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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車(chē)電子>汽車(chē)新聞>快捷半導(dǎo)體40V PowerTrench MOSFET在動(dòng)力操控應(yīng)用提供更好的電力控制功能

快捷半導(dǎo)體40V PowerTrench MOSFET在動(dòng)力操控應(yīng)用提供更好的電力控制功能

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2020-05-26 14:06:30

ZAP15G04NF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET 筋膜槍專(zhuān)用MOS

=10VVDS = -40V ID =-18ARDS(ON) < 45mΩ @ VGS=-10V提供樣品測(cè)試,技術(shù)支持:***(微信同號(hào))QQ:994871344歡迎咨詢(xún)
2021-06-30 11:29:42

【基礎(chǔ)知識(shí)】功率半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)介

,目前正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機(jī)車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。另外,不同的細(xì)分領(lǐng)域,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的電壓承受能力要求也不一樣,以IGBT為例,消費(fèi)電子電壓一般600V以下,太陽(yáng)能逆變器
2019-02-26 17:04:37

不要錯(cuò)過(guò)安森美半導(dǎo)體電力研討會(huì)系列

。提出了一種真實(shí)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)控制回路測(cè)量的簡(jiǎn)單方法,然后是使用標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算工具的優(yōu)化方法。用于現(xiàn)代電力電子設(shè)備的基于物理的可擴(kuò)展SPICE建模方法現(xiàn)代電力電子技術(shù)涵蓋了廣泛的半導(dǎo)體器件類(lèi)型,所有這些都在
2018-10-29 08:57:06

什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。  基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

低功耗40v降壓IC 輸出ADJ 2.5A 電動(dòng)車(chē)專(zhuān)用芯片

概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,工作寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護(hù)
2022-06-10 15:16:08

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:MOSFET與IGBT模塊

了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力,同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)(涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng))。為客戶(hù)提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿(mǎn)足客戶(hù)高品質(zhì)需求,目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23

功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)如何?

功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54

單片機(jī)控制半導(dǎo)體制冷

我想用單片機(jī)開(kāi)發(fā)板做個(gè)熱療儀,開(kāi)發(fā)板是某寶上買(mǎi)的那種,有兩個(gè)猜想:一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱,一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的,查過(guò)一些資料,如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40

同步降壓動(dòng)力總成設(shè)計(jì)

、開(kāi)關(guān)、反向恢復(fù)等)。動(dòng)力總成總損耗可按各元件分析,并為各種不同的輸入和負(fù)載條件提供損耗和能效圖。  MOSFET損耗明細(xì)  詳細(xì)的損耗和能效分析  該工具的開(kāi)發(fā)結(jié)合了安森美半導(dǎo)體工程師幾十年的電源訣竅
2018-10-16 06:48:49

固態(tài)繼電器是用于負(fù)荷通/斷控制半導(dǎo)體型裝置

包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。晶閘管包括硅控整流器(SCR)與三極管交流開(kāi)關(guān) (TRIAC)。用一個(gè)很小的外部電壓或電流控制這些半導(dǎo)體。因此,半導(dǎo)體可以
2019-07-30 04:45:17

安森美半導(dǎo)體為全球客戶(hù)群提供關(guān)鍵生態(tài)系統(tǒng)元素

例子中低壓同步降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,選擇合適的動(dòng)力總成器件會(huì)是個(gè)艱巨和耗時(shí)的任務(wù)。鑒于此,安森美半導(dǎo)體的同步降壓型動(dòng)力總成設(shè)計(jì)工具提供了完整的動(dòng)力總成設(shè)計(jì)與分析,包括功率MOSFET、輸出電感、輸出電容
2018-10-23 09:03:57

安森美半導(dǎo)體大力用于汽車(chē)功能電子化方案的擴(kuò)展汽車(chē)認(rèn)證的器件

? 至10m?)的分立MOSFET和模塊、用于電動(dòng)汽車(chē)輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊(IPM)、和用于泵及電機(jī)的各種40 V至60 V MOSFET。展望未來(lái),安森美半導(dǎo)體電源方案部正擴(kuò)展針對(duì)
2018-10-25 08:53:48

