng)?shù)男盘栯娖健?br>4. 根據(jù)具體應(yīng)用場景采取適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)機(jī)制,以應(yīng)對潛在的過電流和過壓情況。

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