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IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電壓Uge
1/ 理論上Uge≥Uge(th)，IGBT 即可開通；
一般情況下Uge(th)＝5～6V
2/ 當(dāng)Uge 增加時(shí)，通態(tài)壓降減小，通態(tài)損耗減小；
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力減小；
當(dāng)Uge 太大時(shí)，可能引起柵極電壓振蕩，損壞柵極
3/ 當(dāng)Uge 減小時(shí)，通態(tài)壓降增加，通態(tài)損耗增加；
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力提高
4/ 為獲得通態(tài)壓降最小，同時(shí)IGBT 又具有較好的承受短路
電流能力，
通常選取Uge≥D*Uge(th)，系數(shù)D＝1.5、2、2.5、3
5/ 當(dāng)Uge(th)為6V，系數(shù)D 分別為1.5、2、2.5、3 時(shí)，
Uge 則分別為9V、12V、15V、18V；
一般，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Uge 折中取12V～15V 為宜，12V 最佳
6/ IGBT 關(guān)斷時(shí)， 柵極加負(fù)偏壓， 提高抗干撓能力，
提高承受dv/dt 能力，柵極負(fù)偏壓一般為－10V
1/ 理論上Uge≥Uge(th)，IGBT 即可開通；
一般情況下Uge(th)＝5～6V
2/ 當(dāng)Uge 增加時(shí)，通態(tài)壓降減小，通態(tài)損耗減小；
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力減小；
當(dāng)Uge 太大時(shí)，可能引起柵極電壓振蕩，損壞柵極
3/ 當(dāng)Uge 減小時(shí)，通態(tài)壓降增加，通態(tài)損耗增加；
但I(xiàn)GBT 承受短路電流能力提高
4/ 為獲得通態(tài)壓降最小，同時(shí)IGBT 又具有較好的承受短路
電流能力，
通常選取Uge≥D*Uge(th)，系數(shù)D＝1.5、2、2.5、3
5/ 當(dāng)Uge(th)為6V，系數(shù)D 分別為1.5、2、2.5、3 時(shí)，
Uge 則分別為9V、12V、15V、18V；
一般，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Uge 折中取12V～15V 為宜，12V 最佳
6/ IGBT 關(guān)斷時(shí)， 柵極加負(fù)偏壓， 提高抗干撓能力，
提高承受dv/dt 能力，柵極負(fù)偏壓一般為－10V
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