安森美半導(dǎo)體新增高亮度LED降壓控制器NCL3016系列

和NCL30161是安森美半導(dǎo)體較新的兩款DC-DC LED驅(qū)動(dòng)器。NCL30161 LED驅(qū)動(dòng)器適合于寬電壓應(yīng)用,它可通過(guò)平均電流控制使LED紋波電流控制在平均電流的10%,輸出不需要濾波電容,而且支持PWM或
2018-09-29 16:45:10

安森美半導(dǎo)體智能功率模塊(IPM)及易于采用的工具和仿真支持

外部器件的高性?xún)r(jià)比方案。安森美半導(dǎo)體還將展出新的NCD570x系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,具有高驅(qū)動(dòng)電流以提供寶貴的、更高的系統(tǒng)能效,和充分集成多種保護(hù)功能的能力以增強(qiáng)安全性。安森美半導(dǎo)體的汽車(chē)產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)展
2018-10-30 09:06:50

安森美半導(dǎo)體智能電表低功耗解決方案

的技術(shù)和產(chǎn)品,以實(shí)現(xiàn)智能控制的同時(shí),得到一款省電、安全和可靠的電表產(chǎn)品。作為提供高性能、高能效硅方案的供應(yīng)商,安森美半導(dǎo)體擁有各種有助于節(jié)能的技術(shù)和產(chǎn)品,可以幫助智能電表廠(chǎng)商設(shè)計(jì)出更加高效省電的產(chǎn)品
2019-05-15 10:57:14

安森美半導(dǎo)體特色新品

供電規(guī)范指定的消費(fèi)者和供應(yīng)商角色互換的功能,適用于所有USB PD應(yīng)用。USB PD降壓-升壓控制器的電源電壓和負(fù)載范圍為4.5 V至28 V。LC898123F40XC: 光學(xué)圖像穩(wěn)定(OIS
2018-10-23 09:13:18

安森美半導(dǎo)體著力汽車(chē)重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域

全球汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展整體向好,汽車(chē)中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng),尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車(chē)身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車(chē)推動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng),以及占全球汽車(chē)銷(xiāo)售比例50%以上的新興市場(chǎng),推動(dòng)全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06

安森美半導(dǎo)體移動(dòng)設(shè)備用MOSFET的微型化

  導(dǎo)讀:目前,面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)提供功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢(shì),使用標(biāo)準(zhǔn)IC來(lái)構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線(xiàn)圖的新設(shè)計(jì)。  安森美半導(dǎo)體
2018-09-29 16:50:56

意法半導(dǎo)體推出功能豐富的電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,為碳化硅或硅功率晶體管提供更好控制和保護(hù)

功能,可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專(zhuān)用引腳,為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。
2018-08-06 14:37:25

報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

推薦一款40V2.5A開(kāi)關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,工作寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46

摩芯半導(dǎo)體自研多核高安全域控制 MCU 芯片

空白。與此同時(shí),汽車(chē)控制類(lèi)芯片亦存在可靠性、實(shí)時(shí)性、功能安全和信息安全要求高等難點(diǎn),還需要高性能來(lái)更好地協(xié)調(diào)控制各部件的控制算法,并支持 OTA 軟件升級(jí)。摩芯半導(dǎo)體創(chuàng)始人告訴 36 氪, 2022
2023-02-27 11:03:36

新品速遞 #6 40V、2.5A、低IQ同步升壓Silent Switcher -LT8336 數(shù)據(jù)手冊(cè)

范圍、低VIN引腳靜態(tài)電流(突發(fā)工作模式下)以及用于同步MOSFET的100%占空比能力(直通工作模式下,VIN ≥ VOUT),使其非常適合通用升壓和汽車(chē)預(yù)升壓應(yīng)用。LT8336集成了40V、2.5A
2020-08-28 10:06:36

汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)的升級(jí)

“通過(guò)創(chuàng)新,電子系統(tǒng)將使汽車(chē)可以自動(dòng)操作,使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車(chē)及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)Allen Kwang高度評(píng)價(jià)汽車(chē)電子的創(chuàng)新意義。而汽車(chē)電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤(pán)、安全、車(chē)身、信息娛樂(lè)系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11

汽車(chē)類(lèi)40V至1kV輸入反激式參考設(shè)計(jì)包括BOM及框圖

) 或電動(dòng)汽車(chē) (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來(lái)自牽引電機(jī)的可再生制動(dòng)的功能安全測(cè)試。該參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET,該器件具有用于降低開(kāi)關(guān)損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46

用于 40V 輸入應(yīng)用的高效 100W 同步 DC-DC 降壓解決方案

`描述此降壓同步直流/直流解決方案從 40V/42V 輸入提供 5V 輸出 (@20A),可實(shí)現(xiàn)最大效率。特性帶有集成同步柵極驅(qū)動(dòng)器的 TPS40170 控制 IC低柵極電荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04

用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎?

想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時(shí)間為2us,計(jì)算SR至少要求63V/us,看了下幾款車(chē)規(guī)級(jí)高壓運(yùn)放,請(qǐng)問(wèn)下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型? 謝謝!
2023-11-13 14:20:54

電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展

電子器件兩個(gè)名詞幾乎是同義詞,功率MOSFET的出現(xiàn)逐步改變了對(duì)功率半導(dǎo)體的傳統(tǒng)理解。原有的電力電子器件,基本上是一種服務(wù)于電力、大電機(jī)傳動(dòng)和工業(yè)應(yīng)用的器件。用電力來(lái)稱(chēng)謂功率以后,使從事電力電子技術(shù)的人
2009-12-11 15:47:08

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

芯龍XL6019-電壓5V40V

、升降壓設(shè)計(jì) 的單片集成電路,可工作DC5V40V輸 入電壓范圍,低紋波,內(nèi)置功率MOS。XL6019內(nèi)置固定頻率振蕩器與頻率補(bǔ)償電 路,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。PWM 控 制 環(huán) 路 可 以 調(diào) 節(jié) 占
2020-04-08 14:44:39

英飛凌40V和60V MOSFET

40V,60V MOSFET可大幅簡(jiǎn)化熱管理,從而節(jié)省成本。 一個(gè)典型的服務(wù)器電源的輸出電壓為12V100%輸出負(fù)載下,功率為600W至2400W,業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法是二次側(cè)采用同步整流器(即
2018-12-06 09:46:29

請(qǐng)問(wèn)怎么把函數(shù)發(fā)生器20v的PWM波升到40v呢?

請(qǐng)問(wèn)怎么把函數(shù)發(fā)生器20v的PWM波升到40v呢?
2019-07-08 15:24:00

請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路能出-40V嗎?

大家好,我現(xiàn)在在設(shè)計(jì)一個(gè)電路,我的需求是要輸出-40V電壓,0.15A,目前我使用ti中workbench提供的參考設(shè)計(jì),所用的芯片是lm5088,目前遇到一個(gè)問(wèn)題是lm5088這個(gè)芯片本身不提供
2019-07-23 13:07:25

通用 AC DLP 電源 (40V (10A))

`描述此參考設(shè)計(jì)通過(guò)功率因數(shù)校正,從通用交流輸入提供 400W 的功率。UCC28019A 用于控制 PFC 升壓前端,而 UCC25600 LLC 諧振半橋?qū)?PFC 輸出轉(zhuǎn)換為 40V、33V
2015-04-22 15:27:48

