資料介紹
特性
? 單電壓讀寫操作
– 1.65-1.95V
? 串行接口架構(gòu)
– 采用類 SPI 串行命令結(jié)構(gòu)的半字節(jié)寬復(fù)用 I/O
- 模式 0 和模式 3
– x1/x2/x4 串行外設(shè)接口(Serial Peripheral Interface,
SPI)協(xié)議
? 高速時鐘頻率
– 最高 104 MHz
? 突發(fā)模式
– 連續(xù)線性突發(fā)
– 8/16/32/64 字節(jié)帶回繞線性突發(fā)
? 超高可靠性
– 可擦寫次數(shù):100,000 次(最小值)
– 數(shù)據(jù)保存時間大于 100 年
? 低功耗:
– 讀操作工作電流:15 mA(104 MHz 時的典型值)
– 待機(jī)電流:8 μA(典型值)
? 頁編程
– x1 或 x4 模式下每頁 256 字節(jié)
? 寫操作結(jié)束檢測
– 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的 BUSY 位
? 靈活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇區(qū)
– 4 個 8 KB 頂部和底部參數(shù)覆蓋塊
– 1 個 32 KB 頂部和底部覆蓋塊
– 均一 64 KB 覆蓋塊
? 寫暫停
– 暫停編程或擦除操作以訪問另一個塊 / 扇區(qū)
? 軟件復(fù)位(RST)模式
? 軟件寫保護(hù)
– 獨立塊鎖定
- 64 KB 塊、2 個 32 KB 塊和 8 個 8 KB 參數(shù)塊
? 安全 ID
– 一次性可編程(One-Time Programmable,OTP)的
2 KB 安全 ID
- 出廠前預(yù)編程的 64 位惟一標(biāo)識符
- 用戶可編程區(qū)域
? 溫度范圍
– 工業(yè)級:-40°C 至 +85°C
? 可用封裝
– 8 觸點 WSON(6 mm x 5 mm)
– 8 引腳 SOIC(150 mil)
– 8 球 XFBGA(Z-Scale?)
? 所有器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行閃存
- 基于SST25VF020B下的2 Mb SPI 串行閃存
- 基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行閃存
- 基于SST39WF400B下的4 Mb(x16)多用途閃存
- 基于SST39WF800B下的8 Mb(x16)多用途閃存
- 基于SST26WF016B/SST26WF016BA下的1.8V串行四I/O(SQI)閃存
- 從SST25VF016B/032B移植到SST26VF016B和SST26VF032B/032BA.pdf
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