快充QC的基本電源結(jié)構(gòu)采用反激Flyback 副邊（次級(jí)）同步整流SSR，對(duì)于反激變換器，根據(jù)反饋取樣的的方式，可以分為：原邊（初級(jí)）調(diào)節(jié)和副邊（次級(jí)）調(diào)節(jié)；根據(jù)PWM控制器所在的位置，可以分為：原邊（初級(jí)）控制和副邊（次級(jí)）控制。 1、原邊（初級(jí)）調(diào)節(jié)和副邊（次級(jí)）調(diào)節(jié) 輸出電壓的穩(wěn)定需要反饋環(huán)節(jié)，將其變化的信息送給PWM主控制器，從而對(duì)輸入電壓、輸出負(fù)載的變化實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)。根據(jù)反饋取樣方式的不同，可分為原邊（初級(jí)）調(diào)節(jié)和副邊（次級(jí)）調(diào)節(jié)，如圖1和圖2所示。 圖1：原邊（初級(jí)）調(diào)節(jié) 圖2：副邊（次級(jí)）調(diào)節(jié) 原邊（初級(jí)）調(diào)節(jié)的反饋信號(hào)不是直接取自于輸出電壓，而是取自于和輸出電壓保持一定比例關(guān)系的輔助繞組或原邊初級(jí)主繞組，其特點(diǎn)為： ①、間接反饋方式，負(fù)載調(diào)整率差，精度差； ②、簡(jiǎn)單，成本低； ③、不需要隔離光耦。 副邊（次級(jí)）調(diào)節(jié)的反饋信號(hào)使用光耦和TL431直接取自于輸出電壓，其特點(diǎn)為： ①、直接反饋方式，負(fù)載調(diào)整率、線性調(diào)整率好，精度高； ②、調(diào)節(jié)電路復(fù)雜，成本高； ③、需要隔離光耦，光耦隨時(shí)間有老化問(wèn)題。 2、副邊（次級(jí)）二極管整流和MOSFET同步整流SSR 反激變換器的副邊（次級(jí)）通常使用二極管整流，由于快充的輸出電流大，特別是直充或閃充，輸出電流高達(dá)5A，為了提高效率，使用MOSFET取代二極管作為整流管，稱為副邊（次級(jí)）同步整流SSR，如圖3和圖4所示。 圖3：副邊（次級(jí)）二極管整流 圖4：副邊（次級(jí)）MOSFET同步整流 副邊（次級(jí)）二極管整流的特點(diǎn)： ①、簡(jiǎn)單，不需要額外的驅(qū)動(dòng)控制器，成本低； ②、輸出電流大時(shí)，效率低； ③、可靠性高。 副邊（次級(jí)）MOSFET同步整流的特點(diǎn)： ①、復(fù)雜，需要額外的驅(qū)動(dòng)控制器，成本高； ②、輸出電流大時(shí)，效率高； ③、相比二極管，可靠性低。 實(shí)際應(yīng)用中，通常將同步整流SSR的MOSFET從高端移到低端，以方便驅(qū)動(dòng)，如圖5所示。 圖5：SSR同步整流MOSFET放在低端 同步整流SSR的MOSFET放在高端的特點(diǎn)： ①、需要自舉驅(qū)動(dòng)或浮驅(qū)，成本高； ②、EMI好。 同步整流SSR的MOSFET放在低端的特點(diǎn)： ①、直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，成本低；