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氮化鎵功率晶體管具有非常高的射頻功率密度，其范圍為柵極外圍的每毫米4至12瓦，取決于工作漏極電壓。即使在SiC襯底上GaN和AlGaN具有高的熱導(dǎo)率，有必要了解通道的溫度上升的DC和射頻設(shè)計(jì)功率放大器時(shí)產(chǎn)生的刺激。對(duì)于寬帶放大器（一種非常流行的應(yīng)用），熱管理更為重要，其中漏極效率可以與頻率函數(shù)相差很大。
在Cree公司的GaN HEMT大信號(hào)模型的一種新的自加熱功能自動(dòng)影響DC和射頻參數(shù)的函數(shù)繪制電流晶體管。我們將使用一個(gè)2 cgh40025f晶體管6 GHz寬帶放大器和展示晶體管的工作溫度可以最小化的設(shè)計(jì)仿真階段。默認(rèn)設(shè)置為cgh40025f熱電阻在4.8°C /瓦。操作箱溫度（挑逗）是用戶定義的。自加熱引擎自動(dòng)計(jì)算溫度上升（文憑）的HEMT通道上方挑逗。
Trise can be used as a function of other parameters such as frequency， output power， and efficiency. This article will show the direct lowering of Trise using optimization in unison with the maintenance of output power. Such thermal optimization assures reliable operation as well as improved performance since the transistors are operating cooler.
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