面向新興微混合動(dòng)力應(yīng)用的先進(jìn)電力電子解決方案

Vbat為負(fù)載供電。引擎重新啟動(dòng)時(shí),主電源Vbat還需要為啟動(dòng)電機(jī)提供高達(dá)1,000A的大瞬態(tài)電流,這會(huì)導(dǎo)致Vbat終端處的瞬態(tài)電壓降至6V。為了防止電力電子電路由于電池發(fā)生瞬態(tài)事件而關(guān)閉,控制器會(huì)向Q1
2012-12-20 14:15:13

飛思卡爾動(dòng)力總成微控制提供排放控制飛思卡爾半導(dǎo)體

為了幫助解決引發(fā)溫室效應(yīng)及全球變暖的汽車(chē)排放問(wèn)題,飛思卡爾半導(dǎo)體現(xiàn)已在32位汽車(chē)微控制器(MCU)系列中引入集成的排放控制技術(shù)。與飛思卡爾其它動(dòng)力總成微控制器類(lèi)似,這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣,為新興市場(chǎng)提供經(jīng)濟(jì)高效且精密的引擎控制設(shè)計(jì)。
2019-06-26 06:01:27

飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L,該器件經(jīng)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴,并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704

飛兆半導(dǎo)體MOSFET系列器件增添工業(yè)類(lèi)型封裝選擇

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為100V和150V PowerTrench? MOSFET系列器件增添了工業(yè)類(lèi)型封裝選擇
2011-06-03 09:30:30653

飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開(kāi)發(fā)出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸,并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:40927

飛兆半導(dǎo)體小體積低導(dǎo)通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件,滿(mǎn)足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的需求。
2012-03-01 09:05:38566

快捷開(kāi)發(fā)出P通道薄型WL-CSP MOSFET

快捷(Fairchild)開(kāi)發(fā)出P通道、1.5伏特(V)專(zhuān)用PowerTrench薄型0.8毫米(mm)×0.8毫米WL-CSP金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)元件--,有助于可攜式裝置設(shè)計(jì)人員應(yīng)付終端應(yīng)用需要節(jié)省空
2012-05-31 10:30:071032

快捷半導(dǎo)體擴(kuò)大PowerTrench? MOSFET系列產(chǎn)品陣容

快捷半導(dǎo)體擴(kuò)大PowerTrench? MOSFET系列產(chǎn)品陣容   提供更高的功率密度與提升開(kāi)關(guān)電源的效率   中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優(yōu)化系數(shù),提高同步整流應(yīng)用的可靠性
2012-08-17 08:52:52860

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET
2016-03-22 11:44:063151

Diodes 40V車(chē)用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車(chē)用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C,非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391070

集成高側(cè)MOSFET 40v 2.5a降壓控制器ISL78206

The ISL78206 is an AEC-Q100 qualified 40V, 2.5A synchronous buck controller with a high-side MOSFET and low-side driver integrated.
2017-09-18 11:33:245

PI將為半導(dǎo)體集成化發(fā)展提供“源”動(dòng)力

隨著真正的物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)的出現(xiàn),PI將為半導(dǎo)體集成化發(fā)展提供“源”動(dòng)力,集成電路和系統(tǒng)的復(fù)雜性仍在迅速增長(zhǎng),一切都需要電力,PI會(huì)讓電源更加的高能效、低損耗。
2017-12-24 11:14:002615

40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片

40V轉(zhuǎn)5V 40V轉(zhuǎn)3.3V 40V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO芯片(通信電源技術(shù) 官網(wǎng))-40V轉(zhuǎn)24V,40V轉(zhuǎn)20V,40V轉(zhuǎn)15V ,40V轉(zhuǎn)12V,40V轉(zhuǎn)9V,40V轉(zhuǎn)5V,40V轉(zhuǎn)3.3V,40V轉(zhuǎn)3V,40V轉(zhuǎn)1.8V,40V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 12:56:2714

意法半導(dǎo)體推出先進(jìn)STripFET F8 技術(shù)

 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性,降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431044

NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)全部測(cè)試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474

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