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Electronic applications have progressed significantly in recent years and have inevitably
increased the demand for an intrinsically rugged power MOSFET. Device ruggedness is
defined by the capacity of a device to sustain an avalanche current during an unclamped
inductive load switching event. However, the avalanche ruggedness performance of a
power MOSFET is normally measured within the industry as a single-shot Unclamped
Inductive Switching (UIS) avalanche energy or EAS. Whilst this provides an easy and quick
method of quantifying the robustness of a MOSFET in avalanche, it does not necessarily
reflect the true device avalanche capability (see Ref. 1, Ref. 2 and Ref. 3) in an
application.
?
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