接近傳感選擇，第2部分：磁傳感器

　　正如我們在以前的文章指出高新區(qū)（“接近感應選項，1部分：電容式傳感器”），工程師可以采用各種各樣的傳感器技術(shù)-電容、磁性或光學-確定如何關(guān)閉一個對象到另一個，技術(shù)的選擇是非常依賴于應用程序的詳情。在這篇文章中，我們將用不同類型的當前可用傳感器及其典型用途的例子來研究磁技術(shù)及其優(yōu)缺點。

　　磁傳感器

　　磁傳感器是一種以變化或中斷的方式響應磁場變化或中斷的裝置。在磁傳感器的類型中，那些是依靠霍爾效應和基于磁阻（MR）效應的傳感器。這兩種傳感器之間的主要功能差異是霍爾效應傳感器響應于垂直于傳感器磁場的磁場的變化，而MR傳感器響應于傳感器字段平行的字段的變化（圖1）。

　　Figure 1： While Hall-Effect （a） and magnetoresistive （b） sensors both respond to an external field， each type of sensor has its own distinct advantages.

　　Discovered by Edwin Hall in 1879， the eponymous Hall Effect produces a voltage difference （the Hall voltage） across a semiconductor through which a constant current is flowing transversely when a magnetic field is perpendicular to that current （Figure 1a）。 With an MR sensor， a current difference is produced when a material attached to a constant voltage source is subjected to a parallel magnetic field that changes the resistance of the material， and hence varies the current （Figure 1b）。 In both cases， the changes are proportional to the change in the magnetic field.