K9F2G08X0A是一個2，112Mbit（2，214，592，512bit）大小，擁有131，072行（頁）和2，112x8列的記憶體。額外的64x8列位于列地址的2，048~ 2，111。在頁編程和頁讀取操作期間，一個2，112-byte大小的數據寄存器（緩存）連接到存儲單元陣列在I/O緩存區和存儲區之間進行數據的暫存和傳輸。存儲器陣列基本結構是由32個單元串聯形成的一個NAND結構。32個單元每個都屬于不同的頁。一個塊包含兩個NAND 結構串。一個NAND結構包含32個單元。共1，081，344個NAND單元組成一個塊。讀取和編程操作是在頁面上執行的，而擦除操作是基于塊的基礎上執行的。存儲器陣列是由2048個單獨的可擦除的128K字節的塊組成的。這表明在K9F2G08X0A中一位一位的擦除操作是被禁止的。 K9F2G08X0A有8路I/O地址復用功能。該方案大大減少了引腳數并且允許系統升級到未來的密度還能保持一致性的系統模板設計。命令、地址和數據都通過I/O口寫入，此時將WE置為低電平且保持CE為低電平。它們都是通過WE的上升沿來鎖存數據的。命令鎖存使能 （CLE）和地址鎖存使能（ALE）用來通過I/O引腳區分命令和地址。一些命令需要一個總線周期。比如重置命令，狀態讀取命令等只需要一個總線周期。另外的一些命令比如頁讀取、頁編程、塊擦除等需要兩個周期：一個周期用來設置，另一個周期用來執行。264MB的物理存儲空間需要29位的地址，因此需要5個周期來進行尋址：2個周期發送列地址，3個周期發送行地址，按順序進行。頁讀取和頁編程需要同樣的5個地址周期來遵循需要的命令輸入。對于塊擦除操作，只有3個行地址周期被使用。對命令寄存器寫特定的命令可以對設備進行不同的操作。表1 定義了對K9F2G08X0A進行操作的特定命令。除了增強的結構和接口，設備采用了copy-back編程特性，可以從一個頁直接復制到另一頁而無需外部緩沖設備進行數據傳輸。由于耗時的串行訪問和數據輸入周期被移除，固態磁盤應用系統的性能顯著提高。